Чып-рэзістар - павярхоўнае мацаванне

9T04021A8062FBHF3

9T04021A8062FBHF3

частка акцыі: 1052

Супраціўленне: 80.6 kOhms, Талерантнасць: ±1%, Магутнасць (Вт): 0.063W, 1/16W, Склад: Thin Film, Тэмпературны каэфіцыент: ±100ppm/°C,

Пажаданні
9T04021A7502FBHF3

9T04021A7502FBHF3

частка акцыі: 1017

Супраціўленне: 75 kOhms, Талерантнасць: ±1%, Магутнасць (Вт): 0.063W, 1/16W, Склад: Thin Film, Тэмпературны каэфіцыент: ±100ppm/°C,

Пажаданні
9T04021A7872FBHF3

9T04021A7872FBHF3

частка акцыі: 1055

Супраціўленне: 78.7 kOhms, Талерантнасць: ±1%, Магутнасць (Вт): 0.063W, 1/16W, Склад: Thin Film, Тэмпературны каэфіцыент: ±100ppm/°C,

Пажаданні
9T04021A7692FBHF3

9T04021A7692FBHF3

частка акцыі: 1109

Супраціўленне: 76.9 kOhms, Талерантнасць: ±1%, Магутнасць (Вт): 0.063W, 1/16W, Склад: Thin Film, Тэмпературны каэфіцыент: ±100ppm/°C,

Пажаданні
9T04021A7322FBHF3

9T04021A7322FBHF3

частка акцыі: 1020

Супраціўленне: 73.2 kOhms, Талерантнасць: ±1%, Магутнасць (Вт): 0.063W, 1/16W, Склад: Thin Film, Тэмпературны каэфіцыент: ±100ppm/°C,

Пажаданні
9T04021A6812FBHF3

9T04021A6812FBHF3

частка акцыі: 1063

Супраціўленне: 68.1 kOhms, Талерантнасць: ±1%, Магутнасць (Вт): 0.063W, 1/16W, Склад: Thin Film, Тэмпературны каэфіцыент: ±100ppm/°C,

Пажаданні
9T04021A6802FBHF3

9T04021A6802FBHF3

частка акцыі: 1055

Супраціўленне: 68 kOhms, Талерантнасць: ±1%, Магутнасць (Вт): 0.063W, 1/16W, Склад: Thin Film, Тэмпературны каэфіцыент: ±100ppm/°C,

Пажаданні
9T04021A7152FBHF3

9T04021A7152FBHF3

частка акцыі: 1063

Супраціўленне: 71.5 kOhms, Талерантнасць: ±1%, Магутнасць (Вт): 0.063W, 1/16W, Склад: Thin Film, Тэмпературны каэфіцыент: ±100ppm/°C,

Пажаданні
9T04021A6982FBHF3

9T04021A6982FBHF3

частка акцыі: 1088

Супраціўленне: 69.8 kOhms, Талерантнасць: ±1%, Магутнасць (Вт): 0.063W, 1/16W, Склад: Thin Film, Тэмпературны каэфіцыент: ±100ppm/°C,

Пажаданні
9T04021A6652FBHF3

9T04021A6652FBHF3

частка акцыі: 1083

Супраціўленне: 66.5 kOhms, Талерантнасць: ±1%, Магутнасць (Вт): 0.063W, 1/16W, Склад: Thin Film, Тэмпературны каэфіцыент: ±100ppm/°C,

Пажаданні
9T04021A6492FBHF3

9T04021A6492FBHF3

частка акцыі: 1092

Супраціўленне: 64.9 kOhms, Талерантнасць: ±1%, Магутнасць (Вт): 0.063W, 1/16W, Склад: Thin Film, Тэмпературны каэфіцыент: ±100ppm/°C,

Пажаданні
9T04021A6342FBHF3

9T04021A6342FBHF3

частка акцыі: 1023

Супраціўленне: 63.4 kOhms, Талерантнасць: ±1%, Магутнасць (Вт): 0.063W, 1/16W, Склад: Thin Film, Тэмпературны каэфіцыент: ±100ppm/°C,

Пажаданні
9T04021A5902FBHF3

9T04021A5902FBHF3

частка акцыі: 1037

Супраціўленне: 59 kOhms, Талерантнасць: ±1%, Магутнасць (Вт): 0.063W, 1/16W, Склад: Thin Film, Тэмпературны каэфіцыент: ±100ppm/°C,

Пажаданні
9T04021A6042FBHF3

9T04021A6042FBHF3

частка акцыі: 1091

Супраціўленне: 60.4 kOhms, Талерантнасць: ±1%, Магутнасць (Вт): 0.063W, 1/16W, Склад: Thin Film, Тэмпературны каэфіцыент: ±100ppm/°C,

Пажаданні
9T04021A6192FBHF3

9T04021A6192FBHF3

частка акцыі: 1043

Супраціўленне: 61.9 kOhms, Талерантнасць: ±1%, Магутнасць (Вт): 0.063W, 1/16W, Склад: Thin Film, Тэмпературны каэфіцыент: ±100ppm/°C,

Пажаданні
9T04021A5362FBHF3

9T04021A5362FBHF3

частка акцыі: 1094

Супраціўленне: 53.6 kOhms, Талерантнасць: ±1%, Магутнасць (Вт): 0.063W, 1/16W, Склад: Thin Film, Тэмпературны каэфіцыент: ±100ppm/°C,

Пажаданні
9T04021A5602FBHF3

9T04021A5602FBHF3

частка акцыі: 1062

Супраціўленне: 56 kOhms, Талерантнасць: ±1%, Магутнасць (Вт): 0.063W, 1/16W, Склад: Thin Film, Тэмпературны каэфіцыент: ±100ppm/°C,

Пажаданні
9T04021A5622FBHF3

9T04021A5622FBHF3

частка акцыі: 1063

Супраціўленне: 56.2 kOhms, Талерантнасць: ±1%, Магутнасць (Вт): 0.063W, 1/16W, Склад: Thin Film, Тэмпературны каэфіцыент: ±100ppm/°C,

Пажаданні
9T04021A5492FBHF3

9T04021A5492FBHF3

частка акцыі: 1016

Супраціўленне: 54.9 kOhms, Талерантнасць: ±1%, Магутнасць (Вт): 0.063W, 1/16W, Склад: Thin Film, Тэмпературны каэфіцыент: ±100ppm/°C,

Пажаданні
9T04021A4992FBHF3

9T04021A4992FBHF3

частка акцыі: 1020

Супраціўленне: 49.9 kOhms, Талерантнасць: ±1%, Магутнасць (Вт): 0.063W, 1/16W, Склад: Thin Film, Тэмпературны каэфіцыент: ±100ppm/°C,

Пажаданні
9T04021A5112FBHF3

9T04021A5112FBHF3

частка акцыі: 1028

Супраціўленне: 51.1 kOhms, Талерантнасць: ±1%, Магутнасць (Вт): 0.063W, 1/16W, Склад: Thin Film, Тэмпературны каэфіцыент: ±100ppm/°C,

Пажаданні
9T04021A5232FBHF3

9T04021A5232FBHF3

частка акцыі: 1033

Супраціўленне: 52.3 kOhms, Талерантнасць: ±1%, Магутнасць (Вт): 0.063W, 1/16W, Склад: Thin Film, Тэмпературны каэфіцыент: ±100ppm/°C,

Пажаданні
9T04021A4752FBHF3

9T04021A4752FBHF3

частка акцыі: 1067

Супраціўленне: 47.5 kOhms, Талерантнасць: ±1%, Магутнасць (Вт): 0.063W, 1/16W, Склад: Thin Film, Тэмпературны каэфіцыент: ±100ppm/°C,

Пажаданні
9T04021A4702FBHF3

9T04021A4702FBHF3

частка акцыі: 1052

Супраціўленне: 47 kOhms, Талерантнасць: ±1%, Магутнасць (Вт): 0.063W, 1/16W, Склад: Thin Film, Тэмпературны каэфіцыент: ±100ppm/°C,

Пажаданні
9T04021A4872FBHF3

9T04021A4872FBHF3

частка акцыі: 1015

Супраціўленне: 48.7 kOhms, Талерантнасць: ±1%, Магутнасць (Вт): 0.063W, 1/16W, Склад: Thin Film, Тэмпературны каэфіцыент: ±100ppm/°C,

Пажаданні
9T04021A4642FBHF3

9T04021A4642FBHF3

частка акцыі: 1020

Супраціўленне: 46.4 kOhms, Талерантнасць: ±1%, Магутнасць (Вт): 0.063W, 1/16W, Склад: Thin Film, Тэмпературны каэфіцыент: ±100ppm/°C,

Пажаданні
9T04021A4302FBHF3

9T04021A4302FBHF3

частка акцыі: 1007

Супраціўленне: 43 kOhms, Талерантнасць: ±1%, Магутнасць (Вт): 0.063W, 1/16W, Склад: Thin Film, Тэмпературны каэфіцыент: ±100ppm/°C,

Пажаданні
9T04021A4322FBHF3

9T04021A4322FBHF3

частка акцыі: 994

Супраціўленне: 43.2 kOhms, Талерантнасць: ±1%, Магутнасць (Вт): 0.063W, 1/16W, Склад: Thin Film, Тэмпературны каэфіцыент: ±100ppm/°C,

Пажаданні
9T04021A4532FBHF3

9T04021A4532FBHF3

частка акцыі: 1075

Супраціўленне: 45.3 kOhms, Талерантнасць: ±1%, Магутнасць (Вт): 0.063W, 1/16W, Склад: Thin Film, Тэмпературны каэфіцыент: ±100ppm/°C,

Пажаданні
9T04021A4122FBHF3

9T04021A4122FBHF3

частка акцыі: 1047

Супраціўленне: 41.2 kOhms, Талерантнасць: ±1%, Магутнасць (Вт): 0.063W, 1/16W, Склад: Thin Film, Тэмпературны каэфіцыент: ±100ppm/°C,

Пажаданні
9T04021A4222FBHF3

9T04021A4222FBHF3

частка акцыі: 1013

Супраціўленне: 42.2 kOhms, Талерантнасць: ±1%, Магутнасць (Вт): 0.063W, 1/16W, Склад: Thin Film, Тэмпературны каэфіцыент: ±100ppm/°C,

Пажаданні
9T04021A4022FBHF3

9T04021A4022FBHF3

частка акцыі: 1079

Супраціўленне: 40.2 kOhms, Талерантнасць: ±1%, Магутнасць (Вт): 0.063W, 1/16W, Склад: Thin Film, Тэмпературны каэфіцыент: ±100ppm/°C,

Пажаданні
9T04021A3902FBHF3

9T04021A3902FBHF3

частка акцыі: 1058

Супраціўленне: 39 kOhms, Талерантнасць: ±1%, Магутнасць (Вт): 0.063W, 1/16W, Склад: Thin Film, Тэмпературны каэфіцыент: ±100ppm/°C,

Пажаданні
9T04021A3832FBHF3

9T04021A3832FBHF3

частка акцыі: 1073

Супраціўленне: 38.3 kOhms, Талерантнасць: ±1%, Магутнасць (Вт): 0.063W, 1/16W, Склад: Thin Film, Тэмпературны каэфіцыент: ±100ppm/°C,

Пажаданні
9T04021A3652FBHF3

9T04021A3652FBHF3

частка акцыі: 1066

Супраціўленне: 36.5 kOhms, Талерантнасць: ±1%, Магутнасць (Вт): 0.063W, 1/16W, Склад: Thin Film, Тэмпературны каэфіцыент: ±100ppm/°C,

Пажаданні
9T04021A3742FBHF3

9T04021A3742FBHF3

частка акцыі: 1060

Супраціўленне: 37.4 kOhms, Талерантнасць: ±1%, Магутнасць (Вт): 0.063W, 1/16W, Склад: Thin Film, Тэмпературны каэфіцыент: ±100ppm/°C,

Пажаданні