Menu
БеларусьБеларусь
RFQS / Заказ
0RFQS / Заказ

Лагіка - памяць FIFO

72V215L15TFGI
IDT, Integrated Device Technology Inc

72V215L15TFGI

частка акцыі: 4775

Памер памяці: 9K (512 x 18), Функцыя: Synchronous, Хуткасць перадачы дадзеных: 66.7MHz, Час доступу: 10ns, Напружанне - харчаванне: 3V ~ 3.6V, Ток - запас (макс.): 30mA,

Пажаданні
72215LB15PFGI
IDT, Integrated Device Technology Inc

72215LB15PFGI

частка акцыі: 4745

Памер памяці: 9K (512 x 18), Функцыя: Synchronous, Хуткасць перадачы дадзеных: 66.7MHz, Час доступу: 10ns, Напружанне - харчаванне: 4.5V ~ 5.5V, Ток - запас (макс.): 60mA,

Пажаданні
72V05L25JGI
IDT, Integrated Device Technology Inc

72V05L25JGI

частка акцыі: 4742

Памер памяці: 72K (8K x 9), Функцыя: Asynchronous, Хуткасць перадачы дадзеных: 28.5MHz, Час доступу: 25ns, Напружанне - харчаванне: 3V ~ 3.6V, Ток - запас (макс.): 75mA,

Пажаданні
72231L10PFG
IDT, Integrated Device Technology Inc

72231L10PFG

частка акцыі: 107

Памер памяці: 18K (2K x 9), Функцыя: Synchronous, Хуткасць перадачы дадзеных: 100MHz, Час доступу: 6.5ns, Напружанне - харчаванне: 4.5V ~ 5.5V, Ток - запас (макс.): 35mA,

Пажаданні
72225LB10TFG
IDT, Integrated Device Technology Inc

72225LB10TFG

частка акцыі: 4815

Памер памяці: 18K (1K x 18), Функцыя: Synchronous, Хуткасць перадачы дадзеных: 100MHz, Час доступу: 6.5ns, Напружанне - харчаванне: 4.5V ~ 5.5V, Ток - запас (макс.): 60mA,

Пажаданні
72225LB15TFGI
IDT, Integrated Device Technology Inc

72225LB15TFGI

частка акцыі: 4752

Памер памяці: 18K (1K x 18), Функцыя: Synchronous, Хуткасць перадачы дадзеных: 66.7MHz, Час доступу: 10ns, Напружанне - харчаванне: 4.5V ~ 5.5V, Ток - запас (макс.): 60mA,

Пажаданні
72V231L15PFGI
IDT, Integrated Device Technology Inc

72V231L15PFGI

частка акцыі: 4830

Памер памяці: 18K (2K x 9), Функцыя: Synchronous, Хуткасць перадачы дадзеных: 66.7MHz, Час доступу: 10ns, Напружанне - харчаванне: 3V ~ 3.6V, Ток - запас (макс.): 20mA,

Пажаданні
72V231L10PFG
IDT, Integrated Device Technology Inc

72V231L10PFG

частка акцыі: 4806

Памер памяці: 18K (2K x 9), Функцыя: Synchronous, Хуткасць перадачы дадзеных: 100MHz, Час доступу: 6.5ns, Напружанне - харчаванне: 3V ~ 3.6V, Ток - запас (макс.): 20mA,

Пажаданні
72225LB10JG8
IDT, Integrated Device Technology Inc

72225LB10JG8

частка акцыі: 87

Памер памяці: 18K (1K x 18), Функцыя: Synchronous, Хуткасць перадачы дадзеных: 100MHz, Час доступу: 6.5ns, Напружанне - харчаванне: 4.5V ~ 5.5V, Ток - запас (макс.): 60mA,

Пажаданні
7205L12JG
IDT, Integrated Device Technology Inc

7205L12JG

частка акцыі: 4957

Памер памяці: 72K (8K x 9), Функцыя: Asynchronous, Хуткасць перадачы дадзеных: 50MHz, Час доступу: 12ns, Напружанне - харчаванне: 4.5V ~ 5.5V, Ток - запас (макс.): 120mA,

Пажаданні
7205L12PDG
IDT, Integrated Device Technology Inc

7205L12PDG

частка акцыі: 5023

Памер памяці: 72K (8K x 9), Функцыя: Asynchronous, Хуткасць перадачы дадзеных: 50MHz, Час доступу: 12ns, Напружанне - харчаванне: 4.5V ~ 5.5V, Ток - запас (макс.): 120mA,

Пажаданні
7205L12TPG
IDT, Integrated Device Technology Inc

7205L12TPG

частка акцыі: 4901

Памер памяці: 72K (8K x 9), Функцыя: Asynchronous, Хуткасць перадачы дадзеных: 50MHz, Час доступу: 12ns, Напружанне - харчаванне: 4.5V ~ 5.5V, Ток - запас (макс.): 120mA,

Пажаданні
7205L15TPGI
IDT, Integrated Device Technology Inc

7205L15TPGI

частка акцыі: 4913

Памер памяці: 72K (8K x 9), Функцыя: Asynchronous, Хуткасць перадачы дадзеных: 40MHz, Час доступу: 15ns, Напружанне - харчаванне: 4.5V ~ 5.5V, Ток - запас (макс.): 120mA,

Пажаданні
72V04L15JG
IDT, Integrated Device Technology Inc

72V04L15JG

частка акцыі: 5127

Памер памяці: 36K (4K x 9), Функцыя: Asynchronous, Хуткасць перадачы дадзеных: 40MHz, Час доступу: 15ns, Напружанне - харчаванне: 3V ~ 3.6V, Ток - запас (макс.): 60mA,

Пажаданні
7282L12PAG
IDT, Integrated Device Technology Inc

7282L12PAG

частка акцыі: 5107

Памер памяці: 18K (1K x 9 x 2), Функцыя: Asynchronous, Хуткасць перадачы дадзеных: 50MHz, Час доступу: 12ns, Напружанне - харчаванне: 4.5V ~ 5.5V, Ток - запас (макс.): 125mA,

Пажаданні
72V82L15PAG
IDT, Integrated Device Technology Inc

72V82L15PAG

частка акцыі: 5267

Памер памяці: 18K (1K x 9 x 2), Функцыя: Asynchronous, Хуткасць перадачы дадзеных: 40MHz, Час доступу: 15ns, Напружанне - харчаванне: 3V ~ 3.6V, Ток - запас (макс.): 100mA,

Пажаданні
72225LB15PFGI8
IDT, Integrated Device Technology Inc

72225LB15PFGI8

частка акцыі: 5314

Памер памяці: 18K (1K x 18), Функцыя: Synchronous, Хуткасць перадачы дадзеных: 66.7MHz, Час доступу: 10ns, Напружанне - харчаванне: 4.5V ~ 5.5V, Ток - запас (макс.): 60mA,

Пажаданні
72V225L10PFG8
IDT, Integrated Device Technology Inc

72V225L10PFG8

частка акцыі: 5349

Памер памяці: 18K (1K x 18), Функцыя: Synchronous, Хуткасць перадачы дадзеных: 100MHz, Час доступу: 6.5ns, Напружанне - харчаванне: 3V ~ 3.6V, Ток - запас (макс.): 30mA,

Пажаданні
72231L10JG8
IDT, Integrated Device Technology Inc

72231L10JG8

частка акцыі: 5342

Памер памяці: 18K (2K x 9), Функцыя: Synchronous, Хуткасць перадачы дадзеных: 100MHz, Час доступу: 6.5ns, Напружанне - харчаванне: 4.5V ~ 5.5V, Ток - запас (макс.): 35mA,

Пажаданні
72225LB10PFG8
IDT, Integrated Device Technology Inc

72225LB10PFG8

частка акцыі: 5289

Памер памяці: 18K (1K x 18), Функцыя: Synchronous, Хуткасць перадачы дадзеных: 100MHz, Час доступу: 6.5ns, Напружанне - харчаванне: 4.5V ~ 5.5V, Ток - запас (макс.): 60mA,

Пажаданні
72225LB10TFG8
IDT, Integrated Device Technology Inc

72225LB10TFG8

частка акцыі: 5305

Памер памяці: 18K (1K x 18), Функцыя: Synchronous, Хуткасць перадачы дадзеных: 100MHz, Час доступу: 6.5ns, Напружанне - харчаванне: 4.5V ~ 5.5V, Ток - запас (макс.): 60mA,

Пажаданні
72V225L10TFG8
IDT, Integrated Device Technology Inc

72V225L10TFG8

частка акцыі: 5363

Памер памяці: 18K (1K x 18), Функцыя: Synchronous, Хуткасць перадачы дадзеных: 100MHz, Час доступу: 6.5ns, Напружанне - харчаванне: 3V ~ 3.6V, Ток - запас (макс.): 30mA,

Пажаданні
72225LB15TFGI8
IDT, Integrated Device Technology Inc

72225LB15TFGI8

частка акцыі: 5311

Памер памяці: 18K (1K x 18), Функцыя: Synchronous, Хуткасць перадачы дадзеных: 66.7MHz, Час доступу: 10ns, Напружанне - харчаванне: 4.5V ~ 5.5V, Ток - запас (макс.): 60mA,

Пажаданні
7205L15JGI
IDT, Integrated Device Technology Inc

7205L15JGI

частка акцыі: 5446

Памер памяці: 72K (8K x 9), Функцыя: Asynchronous, Хуткасць перадачы дадзеных: 40MHz, Час доступу: 15ns, Напружанне - харчаванне: 4.5V ~ 5.5V, Ток - запас (макс.): 120mA,

Пажаданні
72V221L15PFGI
IDT, Integrated Device Technology Inc

72V221L15PFGI

частка акцыі: 5444

Памер памяці: 9K (1K x 9), Функцыя: Synchronous, Хуткасць перадачы дадзеных: 66.7MHz, Час доступу: 10ns, Напружанне - харчаванне: 3V ~ 3.6V, Ток - запас (макс.): 20mA,

Пажаданні
72V221L10PFG
IDT, Integrated Device Technology Inc

72V221L10PFG

частка акцыі: 5465

Памер памяці: 9K (1K x 9), Функцыя: Synchronous, Хуткасць перадачы дадзеных: 100MHz, Час доступу: 6.5ns, Напружанне - харчаванне: 3V ~ 3.6V, Ток - запас (макс.): 20mA,

Пажаданні
72221L15PFGI
IDT, Integrated Device Technology Inc

72221L15PFGI

частка акцыі: 5452

Памер памяці: 9K (1K x 9), Функцыя: Synchronous, Хуткасць перадачы дадзеных: 66.7MHz, Час доступу: 10ns, Напружанне - харчаванне: 4.5V ~ 5.5V, Ток - запас (макс.): 35mA,

Пажаданні
72205LB10PFG
IDT, Integrated Device Technology Inc

72205LB10PFG

частка акцыі: 5490

Памер памяці: 4.5K (256 x 18), Функцыя: Synchronous, Хуткасць перадачы дадзеных: 100MHz, Час доступу: 6.5ns, Напружанне - харчаванне: 4.5V ~ 5.5V, Ток - запас (макс.): 60mA,

Пажаданні
72V205L10TFG
IDT, Integrated Device Technology Inc

72V205L10TFG

частка акцыі: 5453

Памер памяці: 4.5K (256 x 18), Функцыя: Synchronous, Хуткасць перадачы дадзеных: 100MHz, Час доступу: 6.5ns, Напружанне - харчаванне: 3V ~ 3.6V, Ток - запас (макс.): 30mA,

Пажаданні
72211L10JG
IDT, Integrated Device Technology Inc

72211L10JG

частка акцыі: 5415

Памер памяці: 4.5K (512 x 9), Функцыя: Synchronous, Хуткасць перадачы дадзеных: 100MHz, Час доступу: 6.5ns, Напружанне - харчаванне: 4.5V ~ 5.5V, Ток - запас (макс.): 35mA,

Пажаданні
72V205L10PFG
IDT, Integrated Device Technology Inc

72V205L10PFG

частка акцыі: 5462

Памер памяці: 4.5K (256 x 18), Функцыя: Synchronous, Хуткасць перадачы дадзеных: 100MHz, Час доступу: 6.5ns, Напружанне - харчаванне: 3V ~ 3.6V, Ток - запас (макс.): 30mA,

Пажаданні
72V205L15PFGI
IDT, Integrated Device Technology Inc

72V205L15PFGI

частка акцыі: 5423

Памер памяці: 4.5K (256 x 18), Функцыя: Synchronous, Хуткасць перадачы дадзеных: 66.7MHz, Час доступу: 10ns, Напружанне - харчаванне: 3V ~ 3.6V, Ток - запас (макс.): 30mA,

Пажаданні
72231L10PFG8
IDT, Integrated Device Technology Inc

72231L10PFG8

частка акцыі: 140

Памер памяці: 18K (2K x 9), Функцыя: Synchronous, Хуткасць перадачы дадзеных: 100MHz, Час доступу: 6.5ns, Напружанне - харчаванне: 4.5V ~ 5.5V, Ток - запас (макс.): 35mA,

Пажаданні
72V231L15PFGI8
IDT, Integrated Device Technology Inc

72V231L15PFGI8

частка акцыі: 5481

Памер памяці: 18K (2K x 9), Функцыя: Synchronous, Хуткасць перадачы дадзеных: 66.7MHz, Час доступу: 10ns, Напружанне - харчаванне: 3V ~ 3.6V, Ток - запас (макс.): 20mA,

Пажаданні
72V231L10PFG8
IDT, Integrated Device Technology Inc

72V231L10PFG8

частка акцыі: 5483

Памер памяці: 18K (2K x 9), Функцыя: Synchronous, Хуткасць перадачы дадзеных: 100MHz, Час доступу: 6.5ns, Напружанне - харчаванне: 3V ~ 3.6V, Ток - запас (макс.): 20mA,

Пажаданні
72231L15PFGI8
IDT, Integrated Device Technology Inc

72231L15PFGI8

частка акцыі: 5467

Памер памяці: 18K (2K x 9), Функцыя: Synchronous, Хуткасць перадачы дадзеных: 66.7MHz, Час доступу: 10ns, Напружанне - харчаванне: 4.5V ~ 5.5V, Ток - запас (макс.): 35mA,

Пажаданні