Menu
БеларусьБеларусь
RFQS / Заказ
0RFQS / Заказ

Лагіка - памяць FIFO

72V205L15PFGI8
IDT, Integrated Device Technology Inc

72V205L15PFGI8

частка акцыі: 6726

Памер памяці: 4.5K (256 x 18), Функцыя: Synchronous, Хуткасць перадачы дадзеных: 66.7MHz, Час доступу: 10ns, Напружанне - харчаванне: 3V ~ 3.6V, Ток - запас (макс.): 30mA,

Пажаданні
72205LB10PFG8
IDT, Integrated Device Technology Inc

72205LB10PFG8

частка акцыі: 6727

Памер памяці: 4.5K (256 x 18), Функцыя: Synchronous, Хуткасць перадачы дадзеных: 100MHz, Час доступу: 6.5ns, Напружанне - харчаванне: 4.5V ~ 5.5V, Ток - запас (макс.): 60mA,

Пажаданні
72211L10JG8
IDT, Integrated Device Technology Inc

72211L10JG8

частка акцыі: 6752

Памер памяці: 4.5K (512 x 9), Функцыя: Synchronous, Хуткасць перадачы дадзеных: 100MHz, Час доступу: 6.5ns, Напружанне - харчаванне: 4.5V ~ 5.5V, Ток - запас (макс.): 35mA,

Пажаданні
72V205L10PFG8
IDT, Integrated Device Technology Inc

72V205L10PFG8

частка акцыі: 6757

Памер памяці: 4.5K (256 x 18), Функцыя: Synchronous, Хуткасць перадачы дадзеных: 100MHz, Час доступу: 6.5ns, Напружанне - харчаванне: 3V ~ 3.6V, Ток - запас (макс.): 30mA,

Пажаданні
7282L12PAG8
IDT, Integrated Device Technology Inc

7282L12PAG8

частка акцыі: 6746

Памер памяці: 18K (1K x 9 x 2), Функцыя: Asynchronous, Хуткасць перадачы дадзеных: 50MHz, Час доступу: 12ns, Напружанне - харчаванне: 4.5V ~ 5.5V, Ток - запас (макс.): 125mA,

Пажаданні
72V81L15PAG
IDT, Integrated Device Technology Inc

72V81L15PAG

частка акцыі: 6782

Памер памяці: 9K (512 x 9 x 2), Функцыя: Asynchronous, Хуткасць перадачы дадзеных: 40MHz, Час доступу: 15ns, Напружанне - харчаванне: 3V ~ 3.6V, Ток - запас (макс.): 100mA,

Пажаданні
72V04L15JG8
IDT, Integrated Device Technology Inc

72V04L15JG8

частка акцыі: 6948

Памер памяці: 36K (4K x 9), Функцыя: Asynchronous, Хуткасць перадачы дадзеных: 40MHz, Час доступу: 15ns, Напружанне - харчаванне: 3V ~ 3.6V, Ток - запас (макс.): 60mA,

Пажаданні
72V205L10TFG8
IDT, Integrated Device Technology Inc

72V205L10TFG8

частка акцыі: 7008

Памер памяці: 4.5K (256 x 18), Функцыя: Synchronous, Хуткасць перадачы дадзеных: 100MHz, Час доступу: 6.5ns, Напружанне - харчаванне: 3V ~ 3.6V, Ток - запас (макс.): 30mA,

Пажаданні
72V201L10PFG
IDT, Integrated Device Technology Inc

72V201L10PFG

частка акцыі: 7084

Памер памяці: 2.25K (256 x 9), Функцыя: Synchronous, Хуткасць перадачы дадзеных: 100MHz, Час доступу: 6.5ns, Напружанне - харчаванне: 3V ~ 3.6V, Ток - запас (макс.): 20mA,

Пажаданні
72201L10PFG
IDT, Integrated Device Technology Inc

72201L10PFG

частка акцыі: 7059

Памер памяці: 2.25K (256 x 9), Функцыя: Synchronous, Хуткасць перадачы дадзеных: 100MHz, Час доступу: 6.5ns, Напружанне - харчаванне: 4.5V ~ 5.5V, Ток - запас (макс.): 35mA,

Пажаданні
72V201L15PFGI
IDT, Integrated Device Technology Inc

72V201L15PFGI

частка акцыі: 7031

Памер памяці: 2.25K (256 x 9), Функцыя: Synchronous, Хуткасць перадачы дадзеных: 66.7MHz, Час доступу: 10ns, Напружанне - харчаванне: 3V ~ 3.6V, Ток - запас (макс.): 20mA,

Пажаданні
72V211L15PFGI8
IDT, Integrated Device Technology Inc

72V211L15PFGI8

частка акцыі: 97

Памер памяці: 4.5K (512 x 9), Функцыя: Synchronous, Хуткасць перадачы дадзеных: 66.7MHz, Час доступу: 10ns, Напружанне - харчаванне: 3V ~ 3.6V, Ток - запас (макс.): 20mA,

Пажаданні
72211L10PFG8
IDT, Integrated Device Technology Inc

72211L10PFG8

частка акцыі: 7117

Памер памяці: 4.5K (512 x 9), Функцыя: Synchronous, Хуткасць перадачы дадзеных: 100MHz, Час доступу: 6.5ns, Напружанне - харчаванне: 4.5V ~ 5.5V, Ток - запас (макс.): 35mA,

Пажаданні
72211L15PFGI8
IDT, Integrated Device Technology Inc

72211L15PFGI8

частка акцыі: 7056

Памер памяці: 4.5K (512 x 9), Функцыя: Synchronous, Хуткасць перадачы дадзеных: 66.7MHz, Час доступу: 10ns, Напружанне - харчаванне: 4.5V ~ 5.5V, Ток - запас (макс.): 35mA,

Пажаданні
72V211L10PFG8
IDT, Integrated Device Technology Inc

72V211L10PFG8

частка акцыі: 7061

Памер памяці: 4.5K (512 x 9), Функцыя: Synchronous, Хуткасць перадачы дадзеных: 100MHz, Час доступу: 6.5ns, Напружанне - харчаванне: 3V ~ 3.6V, Ток - запас (макс.): 20mA,

Пажаданні
72V221L15PFG8
IDT, Integrated Device Technology Inc

72V221L15PFG8

частка акцыі: 7097

Памер памяці: 9K (1K x 9), Функцыя: Synchronous, Хуткасць перадачы дадзеных: 66.7MHz, Час доступу: 10ns, Напружанне - харчаванне: 3V ~ 3.6V, Ток - запас (макс.): 20mA,

Пажаданні
72V03L15JG
IDT, Integrated Device Technology Inc

72V03L15JG

частка акцыі: 7222

Памер памяці: 18K (2K x 9), Функцыя: Asynchronous, Хуткасць перадачы дадзеных: 40MHz, Час доступу: 15ns, Напружанне - харчаванне: 3V ~ 3.6V, Ток - запас (макс.): 60mA,

Пажаданні
7203L12JG
IDT, Integrated Device Technology Inc

7203L12JG

частка акцыі: 7258

Памер памяці: 18K (2K x 9), Функцыя: Asynchronous, Хуткасць перадачы дадзеных: 50MHz, Час доступу: 12ns, Напружанне - харчаванне: 4.5V ~ 5.5V, Ток - запас (макс.): 120mA,

Пажаданні
72V04L25JGI8
IDT, Integrated Device Technology Inc

72V04L25JGI8

частка акцыі: 7381

Памер памяці: 36K (4K x 9), Функцыя: Asynchronous, Хуткасць перадачы дадзеных: 28.5MHz, Час доступу: 25ns, Напружанне - харчаванне: 3V ~ 3.6V, Ток - запас (макс.): 60mA,

Пажаданні
72V03L25J
IDT, Integrated Device Technology Inc

72V03L25J

частка акцыі: 7387

Памер памяці: 18K (2K x 9), Функцыя: Asynchronous, Хуткасць перадачы дадзеных: 28.5MHz, Час доступу: 25ns, Напружанне - харчаванне: 3V ~ 3.6V, Ток - запас (макс.): 60mA,

Пажаданні
7204L12SOG8
IDT, Integrated Device Technology Inc

7204L12SOG8

частка акцыі: 7390

Памер памяці: 36K (4K x 9), Функцыя: Asynchronous, Хуткасць перадачы дадзеных: 50MHz, Час доступу: 12ns, Напружанне - харчаванне: 4.5V ~ 5.5V, Ток - запас (макс.): 120mA,

Пажаданні
7204L15SOGI8
IDT, Integrated Device Technology Inc

7204L15SOGI8

частка акцыі: 7482

Памер памяці: 36K (4K x 9), Функцыя: Asynchronous, Хуткасць перадачы дадзеных: 40MHz, Час доступу: 15ns, Напружанне - харчаванне: 4.5V ~ 5.5V, Ток - запас (макс.): 120mA,

Пажаданні
72V82L15PAG8
IDT, Integrated Device Technology Inc

72V82L15PAG8

частка акцыі: 7533

Памер памяці: 18K (1K x 9 x 2), Функцыя: Asynchronous, Хуткасць перадачы дадзеных: 40MHz, Час доступу: 15ns, Напружанне - харчаванне: 3V ~ 3.6V, Ток - запас (макс.): 100mA,

Пажаданні
72V82L20PAGI8
IDT, Integrated Device Technology Inc

72V82L20PAGI8

частка акцыі: 182

Памер памяці: 18K (1K x 9 x 2), Функцыя: Asynchronous, Хуткасць перадачы дадзеных: 33.3MHz, Час доступу: 20ns, Напружанне - харчаванне: 3V ~ 3.6V, Ток - запас (макс.): 100mA,

Пажаданні
72201L10JG8
IDT, Integrated Device Technology Inc

72201L10JG8

частка акцыі: 7555

Памер памяці: 2.25K (256 x 9), Функцыя: Synchronous, Хуткасць перадачы дадзеных: 100MHz, Час доступу: 6.5ns, Напружанне - харчаванне: 4.5V ~ 5.5V, Ток - запас (макс.): 35mA,

Пажаданні
7204L12JG8
IDT, Integrated Device Technology Inc

7204L12JG8

частка акцыі: 7692

Памер памяці: 36K (4K x 9), Функцыя: Asynchronous, Хуткасць перадачы дадзеных: 50MHz, Час доступу: 12ns, Напружанне - харчаванне: 4.5V ~ 5.5V, Ток - запас (макс.): 120mA,

Пажаданні
72V03L25JGI
IDT, Integrated Device Technology Inc

72V03L25JGI

частка акцыі: 7766

Памер памяці: 18K (2K x 9), Функцыя: Asynchronous, Хуткасць перадачы дадзеных: 28.5MHz, Час доступу: 25ns, Напружанне - харчаванне: 3V ~ 3.6V, Ток - запас (макс.): 60mA,

Пажаданні
7280L12PAG8
IDT, Integrated Device Technology Inc

7280L12PAG8

частка акцыі: 7822

Памер памяці: 4.6K (256 x 9 x 2), Функцыя: Asynchronous, Хуткасць перадачы дадзеных: 50MHz, Час доступу: 12ns, Напружанне - харчаванне: 4.5V ~ 5.5V, Ток - запас (макс.): 125mA,

Пажаданні
7281L12PAG8
IDT, Integrated Device Technology Inc

7281L12PAG8

частка акцыі: 7879

Памер памяці: 9K (512 x 9 x 2), Функцыя: Asynchronous, Хуткасць перадачы дадзеных: 50MHz, Час доступу: 12ns, Напружанне - харчаванне: 4.5V ~ 5.5V, Ток - запас (макс.): 125mA,

Пажаданні
7281L15PAGI8
IDT, Integrated Device Technology Inc

7281L15PAGI8

частка акцыі: 7884

Памер памяці: 9K (512 x 9 x 2), Функцыя: Asynchronous, Хуткасць перадачы дадзеных: 40MHz, Час доступу: 15ns, Напружанне - харчаванне: 4.5V ~ 5.5V, Ток - запас (макс.): 125mA,

Пажаданні
7202LA15SOGI
IDT, Integrated Device Technology Inc

7202LA15SOGI

частка акцыі: 7884

Памер памяці: 9K (1K x 9), Функцыя: Asynchronous, Хуткасць перадачы дадзеных: 40MHz, Час доступу: 15ns, Напружанне - харчаванне: 4.5V ~ 5.5V, Ток - запас (макс.): 80mA,

Пажаданні
7202LA12SOG
IDT, Integrated Device Technology Inc

7202LA12SOG

частка акцыі: 7896

Памер памяці: 9K (1K x 9), Функцыя: Asynchronous, Хуткасць перадачы дадзеных: 50MHz, Час доступу: 12ns, Напружанне - харчаванне: 4.5V ~ 5.5V, Ток - запас (макс.): 80mA,

Пажаданні
72V02L15JG
IDT, Integrated Device Technology Inc

72V02L15JG

частка акцыі: 7980

Памер памяці: 9K (1K x 9), Функцыя: Asynchronous, Хуткасць перадачы дадзеных: 40MHz, Час доступу: 15ns, Напружанне - харчаванне: 3V ~ 3.6V, Ток - запас (макс.): 60mA,

Пажаданні
7204L35J
IDT, Integrated Device Technology Inc

7204L35J

частка акцыі: 7969

Памер памяці: 36K (4K x 9), Функцыя: Asynchronous, Хуткасць перадачы дадзеных: 22.22MHz, Час доступу: 35ns, Напружанне - харчаванне: 4.5V ~ 5.5V, Ток - запас (макс.): 120mA,

Пажаданні
7203L12PDG
IDT, Integrated Device Technology Inc

7203L12PDG

частка акцыі: 159

Памер памяці: 18K (2K x 9), Функцыя: Asynchronous, Хуткасць перадачы дадзеных: 50MHz, Час доступу: 12ns, Напружанне - харчаванне: 4.5V ~ 5.5V, Ток - запас (макс.): 120mA,

Пажаданні
7203L15JGI
IDT, Integrated Device Technology Inc

7203L15JGI

частка акцыі: 8097

Памер памяці: 18K (2K x 9), Функцыя: Asynchronous, Хуткасць перадачы дадзеных: 40MHz, Час доступу: 15ns, Напружанне - харчаванне: 4.5V ~ 5.5V, Ток - запас (макс.): 120mA,

Пажаданні