Чып-рэзістар - павярхоўнае мацаванне

9T08052A2320FBHFT

9T08052A2320FBHFT

частка акцыі: 9902

Супраціўленне: 232 Ohms, Талерантнасць: ±1%, Магутнасць (Вт): 0.125W, 1/8W, Склад: Thin Film, Тэмпературны каэфіцыент: ±100ppm/°C,

9T08052A2400FBHFT

9T08052A2400FBHFT

частка акцыі: 9933

Супраціўленне: 240 Ohms, Талерантнасць: ±1%, Магутнасць (Вт): 0.125W, 1/8W, Склад: Thin Film, Тэмпературны каэфіцыент: ±100ppm/°C,

9T08052A2370FBHFT

9T08052A2370FBHFT

частка акцыі: 9908

Супраціўленне: 237 Ohms, Талерантнасць: ±1%, Магутнасць (Вт): 0.125W, 1/8W, Склад: Thin Film, Тэмпературны каэфіцыент: ±100ppm/°C,

9T08052A2200FBHFT

9T08052A2200FBHFT

частка акцыі: 9884

Супраціўленне: 220 Ohms, Талерантнасць: ±1%, Магутнасць (Вт): 0.125W, 1/8W, Склад: Thin Film, Тэмпературны каэфіцыент: ±100ppm/°C,

9T08052A2210FBHFT

9T08052A2210FBHFT

частка акцыі: 9953

Супраціўленне: 221 Ohms, Талерантнасць: ±1%, Магутнасць (Вт): 0.125W, 1/8W, Склад: Thin Film, Тэмпературны каэфіцыент: ±100ppm/°C,

9T08052A2050FBHFT

9T08052A2050FBHFT

частка акцыі: 9918

Супраціўленне: 205 Ohms, Талерантнасць: ±1%, Магутнасць (Вт): 0.125W, 1/8W, Склад: Thin Film, Тэмпературны каэфіцыент: ±100ppm/°C,

9T08052A1960FBHFT

9T08052A1960FBHFT

частка акцыі: 9889

Супраціўленне: 196 Ohms, Талерантнасць: ±1%, Магутнасць (Вт): 0.125W, 1/8W, Склад: Thin Film, Тэмпературны каэфіцыент: ±100ppm/°C,

9T08052A2100FBHFT

9T08052A2100FBHFT

частка акцыі: 9880

Супраціўленне: 210 Ohms, Талерантнасць: ±1%, Магутнасць (Вт): 0.125W, 1/8W, Склад: Thin Film, Тэмпературны каэфіцыент: ±100ppm/°C,

9T08052A2000FBHFT

9T08052A2000FBHFT

частка акцыі: 9923

Супраціўленне: 200 Ohms, Талерантнасць: ±1%, Магутнасць (Вт): 0.125W, 1/8W, Склад: Thin Film, Тэмпературны каэфіцыент: ±100ppm/°C,

9T08052A1910FBHFT

9T08052A1910FBHFT

частка акцыі: 9886

Супраціўленне: 191 Ohms, Талерантнасць: ±1%, Магутнасць (Вт): 0.125W, 1/8W, Склад: Thin Film, Тэмпературны каэфіцыент: ±100ppm/°C,

9T08052A1870FBHFT

9T08052A1870FBHFT

частка акцыі: 9957

Супраціўленне: 187 Ohms, Талерантнасць: ±1%, Магутнасць (Вт): 0.125W, 1/8W, Склад: Thin Film, Тэмпературны каэфіцыент: ±100ppm/°C,

9T08052A1820FBHFT

9T08052A1820FBHFT

частка акцыі: 9957

Супраціўленне: 182 Ohms, Талерантнасць: ±1%, Магутнасць (Вт): 0.125W, 1/8W, Склад: Thin Film, Тэмпературны каэфіцыент: ±100ppm/°C,

9T08052A1800FBHFT

9T08052A1800FBHFT

частка акцыі: 9900

Супраціўленне: 180 Ohms, Талерантнасць: ±1%, Магутнасць (Вт): 0.125W, 1/8W, Склад: Thin Film, Тэмпературны каэфіцыент: ±100ppm/°C,

9T08052A1740FBHFT

9T08052A1740FBHFT

частка акцыі: 9928

Супраціўленне: 174 Ohms, Талерантнасць: ±1%, Магутнасць (Вт): 0.125W, 1/8W, Склад: Thin Film, Тэмпературны каэфіцыент: ±100ppm/°C,

9T08052A1690FBHFT

9T08052A1690FBHFT

частка акцыі: 9893

Супраціўленне: 169 Ohms, Талерантнасць: ±1%, Магутнасць (Вт): 0.125W, 1/8W, Склад: Thin Film, Тэмпературны каэфіцыент: ±100ppm/°C,

9T08052A1650FBHFT

9T08052A1650FBHFT

частка акцыі: 9933

Супраціўленне: 165 Ohms, Талерантнасць: ±1%, Магутнасць (Вт): 0.125W, 1/8W, Склад: Thin Film, Тэмпературны каэфіцыент: ±100ppm/°C,

9T08052A1780FBHFT

9T08052A1780FBHFT

частка акцыі: 9932

Супраціўленне: 178 Ohms, Талерантнасць: ±1%, Магутнасць (Вт): 0.125W, 1/8W, Склад: Thin Film, Тэмпературны каэфіцыент: ±100ppm/°C,

9T08052A1600FBHFT

9T08052A1600FBHFT

частка акцыі: 9864

Супраціўленне: 160 Ohms, Талерантнасць: ±1%, Магутнасць (Вт): 0.125W, 1/8W, Склад: Thin Film, Тэмпературны каэфіцыент: ±100ppm/°C,

9T08052A1540FBHFT

9T08052A1540FBHFT

частка акцыі: 9918

Супраціўленне: 154 Ohms, Талерантнасць: ±1%, Магутнасць (Вт): 0.125W, 1/8W, Склад: Thin Film, Тэмпературны каэфіцыент: ±100ppm/°C,

9T08052A1620FBHFT

9T08052A1620FBHFT

частка акцыі: 9854

Супраціўленне: 162 Ohms, Талерантнасць: ±1%, Магутнасць (Вт): 0.125W, 1/8W, Склад: Thin Film, Тэмпературны каэфіцыент: ±100ppm/°C,

9T08052A1580FBHFT

9T08052A1580FBHFT

частка акцыі: 9915

Супраціўленне: 158 Ohms, Талерантнасць: ±1%, Магутнасць (Вт): 0.125W, 1/8W, Склад: Thin Film, Тэмпературны каэфіцыент: ±100ppm/°C,

9T08052A1500FBHFT

9T08052A1500FBHFT

частка акцыі: 9884

Супраціўленне: 150 Ohms, Талерантнасць: ±1%, Магутнасць (Вт): 0.125W, 1/8W, Склад: Thin Film, Тэмпературны каэфіцыент: ±100ppm/°C,

9T08052A1470FBHFT

9T08052A1470FBHFT

частка акцыі: 9898

Супраціўленне: 147 Ohms, Талерантнасць: ±1%, Магутнасць (Вт): 0.125W, 1/8W, Склад: Thin Film, Тэмпературны каэфіцыент: ±100ppm/°C,

9T08052A1270FBHFT

9T08052A1270FBHFT

частка акцыі: 9856

Супраціўленне: 127 Ohms, Талерантнасць: ±1%, Магутнасць (Вт): 0.125W, 1/8W, Склад: Thin Film, Тэмпературны каэфіцыент: ±100ppm/°C,

9T08052A1300FBHFT

9T08052A1300FBHFT

частка акцыі: 9895

Супраціўленне: 130 Ohms, Талерантнасць: ±1%, Магутнасць (Вт): 0.125W, 1/8W, Склад: Thin Film, Тэмпературны каэфіцыент: ±100ppm/°C,

9T08052A1330FBHFT

9T08052A1330FBHFT

частка акцыі: 9930

Супраціўленне: 133 Ohms, Талерантнасць: ±1%, Магутнасць (Вт): 0.125W, 1/8W, Склад: Thin Film, Тэмпературны каэфіцыент: ±100ppm/°C,

9T08052A1370FBHFT

9T08052A1370FBHFT

частка акцыі: 9899

Супраціўленне: 137 Ohms, Талерантнасць: ±1%, Магутнасць (Вт): 0.125W, 1/8W, Склад: Thin Film, Тэмпературны каэфіцыент: ±100ppm/°C,

9T08052A1240FBHFT

9T08052A1240FBHFT

частка акцыі: 9885

Супраціўленне: 124 Ohms, Талерантнасць: ±1%, Магутнасць (Вт): 0.125W, 1/8W, Склад: Thin Film, Тэмпературны каэфіцыент: ±100ppm/°C,

9T08052A1180FBHFT

9T08052A1180FBHFT

частка акцыі: 9852

Супраціўленне: 118 Ohms, Талерантнасць: ±1%, Магутнасць (Вт): 0.125W, 1/8W, Склад: Thin Film, Тэмпературны каэфіцыент: ±100ppm/°C,

9T08052A1210FBHFT

9T08052A1210FBHFT

частка акцыі: 9926

Супраціўленне: 121 Ohms, Талерантнасць: ±1%, Магутнасць (Вт): 0.125W, 1/8W, Склад: Thin Film, Тэмпературны каэфіцыент: ±100ppm/°C,

9T08052A1200FBHFT

9T08052A1200FBHFT

частка акцыі: 9857

Супраціўленне: 120 Ohms, Талерантнасць: ±1%, Магутнасць (Вт): 0.125W, 1/8W, Склад: Thin Film, Тэмпературны каэфіцыент: ±100ppm/°C,

9T08052A1150FBHFT

9T08052A1150FBHFT

частка акцыі: 9938

Супраціўленне: 115 Ohms, Талерантнасць: ±1%, Магутнасць (Вт): 0.125W, 1/8W, Склад: Thin Film, Тэмпературны каэфіцыент: ±100ppm/°C,

9T08052A1070FBHFT

9T08052A1070FBHFT

частка акцыі: 9853

Супраціўленне: 107 Ohms, Талерантнасць: ±1%, Магутнасць (Вт): 0.125W, 1/8W, Склад: Thin Film, Тэмпературны каэфіцыент: ±100ppm/°C,

9T08052A1130FBHFT

9T08052A1130FBHFT

частка акцыі: 9881

Супраціўленне: 113 Ohms, Талерантнасць: ±1%, Магутнасць (Вт): 0.125W, 1/8W, Склад: Thin Film, Тэмпературны каэфіцыент: ±100ppm/°C,

9T08052A1100FBHFT

9T08052A1100FBHFT

частка акцыі: 9857

Супраціўленне: 110 Ohms, Талерантнасць: ±1%, Магутнасць (Вт): 0.125W, 1/8W, Склад: Thin Film, Тэмпературны каэфіцыент: ±100ppm/°C,

9T08052A1020FBHFT

9T08052A1020FBHFT

частка акцыі: 9929

Супраціўленне: 102 Ohms, Талерантнасць: ±1%, Магутнасць (Вт): 0.125W, 1/8W, Склад: Thin Film, Тэмпературны каэфіцыент: ±100ppm/°C,