Дыёды - выпрамнікі - адзінкавыя

CPW2-1200-S010B-FR1

частка акцыі: 9531

CPW2-1200-S010BP

частка акцыі: 5043

CPW2-1200-S005B-FR1

частка акцыі: 9533

C3D03060E

частка акцыі: 50240

Дыёдны тып: Silicon Carbide Schottky, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 600V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 11A (DC), Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.7V @ 3A, Хуткасць: No Recovery Time > 500mA (Io), Зваротны час аднаўлення (trr): 0ns,

CPW2-1200-S005B

частка акцыі: 9536

Дыёдны тып: Silicon Carbide Schottky, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 17.5A (DC), Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.8V @ 5A, Хуткасць: No Recovery Time > 500mA (Io), Зваротны час аднаўлення (trr): 0ns,

C4D10120E

частка акцыі: 6526

Дыёдны тып: Silicon Carbide Schottky, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 1200V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 33A (DC), Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.8V @ 10A, Хуткасць: No Recovery Time > 500mA (Io), Зваротны час аднаўлення (trr): 0ns,

C3D06060F

частка акцыі: 25319

Дыёдны тып: Silicon Carbide Schottky, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 600V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 7.5A (DC), Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.8V @ 6A, Хуткасць: No Recovery Time > 500mA (Io), Зваротны час аднаўлення (trr): 0ns,

C4D02120E

частка акцыі: 51855

Дыёдны тып: Silicon Carbide Schottky, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 1200V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 10A (DC), Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.8V @ 2A, Хуткасць: No Recovery Time > 500mA (Io), Зваротны час аднаўлення (trr): 0ns,

CSD01060E

частка акцыі: 71851

Дыёдны тып: Silicon Carbide Schottky, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 600V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 4A (DC), Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.8V @ 1A, Хуткасць: No Recovery Time > 500mA (Io), Зваротны час аднаўлення (trr): 0ns,

C3D06060A

частка акцыі: 25267

Дыёдны тып: Silicon Carbide Schottky, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 600V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 19A (DC), Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.8V @ 6A, Хуткасць: No Recovery Time > 500mA (Io), Зваротны час аднаўлення (trr): 0ns,

C4D05120E

частка акцыі: 13087

Дыёдны тып: Silicon Carbide Schottky, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 1200V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 19A (DC), Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.8V @ 5A, Хуткасць: No Recovery Time > 500mA (Io), Зваротны час аднаўлення (trr): 0ns,

CSD01060E-TR

частка акцыі: 114503

Дыёдны тып: Silicon Carbide Schottky, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 600V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 4A (DC), Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.8V @ 1A, Хуткасць: No Recovery Time > 500mA (Io), Зваротны час аднаўлення (trr): 0ns,

C3D10060G

частка акцыі: 15193

Дыёдны тып: Silicon Carbide Schottky, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 600V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 29A (DC), Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.8V @ 10A, Хуткасць: No Recovery Time > 500mA (Io), Зваротны час аднаўлення (trr): 0ns,

C4D02120A

частка акцыі: 32495

Дыёдны тып: Silicon Carbide Schottky, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 1200V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 10A (DC), Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.8V @ 2A, Хуткасць: No Recovery Time > 500mA (Io), Зваротны час аднаўлення (trr): 0ns,

C3D04060E

частка акцыі: 37785

Дыёдны тып: Silicon Carbide Schottky, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 600V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 13.5A (DC), Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.7V @ 4A, Хуткасць: No Recovery Time > 500mA (Io), Зваротны час аднаўлення (trr): 0ns,

C3D1P7060Q

частка акцыі: 167440

Дыёдны тып: Silicon Carbide Schottky, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 600V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 9.7A (DC), Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.7V @ 1.7A, Хуткасць: No Recovery Time > 500mA (Io), Зваротны час аднаўлення (trr): 0ns,