Чып-рэзістар - павярхоўнае мацаванне

9T04021A52R3FBHF3

9T04021A52R3FBHF3

частка акцыі: 747

Супраціўленне: 52.3 Ohms, Талерантнасць: ±1%, Магутнасць (Вт): 0.063W, 1/16W, Склад: Thin Film, Тэмпературны каэфіцыент: ±100ppm/°C,

Пажаданні
9T04021A53R6FBHF3

9T04021A53R6FBHF3

частка акцыі: 743

Супраціўленне: 53.6 Ohms, Талерантнасць: ±1%, Магутнасць (Вт): 0.063W, 1/16W, Склад: Thin Film, Тэмпературны каэфіцыент: ±100ppm/°C,

Пажаданні
9T04021A54R9FBHF3

9T04021A54R9FBHF3

частка акцыі: 728

Супраціўленне: 54.9 Ohms, Талерантнасць: ±1%, Магутнасць (Вт): 0.063W, 1/16W, Склад: Thin Film, Тэмпературны каэфіцыент: ±100ppm/°C,

Пажаданні
9T04021A51R1FBHF3

9T04021A51R1FBHF3

частка акцыі: 752

Супраціўленне: 51.1 Ohms, Талерантнасць: ±1%, Магутнасць (Вт): 0.063W, 1/16W, Склад: Thin Film, Тэмпературны каэфіцыент: ±100ppm/°C,

Пажаданні
9T04021A51R0FBHF3

9T04021A51R0FBHF3

частка акцыі: 792

Супраціўленне: 51 Ohms, Талерантнасць: ±1%, Магутнасць (Вт): 0.063W, 1/16W, Склад: Thin Film, Тэмпературны каэфіцыент: ±100ppm/°C,

Пажаданні
9T04021A47R0FBHF3

9T04021A47R0FBHF3

частка акцыі: 803

Супраціўленне: 47 Ohms, Талерантнасць: ±1%, Магутнасць (Вт): 0.063W, 1/16W, Склад: Thin Film, Тэмпературны каэфіцыент: ±100ppm/°C,

Пажаданні
9T04021A44R2FBHF3

9T04021A44R2FBHF3

частка акцыі: 753

Супраціўленне: 44.2 Ohms, Талерантнасць: ±1%, Магутнасць (Вт): 0.063W, 1/16W, Склад: Thin Film, Тэмпературны каэфіцыент: ±100ppm/°C,

Пажаданні
9T04021A46R4FBHF3

9T04021A46R4FBHF3

частка акцыі: 711

Супраціўленне: 46.4 Ohms, Талерантнасць: ±1%, Магутнасць (Вт): 0.063W, 1/16W, Склад: Thin Film, Тэмпературны каэфіцыент: ±100ppm/°C,

Пажаданні
9T04021A45R3FBHF3

9T04021A45R3FBHF3

частка акцыі: 784

Супраціўленне: 45.3 Ohms, Талерантнасць: ±1%, Магутнасць (Вт): 0.063W, 1/16W, Склад: Thin Film, Тэмпературны каэфіцыент: ±100ppm/°C,

Пажаданні
9T04021A42R2FBHF3

9T04021A42R2FBHF3

частка акцыі: 744

Супраціўленне: 42.2 Ohms, Талерантнасць: ±1%, Магутнасць (Вт): 0.063W, 1/16W, Склад: Thin Film, Тэмпературны каэфіцыент: ±100ppm/°C,

Пажаданні
9T04021A43R2FBHF3

9T04021A43R2FBHF3

частка акцыі: 722

Супраціўленне: 43.2 Ohms, Талерантнасць: ±1%, Магутнасць (Вт): 0.063W, 1/16W, Склад: Thin Film, Тэмпературны каэфіцыент: ±100ppm/°C,

Пажаданні
9T04021A43R0FBHF3

9T04021A43R0FBHF3

частка акцыі: 718

Супраціўленне: 43 Ohms, Талерантнасць: ±1%, Магутнасць (Вт): 0.063W, 1/16W, Склад: Thin Film, Тэмпературны каэфіцыент: ±100ppm/°C,

Пажаданні
9T04021A39R0FBHF3

9T04021A39R0FBHF3

частка акцыі: 728

Супраціўленне: 39 Ohms, Талерантнасць: ±1%, Магутнасць (Вт): 0.063W, 1/16W, Склад: Thin Film, Тэмпературны каэфіцыент: ±100ppm/°C,

Пажаданні
9T04021A39R2FBHF3

9T04021A39R2FBHF3

частка акцыі: 766

Супраціўленне: 39.2 Ohms, Талерантнасць: ±1%, Магутнасць (Вт): 0.063W, 1/16W, Склад: Thin Film, Тэмпературны каэфіцыент: ±100ppm/°C,

Пажаданні
9T04021A38R3FBHF3

9T04021A38R3FBHF3

частка акцыі: 751

Супраціўленне: 38.3 Ohms, Талерантнасць: ±1%, Магутнасць (Вт): 0.063W, 1/16W, Склад: Thin Film, Тэмпературны каэфіцыент: ±100ppm/°C,

Пажаданні
9T04021A40R2FBHF3

9T04021A40R2FBHF3

частка акцыі: 755

Супраціўленне: 40.2 Ohms, Талерантнасць: ±1%, Магутнасць (Вт): 0.063W, 1/16W, Склад: Thin Film, Тэмпературны каэфіцыент: ±100ppm/°C,

Пажаданні
9T04021A37R4FBHF3

9T04021A37R4FBHF3

частка акцыі: 734

Супраціўленне: 37.4 Ohms, Талерантнасць: ±1%, Магутнасць (Вт): 0.063W, 1/16W, Склад: Thin Film, Тэмпературны каэфіцыент: ±100ppm/°C,

Пажаданні
9T04021A35R7FBHF3

9T04021A35R7FBHF3

частка акцыі: 738

Супраціўленне: 35.7 Ohms, Талерантнасць: ±1%, Магутнасць (Вт): 0.063W, 1/16W, Склад: Thin Film, Тэмпературны каэфіцыент: ±100ppm/°C,

Пажаданні
9T04021A36R5FBHF3

9T04021A36R5FBHF3

частка акцыі: 695

Супраціўленне: 36.5 Ohms, Талерантнасць: ±1%, Магутнасць (Вт): 0.063W, 1/16W, Склад: Thin Film, Тэмпературны каэфіцыент: ±100ppm/°C,

Пажаданні
9T04021A36R0FBHF3

9T04021A36R0FBHF3

частка акцыі: 725

Супраціўленне: 36 Ohms, Талерантнасць: ±1%, Магутнасць (Вт): 0.063W, 1/16W, Склад: Thin Film, Тэмпературны каэфіцыент: ±100ppm/°C,

Пажаданні
9T04021A33R2FBHF3

9T04021A33R2FBHF3

частка акцыі: 783

Супраціўленне: 33.2 Ohms, Талерантнасць: ±1%, Магутнасць (Вт): 0.063W, 1/16W, Склад: Thin Film, Тэмпературны каэфіцыент: ±100ppm/°C,

Пажаданні
9T04021A34R8FBHF3

9T04021A34R8FBHF3

частка акцыі: 741

Супраціўленне: 34.8 Ohms, Талерантнасць: ±1%, Магутнасць (Вт): 0.063W, 1/16W, Склад: Thin Film, Тэмпературны каэфіцыент: ±100ppm/°C,

Пажаданні
9T04021A34R0FBHF3

9T04021A34R0FBHF3

частка акцыі: 756

Супраціўленне: 34 Ohms, Талерантнасць: ±1%, Магутнасць (Вт): 0.063W, 1/16W, Склад: Thin Film, Тэмпературны каэфіцыент: ±100ppm/°C,

Пажаданні
9T04021A30R1FBHF3

9T04021A30R1FBHF3

частка акцыі: 709

Супраціўленне: 30.1 Ohms, Талерантнасць: ±1%, Магутнасць (Вт): 0.063W, 1/16W, Склад: Thin Film, Тэмпературны каэфіцыент: ±100ppm/°C,

Пажаданні
9T04021A30R9FBHF3

9T04021A30R9FBHF3

частка акцыі: 4073

Супраціўленне: 30.9 Ohms, Талерантнасць: ±1%, Магутнасць (Вт): 0.063W, 1/16W, Склад: Thin Film, Тэмпературны каэфіцыент: ±100ppm/°C,

Пажаданні
9T04021A31R6FBHF3

9T04021A31R6FBHF3

частка акцыі: 734

Супраціўленне: 31.6 Ohms, Талерантнасць: ±1%, Магутнасць (Вт): 0.063W, 1/16W, Склад: Thin Film, Тэмпературны каэфіцыент: ±100ppm/°C,

Пажаданні
9T04021A32R4FBHF3

9T04021A32R4FBHF3

частка акцыі: 4095

Супраціўленне: 32.4 Ohms, Талерантнасць: ±1%, Магутнасць (Вт): 0.063W, 1/16W, Склад: Thin Film, Тэмпературны каэфіцыент: ±100ppm/°C,

Пажаданні
9T04021A29R4FBHF3

9T04021A29R4FBHF3

частка акцыі: 739

Супраціўленне: 29.4 Ohms, Талерантнасць: ±1%, Магутнасць (Вт): 0.063W, 1/16W, Склад: Thin Film, Тэмпературны каэфіцыент: ±100ppm/°C,

Пажаданні
9T04021A28R7FBHF3

9T04021A28R7FBHF3

частка акцыі: 767

Супраціўленне: 28.7 Ohms, Талерантнасць: ±1%, Магутнасць (Вт): 0.063W, 1/16W, Склад: Thin Film, Тэмпературны каэфіцыент: ±100ppm/°C,

Пажаданні
9T04021A28R0FBHF3

9T04021A28R0FBHF3

частка акцыі: 702

Супраціўленне: 28 Ohms, Талерантнасць: ±1%, Магутнасць (Вт): 0.063W, 1/16W, Склад: Thin Film, Тэмпературны каэфіцыент: ±100ppm/°C,

Пажаданні
9T04021A30R0FBHF3

9T04021A30R0FBHF3

частка акцыі: 739

Супраціўленне: 30 Ohms, Талерантнасць: ±1%, Магутнасць (Вт): 0.063W, 1/16W, Склад: Thin Film, Тэмпературны каэфіцыент: ±100ppm/°C,

Пажаданні
9T04021A27R0FBHF3

9T04021A27R0FBHF3

частка акцыі: 711

Супраціўленне: 27 Ohms, Талерантнасць: ±1%, Магутнасць (Вт): 0.063W, 1/16W, Склад: Thin Film, Тэмпературны каэфіцыент: ±100ppm/°C,

Пажаданні
9T04021A26R1FBHF3

9T04021A26R1FBHF3

частка акцыі: 733

Супраціўленне: 26.1 Ohms, Талерантнасць: ±1%, Магутнасць (Вт): 0.063W, 1/16W, Склад: Thin Film, Тэмпературны каэфіцыент: ±100ppm/°C,

Пажаданні
9T04021A26R7FBHF3

9T04021A26R7FBHF3

частка акцыі: 772

Супраціўленне: 26.7 Ohms, Талерантнасць: ±1%, Магутнасць (Вт): 0.063W, 1/16W, Склад: Thin Film, Тэмпературны каэфіцыент: ±100ppm/°C,

Пажаданні
9T04021A24R0FBHF3

9T04021A24R0FBHF3

частка акцыі: 691

Супраціўленне: 24 Ohms, Талерантнасць: ±1%, Магутнасць (Вт): 0.063W, 1/16W, Склад: Thin Film, Тэмпературны каэфіцыент: ±100ppm/°C,

Пажаданні
9T04021A24R3FBHF3

9T04021A24R3FBHF3

частка акцыі: 692

Супраціўленне: 24.3 Ohms, Талерантнасць: ±1%, Магутнасць (Вт): 0.063W, 1/16W, Склад: Thin Film, Тэмпературны каэфіцыент: ±100ppm/°C,

Пажаданні