Чып-рэзістар - павярхоўнае мацаванне

9T08052A47R0FBHFT

9T08052A47R0FBHFT

частка акцыі: 9866

Супраціўленне: 47 Ohms, Талерантнасць: ±1%, Магутнасць (Вт): 0.125W, 1/8W, Склад: Thin Film, Тэмпературны каэфіцыент: ±100ppm/°C,

9T08052A42R2FBHFT

9T08052A42R2FBHFT

частка акцыі: 9853

Супраціўленне: 42.2 Ohms, Талерантнасць: ±1%, Магутнасць (Вт): 0.125W, 1/8W, Склад: Thin Film, Тэмпературны каэфіцыент: ±100ppm/°C,

9T08052A43R0FBHFT

9T08052A43R0FBHFT

частка акцыі: 9813

Супраціўленне: 43 Ohms, Талерантнасць: ±1%, Магутнасць (Вт): 0.125W, 1/8W, Склад: Thin Film, Тэмпературны каэфіцыент: ±100ppm/°C,

9T08052A43R2FBHFT

9T08052A43R2FBHFT

частка акцыі: 9879

Супраціўленне: 43.2 Ohms, Талерантнасць: ±1%, Магутнасць (Вт): 0.125W, 1/8W, Склад: Thin Film, Тэмпературны каэфіцыент: ±100ppm/°C,

9T08052A41R2FBHFT

9T08052A41R2FBHFT

частка акцыі: 9885

Супраціўленне: 41.2 Ohms, Талерантнасць: ±1%, Магутнасць (Вт): 0.125W, 1/8W, Склад: Thin Film, Тэмпературны каэфіцыент: ±100ppm/°C,

9T08052A40R2FBHFT

9T08052A40R2FBHFT

частка акцыі: 9816

Супраціўленне: 40.2 Ohms, Талерантнасць: ±1%, Магутнасць (Вт): 0.125W, 1/8W, Склад: Thin Film, Тэмпературны каэфіцыент: ±100ppm/°C,

9T08052A38R3FBHFT

9T08052A38R3FBHFT

частка акцыі: 4005

Супраціўленне: 38.3 Ohms, Талерантнасць: ±1%, Магутнасць (Вт): 0.125W, 1/8W, Склад: Thin Film, Тэмпературны каэфіцыент: ±100ppm/°C,

9T08052A39R0FBHFT

9T08052A39R0FBHFT

частка акцыі: 9875

Супраціўленне: 39 Ohms, Талерантнасць: ±1%, Магутнасць (Вт): 0.125W, 1/8W, Склад: Thin Film, Тэмпературны каэфіцыент: ±100ppm/°C,

9T08052A39R2FBHFT

9T08052A39R2FBHFT

частка акцыі: 9901

Супраціўленне: 39.2 Ohms, Талерантнасць: ±1%, Магутнасць (Вт): 0.125W, 1/8W, Склад: Thin Film, Тэмпературны каэфіцыент: ±100ppm/°C,

9T08052A37R4FBHFT

9T08052A37R4FBHFT

частка акцыі: 4024

Супраціўленне: 37.4 Ohms, Талерантнасць: ±1%, Магутнасць (Вт): 0.125W, 1/8W, Склад: Thin Film, Тэмпературны каэфіцыент: ±100ppm/°C,

9T08052A35R7FBHFT

9T08052A35R7FBHFT

частка акцыі: 9863

Супраціўленне: 35.7 Ohms, Талерантнасць: ±1%, Магутнасць (Вт): 0.125W, 1/8W, Склад: Thin Film, Тэмпературны каэфіцыент: ±100ppm/°C,

9T08052A36R5FBHFT

9T08052A36R5FBHFT

частка акцыі: 9833

Супраціўленне: 36.5 Ohms, Талерантнасць: ±1%, Магутнасць (Вт): 0.125W, 1/8W, Склад: Thin Film, Тэмпературны каэфіцыент: ±100ppm/°C,

9T08052A36R0FBHFT

9T08052A36R0FBHFT

частка акцыі: 9884

Супраціўленне: 36 Ohms, Талерантнасць: ±1%, Магутнасць (Вт): 0.125W, 1/8W, Склад: Thin Film, Тэмпературны каэфіцыент: ±100ppm/°C,

9T08052A34R0FBHFT

9T08052A34R0FBHFT

частка акцыі: 4041

Супраціўленне: 34 Ohms, Талерантнасць: ±1%, Магутнасць (Вт): 0.125W, 1/8W, Склад: Thin Film, Тэмпературны каэфіцыент: ±100ppm/°C,

9T08052A34R8FBHFT

9T08052A34R8FBHFT

частка акцыі: 9832

Супраціўленне: 34.8 Ohms, Талерантнасць: ±1%, Магутнасць (Вт): 0.125W, 1/8W, Склад: Thin Film, Тэмпературны каэфіцыент: ±100ppm/°C,

9T08052A33R0FBHFT

9T08052A33R0FBHFT

частка акцыі: 7408

Супраціўленне: 33 Ohms, Талерантнасць: ±1%, Магутнасць (Вт): 0.125W, 1/8W, Склад: Thin Film, Тэмпературны каэфіцыент: ±100ppm/°C,

9T08052A31R6FBHFT

9T08052A31R6FBHFT

частка акцыі: 9822

Супраціўленне: 31.6 Ohms, Талерантнасць: ±1%, Магутнасць (Вт): 0.125W, 1/8W, Склад: Thin Film, Тэмпературны каэфіцыент: ±100ppm/°C,

9T08052A30R1FBHFT

9T08052A30R1FBHFT

частка акцыі: 9820

Супраціўленне: 30.1 Ohms, Талерантнасць: ±1%, Магутнасць (Вт): 0.125W, 1/8W, Склад: Thin Film, Тэмпературны каэфіцыент: ±100ppm/°C,

9T08052A30R9FBHFT

9T08052A30R9FBHFT

частка акцыі: 9864

Супраціўленне: 30.9 Ohms, Талерантнасць: ±1%, Магутнасць (Вт): 0.125W, 1/8W, Склад: Thin Film, Тэмпературны каэфіцыент: ±100ppm/°C,

9T08052A32R4FBHFT

9T08052A32R4FBHFT

частка акцыі: 9835

Супраціўленне: 32.4 Ohms, Талерантнасць: ±1%, Магутнасць (Вт): 0.125W, 1/8W, Склад: Thin Film, Тэмпературны каэфіцыент: ±100ppm/°C,

9T08052A28R7FBHFT

9T08052A28R7FBHFT

частка акцыі: 9883

Супраціўленне: 28.7 Ohms, Талерантнасць: ±1%, Магутнасць (Вт): 0.125W, 1/8W, Склад: Thin Film, Тэмпературны каэфіцыент: ±100ppm/°C,

9T08052A28R0FBHFT

9T08052A28R0FBHFT

частка акцыі: 9808

Супраціўленне: 28 Ohms, Талерантнасць: ±1%, Магутнасць (Вт): 0.125W, 1/8W, Склад: Thin Film, Тэмпературны каэфіцыент: ±100ppm/°C,

9T08052A30R0FBHFT

9T08052A30R0FBHFT

частка акцыі: 9864

Супраціўленне: 30 Ohms, Талерантнасць: ±1%, Магутнасць (Вт): 0.125W, 1/8W, Склад: Thin Film, Тэмпературны каэфіцыент: ±100ppm/°C,

9T08052A29R4FBHFT

9T08052A29R4FBHFT

частка акцыі: 9871

Супраціўленне: 29.4 Ohms, Талерантнасць: ±1%, Магутнасць (Вт): 0.125W, 1/8W, Склад: Thin Film, Тэмпературны каэфіцыент: ±100ppm/°C,

9T08052A27R0FBHFT

9T08052A27R0FBHFT

частка акцыі: 9790

Супраціўленне: 27 Ohms, Талерантнасць: ±1%, Магутнасць (Вт): 0.125W, 1/8W, Склад: Thin Film, Тэмпературны каэфіцыент: ±100ppm/°C,

9T08052A26R7FBHFT

9T08052A26R7FBHFT

частка акцыі: 3999

Супраціўленне: 26.7 Ohms, Талерантнасць: ±1%, Магутнасць (Вт): 0.125W, 1/8W, Склад: Thin Film, Тэмпературны каэфіцыент: ±100ppm/°C,

9T08052A26R1FBHFT

9T08052A26R1FBHFT

частка акцыі: 9791

Супраціўленне: 26.1 Ohms, Талерантнасць: ±1%, Магутнасць (Вт): 0.125W, 1/8W, Склад: Thin Film, Тэмпературны каэфіцыент: ±100ppm/°C,

9T08052A27R4FBHFT

9T08052A27R4FBHFT

частка акцыі: 9797

Супраціўленне: 27.4 Ohms, Талерантнасць: ±1%, Магутнасць (Вт): 0.125W, 1/8W, Склад: Thin Film, Тэмпературны каэфіцыент: ±100ppm/°C,

9T08052A24R3FBHFT

9T08052A24R3FBHFT

частка акцыі: 9817

Супраціўленне: 24.3 Ohms, Талерантнасць: ±1%, Магутнасць (Вт): 0.125W, 1/8W, Склад: Thin Film, Тэмпературны каэфіцыент: ±100ppm/°C,

9T08052A25R5FBHFT

9T08052A25R5FBHFT

частка акцыі: 9863

Супраціўленне: 25.5 Ohms, Талерантнасць: ±1%, Магутнасць (Вт): 0.125W, 1/8W, Склад: Thin Film, Тэмпературны каэфіцыент: ±100ppm/°C,

9T08052A24R0FBHFT

9T08052A24R0FBHFT

частка акцыі: 9860

Супраціўленне: 24 Ohms, Талерантнасць: ±1%, Магутнасць (Вт): 0.125W, 1/8W, Склад: Thin Film, Тэмпературны каэфіцыент: ±100ppm/°C,

9T08052A22R1FBHFT

9T08052A22R1FBHFT

частка акцыі: 9793

Супраціўленне: 22.1 Ohms, Талерантнасць: ±1%, Магутнасць (Вт): 0.125W, 1/8W, Склад: Thin Film, Тэмпературны каэфіцыент: ±100ppm/°C,

9T08052A22R6FBHFT

9T08052A22R6FBHFT

частка акцыі: 9842

Супраціўленне: 22.6 Ohms, Талерантнасць: ±1%, Магутнасць (Вт): 0.125W, 1/8W, Склад: Thin Film, Тэмпературны каэфіцыент: ±100ppm/°C,

9T08052A23R7FBHFT

9T08052A23R7FBHFT

частка акцыі: 9786

Супраціўленне: 23.7 Ohms, Талерантнасць: ±1%, Магутнасць (Вт): 0.125W, 1/8W, Склад: Thin Film, Тэмпературны каэфіцыент: ±100ppm/°C,

9T08052A23R2FBHFT

9T08052A23R2FBHFT

частка акцыі: 9838

Супраціўленне: 23.2 Ohms, Талерантнасць: ±1%, Магутнасць (Вт): 0.125W, 1/8W, Склад: Thin Film, Тэмпературны каэфіцыент: ±100ppm/°C,

9T08052A21R5FBHFT

9T08052A21R5FBHFT

частка акцыі: 9848

Супраціўленне: 21.5 Ohms, Талерантнасць: ±1%, Магутнасць (Вт): 0.125W, 1/8W, Склад: Thin Film, Тэмпературны каэфіцыент: ±100ppm/°C,