Чып-рэзістар - павярхоўнае мацаванне

9T04021A6491FBHF3

9T04021A6491FBHF3

частка акцыі: 987

Супраціўленне: 6.49 kOhms, Талерантнасць: ±1%, Магутнасць (Вт): 0.063W, 1/16W, Склад: Thin Film, Тэмпературны каэфіцыент: ±100ppm/°C,

Пажаданні
9T04021A6651FBHF3

9T04021A6651FBHF3

частка акцыі: 982

Супраціўленне: 6.65 kOhms, Талерантнасць: ±1%, Магутнасць (Вт): 0.063W, 1/16W, Склад: Thin Film, Тэмпературны каэфіцыент: ±100ppm/°C,

Пажаданні
9T04021A6041FBHF3

9T04021A6041FBHF3

частка акцыі: 980

Супраціўленне: 6.04 kOhms, Талерантнасць: ±1%, Магутнасць (Вт): 0.063W, 1/16W, Склад: Thin Film, Тэмпературны каэфіцыент: ±100ppm/°C,

Пажаданні
9T04021A6191FBHF3

9T04021A6191FBHF3

частка акцыі: 959

Супраціўленне: 6.19 kOhms, Талерантнасць: ±1%, Магутнасць (Вт): 0.063W, 1/16W, Склад: Thin Film, Тэмпературны каэфіцыент: ±100ppm/°C,

Пажаданні
9T04021A6341FBHF3

9T04021A6341FBHF3

частка акцыі: 992

Супраціўленне: 6.34 kOhms, Талерантнасць: ±1%, Магутнасць (Вт): 0.063W, 1/16W, Склад: Thin Film, Тэмпературны каэфіцыент: ±100ppm/°C,

Пажаданні
9T04021A6201FBHF3

9T04021A6201FBHF3

частка акцыі: 965

Супраціўленне: 6.2 kOhms, Талерантнасць: ±1%, Магутнасць (Вт): 0.063W, 1/16W, Склад: Thin Film, Тэмпературны каэфіцыент: ±100ppm/°C,

Пажаданні
9T04021A5621FBHF3

9T04021A5621FBHF3

частка акцыі: 921

Супраціўленне: 5.62 kOhms, Талерантнасць: ±1%, Магутнасць (Вт): 0.063W, 1/16W, Склад: Thin Film, Тэмпературны каэфіцыент: ±100ppm/°C,

Пажаданні
9T04021A5901FBHF3

9T04021A5901FBHF3

частка акцыі: 962

Супраціўленне: 5.9 kOhms, Талерантнасць: ±1%, Магутнасць (Вт): 0.063W, 1/16W, Склад: Thin Film, Тэмпературны каэфіцыент: ±100ppm/°C,

Пажаданні
9T04021A5601FBHF3

9T04021A5601FBHF3

частка акцыі: 936

Супраціўленне: 5.6 kOhms, Талерантнасць: ±1%, Магутнасць (Вт): 0.063W, 1/16W, Склад: Thin Film, Тэмпературны каэфіцыент: ±100ppm/°C,

Пажаданні
9T04021A5111FBHF3

9T04021A5111FBHF3

частка акцыі: 935

Супраціўленне: 5.11 kOhms, Талерантнасць: ±1%, Магутнасць (Вт): 0.063W, 1/16W, Склад: Thin Film, Тэмпературны каэфіцыент: ±100ppm/°C,

Пажаданні
9T04021A5361FBHF3

9T04021A5361FBHF3

частка акцыі: 995

Супраціўленне: 5.36 kOhms, Талерантнасць: ±1%, Магутнасць (Вт): 0.063W, 1/16W, Склад: Thin Film, Тэмпературны каэфіцыент: ±100ppm/°C,

Пажаданні
9T04021A5101FBHF3

9T04021A5101FBHF3

частка акцыі: 977

Супраціўленне: 5.1 kOhms, Талерантнасць: ±1%, Магутнасць (Вт): 0.063W, 1/16W, Склад: Thin Film, Тэмпературны каэфіцыент: ±100ppm/°C,

Пажаданні
9T04021A4991FBHF3

9T04021A4991FBHF3

частка акцыі: 910

Супраціўленне: 4.99 kOhms, Талерантнасць: ±1%, Магутнасць (Вт): 0.063W, 1/16W, Склад: Thin Film, Тэмпературны каэфіцыент: ±100ppm/°C,

Пажаданні
9T04021A4751FBHF3

9T04021A4751FBHF3

частка акцыі: 968

Супраціўленне: 4.75 kOhms, Талерантнасць: ±1%, Магутнасць (Вт): 0.063W, 1/16W, Склад: Thin Film, Тэмпературны каэфіцыент: ±100ppm/°C,

Пажаданні
9T04021A4641FBHF3

9T04021A4641FBHF3

частка акцыі: 957

Супраціўленне: 4.64 kOhms, Талерантнасць: ±1%, Магутнасць (Вт): 0.063W, 1/16W, Склад: Thin Film, Тэмпературны каэфіцыент: ±100ppm/°C,

Пажаданні
9T04021A4531FBHF3

9T04021A4531FBHF3

частка акцыі: 904

Супраціўленне: 4.53 kOhms, Талерантнасць: ±1%, Магутнасць (Вт): 0.063W, 1/16W, Склад: Thin Film, Тэмпературны каэфіцыент: ±100ppm/°C,

Пажаданні
9T04021A4421FBHF3

9T04021A4421FBHF3

частка акцыі: 944

Супраціўленне: 4.42 kOhms, Талерантнасць: ±1%, Магутнасць (Вт): 0.063W, 1/16W, Склад: Thin Film, Тэмпературны каэфіцыент: ±100ppm/°C,

Пажаданні
9T04021A4221FBHF3

9T04021A4221FBHF3

частка акцыі: 899

Супраціўленне: 4.22 kOhms, Талерантнасць: ±1%, Магутнасць (Вт): 0.063W, 1/16W, Склад: Thin Film, Тэмпературны каэфіцыент: ±100ppm/°C,

Пажаданні
9T04021A4301FBHF3

9T04021A4301FBHF3

частка акцыі: 931

Супраціўленне: 4.3 kOhms, Талерантнасць: ±1%, Магутнасць (Вт): 0.063W, 1/16W, Склад: Thin Film, Тэмпературны каэфіцыент: ±100ppm/°C,

Пажаданні
9T04021A4321FBHF3

9T04021A4321FBHF3

частка акцыі: 908

Супраціўленне: 4.32 kOhms, Талерантнасць: ±1%, Магутнасць (Вт): 0.063W, 1/16W, Склад: Thin Film, Тэмпературны каэфіцыент: ±100ppm/°C,

Пажаданні
9T04021A4121FBHF3

9T04021A4121FBHF3

частка акцыі: 895

Супраціўленне: 4.12 kOhms, Талерантнасць: ±1%, Магутнасць (Вт): 0.063W, 1/16W, Склад: Thin Film, Тэмпературны каэфіцыент: ±100ppm/°C,

Пажаданні
9T04021A3831FBHF3

9T04021A3831FBHF3

частка акцыі: 934

Супраціўленне: 3.83 kOhms, Талерантнасць: ±1%, Магутнасць (Вт): 0.063W, 1/16W, Склад: Thin Film, Тэмпературны каэфіцыент: ±100ppm/°C,

Пажаданні
9T04021A3921FBHF3

9T04021A3921FBHF3

частка акцыі: 920

Супраціўленне: 3.92 kOhms, Талерантнасць: ±1%, Магутнасць (Вт): 0.063W, 1/16W, Склад: Thin Film, Тэмпературны каэфіцыент: ±100ppm/°C,

Пажаданні
9T04021A3901FBHF3

9T04021A3901FBHF3

частка акцыі: 907

Супраціўленне: 3.9 kOhms, Талерантнасць: ±1%, Магутнасць (Вт): 0.063W, 1/16W, Склад: Thin Film, Тэмпературны каэфіцыент: ±100ppm/°C,

Пажаданні
9T04021A3601FBHF3

9T04021A3601FBHF3

частка акцыі: 961

Супраціўленне: 3.6 kOhms, Талерантнасць: ±1%, Магутнасць (Вт): 0.063W, 1/16W, Склад: Thin Film, Тэмпературны каэфіцыент: ±100ppm/°C,

Пажаданні
9T04021A3571FBHF3

9T04021A3571FBHF3

частка акцыі: 984

Супраціўленне: 3.57 kOhms, Талерантнасць: ±1%, Магутнасць (Вт): 0.063W, 1/16W, Склад: Thin Film, Тэмпературны каэфіцыент: ±100ppm/°C,

Пажаданні
9T04021A3741FBHF3

9T04021A3741FBHF3

частка акцыі: 903

Супраціўленне: 3.74 kOhms, Талерантнасць: ±1%, Магутнасць (Вт): 0.063W, 1/16W, Склад: Thin Film, Тэмпературны каэфіцыент: ±100ppm/°C,

Пажаданні
9T04021A3651FBHF3

9T04021A3651FBHF3

частка акцыі: 4148

Супраціўленне: 3.65 kOhms, Талерантнасць: ±1%, Магутнасць (Вт): 0.063W, 1/16W, Склад: Thin Film, Тэмпературны каэфіцыент: ±100ppm/°C,

Пажаданні
9T04021A3301FBHF3

9T04021A3301FBHF3

частка акцыі: 943

Супраціўленне: 3.3 kOhms, Талерантнасць: ±1%, Магутнасць (Вт): 0.063W, 1/16W, Склад: Thin Film, Тэмпературны каэфіцыент: ±100ppm/°C,

Пажаданні
9T04021A3481FBHF3

9T04021A3481FBHF3

частка акцыі: 967

Супраціўленне: 3.48 kOhms, Талерантнасць: ±1%, Магутнасць (Вт): 0.063W, 1/16W, Склад: Thin Film, Тэмпературны каэфіцыент: ±100ppm/°C,

Пажаданні
9T04021A3401FBHF3

9T04021A3401FBHF3

частка акцыі: 889

Супраціўленне: 3.4 kOhms, Талерантнасць: ±1%, Магутнасць (Вт): 0.063W, 1/16W, Склад: Thin Film, Тэмпературны каэфіцыент: ±100ppm/°C,

Пажаданні
9T04021A3161FBHF3

9T04021A3161FBHF3

частка акцыі: 957

Супраціўленне: 3.16 kOhms, Талерантнасць: ±1%, Магутнасць (Вт): 0.063W, 1/16W, Склад: Thin Film, Тэмпературны каэфіцыент: ±100ppm/°C,

Пажаданні
9T04021A3011FBHF3

9T04021A3011FBHF3

частка акцыі: 955

Супраціўленне: 3.01 kOhms, Талерантнасць: ±1%, Магутнасць (Вт): 0.063W, 1/16W, Склад: Thin Film, Тэмпературны каэфіцыент: ±100ppm/°C,

Пажаданні
9T04021A3241FBHF3

9T04021A3241FBHF3

частка акцыі: 904

Супраціўленне: 3.24 kOhms, Талерантнасць: ±1%, Магутнасць (Вт): 0.063W, 1/16W, Склад: Thin Film, Тэмпературны каэфіцыент: ±100ppm/°C,

Пажаданні
9T04021A3091FBHF3

9T04021A3091FBHF3

частка акцыі: 903

Супраціўленне: 3.09 kOhms, Талерантнасць: ±1%, Магутнасць (Вт): 0.063W, 1/16W, Склад: Thin Film, Тэмпературны каэфіцыент: ±100ppm/°C,

Пажаданні
9T04021A2941FBHF3

9T04021A2941FBHF3

частка акцыі: 939

Супраціўленне: 2.94 kOhms, Талерантнасць: ±1%, Магутнасць (Вт): 0.063W, 1/16W, Склад: Thin Film, Тэмпературны каэфіцыент: ±100ppm/°C,

Пажаданні