Транзістары - FET, MOSFET - RF

PTRA083818NF-V1-R5

частка акцыі: 82

Тып транзістара: LDMOS, Частата: 733MHz ~ 805MHz, Прыбытак: 18.6dB, Напружанне - тэст: 48V, Бягучы рэйтынг: 10µA,

CGH40180PP

частка акцыі: 176

Тып транзістара: HEMT, Частата: 0Hz ~ 2.5GHz, Прыбытак: 19dB, Напружанне - тэст: 28V, Бягучы рэйтынг: 56A,

CGHV22200F

частка акцыі: 377

Тып транзістара: HEMT, Частата: 1.8GHz ~ 2.2GHz, Прыбытак: 18dB, Напружанне - тэст: 50V, Бягучы рэйтынг: 12A,

PTAC240502FC-V1-R250

частка акцыі: 6429

PTRA093302FC-V1-R0

частка акцыі: 167

Тып транзістара: LDMOS, Частата: 768MHz, Прыбытак: 17.25dB, Напружанне - тэст: 48V, Бягучы рэйтынг: 10µA,

PXAD214218FV-V1-R0

частка акцыі: 168

Тып транзістара: LDMOS, Частата: 2.11GHz ~ 2.17GHz, Прыбытак: 13.5dB, Напружанне - тэст: 28V, Бягучы рэйтынг: 10µA,

CGHV40030F

частка акцыі: 574

Тып транзістара: HEMT, Частата: 0Hz ~ 6GHz, Прыбытак: 16dB, Напружанне - тэст: 50V, Бягучы рэйтынг: 4.2A,

PTVA092407NF-V1-R5

частка акцыі: 168

Тып транзістара: LDMOS, Частата: 869MHz ~ 960MHz, Прыбытак: 22.5dB, Напружанне - тэст: 48V, Бягучы рэйтынг: 10µA,

PTRA093608PV1-V1-R2

частка акцыі: 78

CGH55015F2

частка акцыі: 1151

Тып транзістара: HEMT, Частата: 5.65GHz, Прыбытак: 12dB, Напружанне - тэст: 28V,

PTVA101K02EV-V1-R0

частка акцыі: 375

Тып транзістара: LDMOS, Частата: 1.03GHz ~ 1.09GHz, Прыбытак: 21dB, Напружанне - тэст: 50V,

PXAC241702FC-V1-R0

частка акцыі: 128

Тып транзістара: LDMOS, Частата: 2.4GHz, Прыбытак: 16.5dB, Напружанне - тэст: 28V,

PTFB212503FL-V2-R0

частка акцыі: 98

Тып транзістара: LDMOS, Частата: 2.17GHz, Прыбытак: 18.1dB, Напружанне - тэст: 30V,

PTVA123501EC-V2-R250

частка акцыі: 108

PXAC201602FC-V1-R250

частка акцыі: 132

Тып транзістара: LDMOS, Частата: 2.02GHz, Прыбытак: 17.7dB, Напружанне - тэст: 28V,

PXAC243502FV-V1-R0

частка акцыі: 165

Тып транзістара: LDMOS, Частата: 2.4GHz, Прыбытак: 15dB, Напружанне - тэст: 28V,

PTFB093608FV-V3-R0

частка акцыі: 148

Тып транзістара: LDMOS (Dual), Common Source, Частата: 960MHz, Прыбытак: 20dB, Напружанне - тэст: 28V,

PTFB182503FL-V2-R250

частка акцыі: 134

PTVA120501EA-V1-R0

частка акцыі: 131

Тып транзістара: LDMOS, Частата: 1.2GHz ~ 1.4GHz, Прыбытак: 17dB, Напружанне - тэст: 50V,

PXAC241002FC-V1-R2

частка акцыі: 139

PXAD214218FV-V1-R2

частка акцыі: 117

Тып транзістара: LDMOS, Частата: 2.11GHz ~ 2.17GHz, Прыбытак: 13.5dB, Напружанне - тэст: 28V, Бягучы рэйтынг: 10µA,

PTVA084007NF-V1-R5

частка акцыі: 102

Тып транзістара: LDMOS, Частата: 755MHz ~ 805MHz, Прыбытак: 23.6dB, Напружанне - тэст: 48V, Бягучы рэйтынг: 10µA,

CG2H80015D-GP4

частка акцыі: 150

PTFB210801FA-V1-R250

частка акцыі: 154

Тып транзістара: LDMOS, Частата: 2.17GHz, Прыбытак: 18.5dB, Напружанне - тэст: 28V,

CGHV1J006D-GP4

частка акцыі: 487

Тып транзістара: HEMT, Частата: 18GHz, Прыбытак: 17dB, Напружанне - тэст: 40V,

PTFB192503EL-V1-R0

частка акцыі: 6412

Тып транзістара: LDMOS, Частата: 1.99GHz, Прыбытак: 19dB, Напружанне - тэст: 30V,

PTFA091201E-V4-R0

частка акцыі: 6411

Тып транзістара: LDMOS, Частата: 920MHz ~ 960MHz, Прыбытак: 19dB, Напружанне - тэст: 28V, Бягучы рэйтынг: 10µA,

PTFB241402F-V1-R250

частка акцыі: 6383

Тып транзістара: LDMOS (Dual), Частата: 2.4GHz, Прыбытак: 17dB, Напружанне - тэст: 30V,

PTFC261402FC-V1-R250

частка акцыі: 92

Тып транзістара: LDMOS, Частата: 2.69GHz, Прыбытак: 18dB, Напружанне - тэст: 28V,

PTFA072401FL-V5-R0

частка акцыі: 6444

Тып транзістара: LDMOS, Частата: 725MHz ~ 770MHz, Прыбытак: 19dB, Напружанне - тэст: 30V, Бягучы рэйтынг: 10µA,

PTAC210802FC-V1-R0

частка акцыі: 145

Тып транзістара: LDMOS, Частата: 2.17GHz, Прыбытак: 17dB, Напружанне - тэст: 28V, Бягучы рэйтынг: 10µA,

PTVA120501EA-V1-R250

частка акцыі: 136

CGHV27200F

частка акцыі: 354

Тып транзістара: HEMT, Частата: 2.5GHz ~ 2.7GHz, Прыбытак: 15dB ~ 16dB, Напружанне - тэст: 50V, Бягучы рэйтынг: 12A,

PTFB181702FC-V1-R0

частка акцыі: 104

Тып транзістара: LDMOS, Частата: 1.88GHz, Прыбытак: 19dB, Напружанне - тэст: 28V,

PTVA102001EA-V1-R0

частка акцыі: 122

Тып транзістара: LDMOS, Частата: 960MHz ~ 1.6GHz, Прыбытак: 18.5dB, Напружанне - тэст: 50V, Бягучы рэйтынг: 10µA,

CGHV1J025D-GP4

частка акцыі: 1499

Тып транзістара: HEMT, Частата: 18GHz, Прыбытак: 17dB, Напружанне - тэст: 40V,