Чып-рэзістар - павярхоўнае мацаванне

9T08052A20R5FBHFT

9T08052A20R5FBHFT

частка акцыі: 9849

Супраціўленне: 20.5 Ohms, Талерантнасць: ±1%, Магутнасць (Вт): 0.125W, 1/8W, Склад: Thin Film, Тэмпературны каэфіцыент: ±100ppm/°C,

9T08052A19R6FBHFT

9T08052A19R6FBHFT

частка акцыі: 9848

Супраціўленне: 19.6 Ohms, Талерантнасць: ±1%, Магутнасць (Вт): 0.125W, 1/8W, Склад: Thin Film, Тэмпературны каэфіцыент: ±100ppm/°C,

9T08052A20R0FBHFT

9T08052A20R0FBHFT

частка акцыі: 4018

Супраціўленне: 20 Ohms, Талерантнасць: ±1%, Магутнасць (Вт): 0.125W, 1/8W, Склад: Thin Film, Тэмпературны каэфіцыент: ±100ppm/°C,

9T08052A18R7FBHFT

9T08052A18R7FBHFT

частка акцыі: 9788

Супраціўленне: 18.7 Ohms, Талерантнасць: ±1%, Магутнасць (Вт): 0.125W, 1/8W, Склад: Thin Film, Тэмпературны каэфіцыент: ±100ppm/°C,

9T08052A19R1FBHFT

9T08052A19R1FBHFT

частка акцыі: 9833

Супраціўленне: 19.1 Ohms, Талерантнасць: ±1%, Магутнасць (Вт): 0.125W, 1/8W, Склад: Thin Film, Тэмпературны каэфіцыент: ±100ppm/°C,

9T08052A18R2FBHFT

9T08052A18R2FBHFT

частка акцыі: 9772

Супраціўленне: 18.2 Ohms, Талерантнасць: ±1%, Магутнасць (Вт): 0.125W, 1/8W, Склад: Thin Film, Тэмпературны каэфіцыент: ±100ppm/°C,

9T08052A17R4FBHFT

9T08052A17R4FBHFT

частка акцыі: 9786

Супраціўленне: 17.4 Ohms, Талерантнасць: ±1%, Магутнасць (Вт): 0.125W, 1/8W, Склад: Thin Film, Тэмпературны каэфіцыент: ±100ppm/°C,

9T08052A17R8FBHFT

9T08052A17R8FBHFT

частка акцыі: 9849

Супраціўленне: 17.8 Ohms, Талерантнасць: ±1%, Магутнасць (Вт): 0.125W, 1/8W, Склад: Thin Film, Тэмпературны каэфіцыент: ±100ppm/°C,

9T08052A16R5FBHFT

9T08052A16R5FBHFT

частка акцыі: 9845

Супраціўленне: 16.5 Ohms, Талерантнасць: ±1%, Магутнасць (Вт): 0.125W, 1/8W, Склад: Thin Film, Тэмпературны каэфіцыент: ±100ppm/°C,

9T08052A16R0FBHFT

9T08052A16R0FBHFT

частка акцыі: 9856

Супраціўленне: 16 Ohms, Талерантнасць: ±1%, Магутнасць (Вт): 0.125W, 1/8W, Склад: Thin Film, Тэмпературны каэфіцыент: ±100ppm/°C,

9T08052A16R9FBHFT

9T08052A16R9FBHFT

частка акцыі: 9838

Супраціўленне: 16.9 Ohms, Талерантнасць: ±1%, Магутнасць (Вт): 0.125W, 1/8W, Склад: Thin Film, Тэмпературны каэфіцыент: ±100ppm/°C,

9T08052A16R2FBHFT

9T08052A16R2FBHFT

частка акцыі: 9837

Супраціўленне: 16.2 Ohms, Талерантнасць: ±1%, Магутнасць (Вт): 0.125W, 1/8W, Склад: Thin Film, Тэмпературны каэфіцыент: ±100ppm/°C,

9T08052A15R0FBHFT

9T08052A15R0FBHFT

частка акцыі: 9840

Супраціўленне: 15 Ohms, Талерантнасць: ±1%, Магутнасць (Вт): 0.125W, 1/8W, Склад: Thin Film, Тэмпературны каэфіцыент: ±100ppm/°C,

9T08052A15R4FBHFT

9T08052A15R4FBHFT

частка акцыі: 9854

Супраціўленне: 15.4 Ohms, Талерантнасць: ±1%, Магутнасць (Вт): 0.125W, 1/8W, Склад: Thin Film, Тэмпературны каэфіцыент: ±100ppm/°C,

9T08052A14R7FBHFT

9T08052A14R7FBHFT

частка акцыі: 9832

Супраціўленне: 14.7 Ohms, Талерантнасць: ±1%, Магутнасць (Вт): 0.125W, 1/8W, Склад: Thin Film, Тэмпературны каэфіцыент: ±100ppm/°C,

9T08052A15R8FBHFT

9T08052A15R8FBHFT

частка акцыі: 9838

Супраціўленне: 15.8 Ohms, Талерантнасць: ±1%, Магутнасць (Вт): 0.125W, 1/8W, Склад: Thin Film, Тэмпературны каэфіцыент: ±100ppm/°C,

9T08052A14R3FBHFT

9T08052A14R3FBHFT

частка акцыі: 9831

Супраціўленне: 14.3 Ohms, Талерантнасць: ±1%, Магутнасць (Вт): 0.125W, 1/8W, Склад: Thin Film, Тэмпературны каэфіцыент: ±100ppm/°C,

9T08052A13R3FBHFT

9T08052A13R3FBHFT

частка акцыі: 9807

Супраціўленне: 13.3 Ohms, Талерантнасць: ±1%, Магутнасць (Вт): 0.125W, 1/8W, Склад: Thin Film, Тэмпературны каэфіцыент: ±100ppm/°C,

9T08052A14R0FBHFT

9T08052A14R0FBHFT

частка акцыі: 9788

Супраціўленне: 14 Ohms, Талерантнасць: ±1%, Магутнасць (Вт): 0.125W, 1/8W, Склад: Thin Film, Тэмпературны каэфіцыент: ±100ppm/°C,

9T08052A13R7FBHFT

9T08052A13R7FBHFT

частка акцыі: 9819

Супраціўленне: 13.7 Ohms, Талерантнасць: ±1%, Магутнасць (Вт): 0.125W, 1/8W, Склад: Thin Film, Тэмпературны каэфіцыент: ±100ppm/°C,

9T08052A12R1FBHFT

9T08052A12R1FBHFT

частка акцыі: 3987

Супраціўленне: 12.1 Ohms, Талерантнасць: ±1%, Магутнасць (Вт): 0.125W, 1/8W, Склад: Thin Film, Тэмпературны каэфіцыент: ±100ppm/°C,

9T08052A13R0FBHFT

9T08052A13R0FBHFT

частка акцыі: 9816

Супраціўленне: 13 Ohms, Талерантнасць: ±1%, Магутнасць (Вт): 0.125W, 1/8W, Склад: Thin Film, Тэмпературны каэфіцыент: ±100ppm/°C,

9T08052A12R4FBHFT

9T08052A12R4FBHFT

частка акцыі: 4043

Супраціўленне: 12.4 Ohms, Талерантнасць: ±1%, Магутнасць (Вт): 0.125W, 1/8W, Склад: Thin Film, Тэмпературны каэфіцыент: ±100ppm/°C,

9T08052A12R7FBHFT

9T08052A12R7FBHFT

частка акцыі: 9800

Супраціўленне: 12.7 Ohms, Талерантнасць: ±1%, Магутнасць (Вт): 0.125W, 1/8W, Склад: Thin Film, Тэмпературны каэфіцыент: ±100ppm/°C,

9T08052A11R3FBHFT

9T08052A11R3FBHFT

частка акцыі: 9807

Супраціўленне: 11.3 Ohms, Талерантнасць: ±1%, Магутнасць (Вт): 0.125W, 1/8W, Склад: Thin Film, Тэмпературны каэфіцыент: ±100ppm/°C,

9T08052A11R5FBHFT

9T08052A11R5FBHFT

частка акцыі: 9766

Супраціўленне: 11.5 Ohms, Талерантнасць: ±1%, Магутнасць (Вт): 0.125W, 1/8W, Склад: Thin Film, Тэмпературны каэфіцыент: ±100ppm/°C,

9T08052A12R0FBHFT

9T08052A12R0FBHFT

частка акцыі: 9752

Супраціўленне: 12 Ohms, Талерантнасць: ±1%, Магутнасць (Вт): 0.125W, 1/8W, Склад: Thin Film, Тэмпературны каэфіцыент: ±100ppm/°C,

9T08052A11R8FBHFT

9T08052A11R8FBHFT

частка акцыі: 9757

Супраціўленне: 11.8 Ohms, Талерантнасць: ±1%, Магутнасць (Вт): 0.125W, 1/8W, Склад: Thin Film, Тэмпературны каэфіцыент: ±100ppm/°C,

9T08052A10R2FBHFT

9T08052A10R2FBHFT

частка акцыі: 9773

Супраціўленне: 10.2 Ohms, Талерантнасць: ±1%, Магутнасць (Вт): 0.125W, 1/8W, Склад: Thin Film, Тэмпературны каэфіцыент: ±100ppm/°C,

9T08052A10R5FBHFT

9T08052A10R5FBHFT

частка акцыі: 9774

Супраціўленне: 10.5 Ohms, Талерантнасць: ±1%, Магутнасць (Вт): 0.125W, 1/8W, Склад: Thin Film, Тэмпературны каэфіцыент: ±100ppm/°C,

9T12062A9763FBHFT

9T12062A9763FBHFT

частка акцыі: 9782

Супраціўленне: 976 kOhms, Талерантнасць: ±1%, Магутнасць (Вт): 0.125W, 1/8W, Склад: Thin Film, Тэмпературны каэфіцыент: ±100ppm/°C,

9T12062A1004FBHFT

9T12062A1004FBHFT

частка акцыі: 9818

Супраціўленне: 1 MOhms, Талерантнасць: ±1%, Магутнасць (Вт): 0.125W, 1/8W, Склад: Thin Film, Тэмпературны каэфіцыент: ±100ppm/°C,

9T08052A10R0FBHFT

9T08052A10R0FBHFT

частка акцыі: 9751

Супраціўленне: 10 Ohms, Талерантнасць: ±1%, Магутнасць (Вт): 0.125W, 1/8W, Склад: Thin Film, Тэмпературны каэфіцыент: ±200ppm/°C,

9T12062A9533FBHFT

9T12062A9533FBHFT

частка акцыі: 9821

Супраціўленне: 953 kOhms, Талерантнасць: ±1%, Магутнасць (Вт): 0.125W, 1/8W, Склад: Thin Film, Тэмпературны каэфіцыент: ±100ppm/°C,

9T12062A9313FBHFT

9T12062A9313FBHFT

частка акцыі: 9773

Супраціўленне: 931 kOhms, Талерантнасць: ±1%, Магутнасць (Вт): 0.125W, 1/8W, Склад: Thin Film, Тэмпературны каэфіцыент: ±100ppm/°C,

9T12062A9093FBHFT

9T12062A9093FBHFT

частка акцыі: 9756

Супраціўленне: 909 kOhms, Талерантнасць: ±1%, Магутнасць (Вт): 0.125W, 1/8W, Склад: Thin Film, Тэмпературны каэфіцыент: ±100ppm/°C,