Чып-рэзістар - павярхоўнае мацаванне

9T04021A24R9FBHF3

9T04021A24R9FBHF3

частка акцыі: 704

Супраціўленне: 24.9 Ohms, Талерантнасць: ±1%, Магутнасць (Вт): 0.063W, 1/16W, Склад: Thin Film, Тэмпературны каэфіцыент: ±100ppm/°C,

Пажаданні
9T04021A25R5FBHF3

9T04021A25R5FBHF3

частка акцыі: 774

Супраціўленне: 25.5 Ohms, Талерантнасць: ±1%, Магутнасць (Вт): 0.063W, 1/16W, Склад: Thin Film, Тэмпературны каэфіцыент: ±100ppm/°C,

Пажаданні
9T04021A22R6FBHF3

9T04021A22R6FBHF3

частка акцыі: 7422

Супраціўленне: 22.6 Ohms, Талерантнасць: ±1%, Магутнасць (Вт): 0.063W, 1/16W, Склад: Thin Film, Тэмпературны каэфіцыент: ±100ppm/°C,

Пажаданні
9T04021A23R7FBHF3

9T04021A23R7FBHF3

частка акцыі: 716

Супраціўленне: 23.7 Ohms, Талерантнасць: ±1%, Магутнасць (Вт): 0.063W, 1/16W, Склад: Thin Film, Тэмпературны каэфіцыент: ±100ppm/°C,

Пажаданні
9T04021A23R2FBHF3

9T04021A23R2FBHF3

частка акцыі: 714

Супраціўленне: 23.2 Ohms, Талерантнасць: ±1%, Магутнасць (Вт): 0.063W, 1/16W, Склад: Thin Film, Тэмпературны каэфіцыент: ±100ppm/°C,

Пажаданні
9T04021A22R1FBHF3

9T04021A22R1FBHF3

частка акцыі: 705

Супраціўленне: 22.1 Ohms, Талерантнасць: ±1%, Магутнасць (Вт): 0.063W, 1/16W, Склад: Thin Film, Тэмпературны каэфіцыент: ±100ppm/°C,

Пажаданні
9T04021A21R5FBHF3

9T04021A21R5FBHF3

частка акцыі: 734

Супраціўленне: 21.5 Ohms, Талерантнасць: ±1%, Магутнасць (Вт): 0.063W, 1/16W, Склад: Thin Film, Тэмпературны каэфіцыент: ±100ppm/°C,

Пажаданні
9T04021A20R5FBHF3

9T04021A20R5FBHF3

частка акцыі: 766

Супраціўленне: 20.5 Ohms, Талерантнасць: ±1%, Магутнасць (Вт): 0.063W, 1/16W, Склад: Thin Film, Тэмпературны каэфіцыент: ±100ppm/°C,

Пажаданні
9T04021A21R0FBHF3

9T04021A21R0FBHF3

частка акцыі: 739

Супраціўленне: 21 Ohms, Талерантнасць: ±1%, Магутнасць (Вт): 0.063W, 1/16W, Склад: Thin Film, Тэмпературны каэфіцыент: ±100ppm/°C,

Пажаданні
9T04021A19R6FBHF3

9T04021A19R6FBHF3

частка акцыі: 763

Супраціўленне: 19.6 Ohms, Талерантнасць: ±1%, Магутнасць (Вт): 0.063W, 1/16W, Склад: Thin Film, Тэмпературны каэфіцыент: ±100ppm/°C,

Пажаданні
9T04021A20R0FBHF3

9T04021A20R0FBHF3

частка акцыі: 682

Супраціўленне: 20 Ohms, Талерантнасць: ±1%, Магутнасць (Вт): 0.063W, 1/16W, Склад: Thin Film, Тэмпературны каэфіцыент: ±100ppm/°C,

Пажаданні
9T04021A19R1FBHF3

9T04021A19R1FBHF3

частка акцыі: 754

Супраціўленне: 19.1 Ohms, Талерантнасць: ±1%, Магутнасць (Вт): 0.063W, 1/16W, Склад: Thin Film, Тэмпературны каэфіцыент: ±100ppm/°C,

Пажаданні
9T04021A18R7FBHF3

9T04021A18R7FBHF3

частка акцыі: 764

Супраціўленне: 18.7 Ohms, Талерантнасць: ±1%, Магутнасць (Вт): 0.063W, 1/16W, Склад: Thin Film, Тэмпературны каэфіцыент: ±100ppm/°C,

Пажаданні
9T04021A17R8FBHF3

9T04021A17R8FBHF3

частка акцыі: 705

Супраціўленне: 17.8 Ohms, Талерантнасць: ±1%, Магутнасць (Вт): 0.063W, 1/16W, Склад: Thin Film, Тэмпературны каэфіцыент: ±100ppm/°C,

Пажаданні
9T04021A17R4FBHF3

9T04021A17R4FBHF3

частка акцыі: 717

Супраціўленне: 17.4 Ohms, Талерантнасць: ±1%, Магутнасць (Вт): 0.063W, 1/16W, Склад: Thin Film, Тэмпературны каэфіцыент: ±100ppm/°C,

Пажаданні
9T04021A16R2FBHF3

9T04021A16R2FBHF3

частка акцыі: 678

Супраціўленне: 16.2 Ohms, Талерантнасць: ±1%, Магутнасць (Вт): 0.063W, 1/16W, Склад: Thin Film, Тэмпературны каэфіцыент: ±100ppm/°C,

Пажаданні
9T04021A16R9FBHF3

9T04021A16R9FBHF3

частка акцыі: 717

Супраціўленне: 16.9 Ohms, Талерантнасць: ±1%, Магутнасць (Вт): 0.063W, 1/16W, Склад: Thin Film, Тэмпературны каэфіцыент: ±100ppm/°C,

Пажаданні
9T04021A16R5FBHF3

9T04021A16R5FBHF3

частка акцыі: 732

Супраціўленне: 16.5 Ohms, Талерантнасць: ±1%, Магутнасць (Вт): 0.063W, 1/16W, Склад: Thin Film, Тэмпературны каэфіцыент: ±100ppm/°C,

Пажаданні
9T04021A16R0FBHF3

9T04021A16R0FBHF3

частка акцыі: 743

Супраціўленне: 16 Ohms, Талерантнасць: ±1%, Магутнасць (Вт): 0.063W, 1/16W, Склад: Thin Film, Тэмпературны каэфіцыент: ±100ppm/°C,

Пажаданні
9T04021A15R0FBHF3

9T04021A15R0FBHF3

частка акцыі: 724

Супраціўленне: 15 Ohms, Талерантнасць: ±1%, Магутнасць (Вт): 0.063W, 1/16W, Склад: Thin Film, Тэмпературны каэфіцыент: ±100ppm/°C,

Пажаданні
9T04021A15R8FBHF3

9T04021A15R8FBHF3

частка акцыі: 739

Супраціўленне: 15.8 Ohms, Талерантнасць: ±1%, Магутнасць (Вт): 0.063W, 1/16W, Склад: Thin Film, Тэмпературны каэфіцыент: ±100ppm/°C,

Пажаданні
9T04021A14R7FBHF3

9T04021A14R7FBHF3

частка акцыі: 755

Супраціўленне: 14.7 Ohms, Талерантнасць: ±1%, Магутнасць (Вт): 0.063W, 1/16W, Склад: Thin Film, Тэмпературны каэфіцыент: ±100ppm/°C,

Пажаданні
9T04021A15R4FBHF3

9T04021A15R4FBHF3

частка акцыі: 694

Супраціўленне: 15.4 Ohms, Талерантнасць: ±1%, Магутнасць (Вт): 0.063W, 1/16W, Склад: Thin Film, Тэмпературны каэфіцыент: ±100ppm/°C,

Пажаданні
9T04021A14R3FBHF3

9T04021A14R3FBHF3

частка акцыі: 715

Супраціўленне: 14.3 Ohms, Талерантнасць: ±1%, Магутнасць (Вт): 0.063W, 1/16W, Склад: Thin Film, Тэмпературны каэфіцыент: ±100ppm/°C,

Пажаданні
9T04021A13R3FBHF3

9T04021A13R3FBHF3

частка акцыі: 713

Супраціўленне: 13.3 Ohms, Талерантнасць: ±1%, Магутнасць (Вт): 0.063W, 1/16W, Склад: Thin Film, Тэмпературны каэфіцыент: ±100ppm/°C,

Пажаданні
9T04021A12R7FBHF3

9T04021A12R7FBHF3

частка акцыі: 689

Супраціўленне: 12.7 Ohms, Талерантнасць: ±1%, Магутнасць (Вт): 0.063W, 1/16W, Склад: Thin Film, Тэмпературны каэфіцыент: ±100ppm/°C,

Пажаданні
9T04021A12R1FBHF3

9T04021A12R1FBHF3

частка акцыі: 753

Супраціўленне: 12.1 Ohms, Талерантнасць: ±1%, Магутнасць (Вт): 0.063W, 1/16W, Склад: Thin Film, Тэмпературны каэфіцыент: ±100ppm/°C,

Пажаданні
9T04021A13R0FBHF3

9T04021A13R0FBHF3

частка акцыі: 740

Супраціўленне: 13 Ohms, Талерантнасць: ±1%, Магутнасць (Вт): 0.063W, 1/16W, Склад: Thin Film, Тэмпературны каэфіцыент: ±100ppm/°C,

Пажаданні
9T04021A12R4FBHF3

9T04021A12R4FBHF3

частка акцыі: 753

Супраціўленне: 12.4 Ohms, Талерантнасць: ±1%, Магутнасць (Вт): 0.063W, 1/16W, Склад: Thin Film, Тэмпературны каэфіцыент: ±100ppm/°C,

Пажаданні
9T04021A11R3FBHF3

9T04021A11R3FBHF3

частка акцыі: 702

Супраціўленне: 11.3 Ohms, Талерантнасць: ±1%, Магутнасць (Вт): 0.063W, 1/16W, Склад: Thin Film, Тэмпературны каэфіцыент: ±100ppm/°C,

Пажаданні
9T04021A12R0FBHF3

9T04021A12R0FBHF3

частка акцыі: 705

Супраціўленне: 12 Ohms, Талерантнасць: ±1%, Магутнасць (Вт): 0.063W, 1/16W, Склад: Thin Film, Тэмпературны каэфіцыент: ±100ppm/°C,

Пажаданні
9T04021A11R8FBHF3

9T04021A11R8FBHF3

частка акцыі: 4128

Супраціўленне: 11.8 Ohms, Талерантнасць: ±1%, Магутнасць (Вт): 0.063W, 1/16W, Склад: Thin Film, Тэмпературны каэфіцыент: ±100ppm/°C,

Пажаданні
9T04021A10R2FBHF3

9T04021A10R2FBHF3

частка акцыі: 697

Супраціўленне: 10.2 Ohms, Талерантнасць: ±1%, Магутнасць (Вт): 0.063W, 1/16W, Склад: Thin Film, Тэмпературны каэфіцыент: ±100ppm/°C,

Пажаданні
9T04021A10R7FBHF3

9T04021A10R7FBHF3

частка акцыі: 740

Супраціўленне: 10.7 Ohms, Талерантнасць: ±1%, Магутнасць (Вт): 0.063W, 1/16W, Склад: Thin Film, Тэмпературны каэфіцыент: ±100ppm/°C,

Пажаданні
9T04021A11R0FBHF3

9T04021A11R0FBHF3

частка акцыі: 718

Супраціўленне: 11 Ohms, Талерантнасць: ±1%, Магутнасць (Вт): 0.063W, 1/16W, Склад: Thin Film, Тэмпературны каэфіцыент: ±100ppm/°C,

Пажаданні
9T04021A10R5FBHF3

9T04021A10R5FBHF3

частка акцыі: 748

Супраціўленне: 10.5 Ohms, Талерантнасць: ±1%, Магутнасць (Вт): 0.063W, 1/16W, Склад: Thin Film, Тэмпературны каэфіцыент: ±100ppm/°C,

Пажаданні