Транзістары - FET, MOSFET - адзінкавыя

Дом
Транзістары - FET, MOSFET - адзінкавыя

C2M1000170J-TR

частка акцыі: 12544

Тып FET: N-Channel, Тэхналогія: SiCFET (Silicon Carbide), Адток да крыніцы напружання (Vdss): 1700V, Ток - бесперапынны сцёк (Id) пры тэмпературы 25 ° C: 5.3A (Tc), Прываднае напружанне (максімальная чырвоная сігналізацыя ўключана, мінімальная чырвоная сігналізацыя ўключана): 20V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4 Ohm @ 2A, 20V,

Ліст з жаданняў

C3M0065090J-TR

частка акцыі: 6828

Тып FET: N-Channel, Тэхналогія: SiCFET (Silicon Carbide), Адток да крыніцы напружання (Vdss): 900V, Ток - бесперапынны сцёк (Id) пры тэмпературы 25 ° C: 35A (Tc), Прываднае напружанне (максімальная чырвоная сігналізацыя ўключана, мінімальная чырвоная сігналізацыя ўключана): 15V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 78 mOhm @ 20A, 15V,

Ліст з жаданняў

C3M0120100K

частка акцыі: 8031

Тып FET: N-Channel, Тэхналогія: SiCFET (Silicon Carbide), Адток да крыніцы напружання (Vdss): 1000V, Ток - бесперапынны сцёк (Id) пры тэмпературы 25 ° C: 22A (Tc), Прываднае напружанне (максімальная чырвоная сігналізацыя ўключана, мінімальная чырвоная сігналізацыя ўключана): 15V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 155 mOhm @ 15A, 15V,

Ліст з жаданняў

C3M0120090J-TR

частка акцыі: 10635

Тып FET: N-Channel, Тэхналогія: SiCFET (Silicon Carbide), Адток да крыніцы напружання (Vdss): 900V, Ток - бесперапынны сцёк (Id) пры тэмпературы 25 ° C: 22A (Tc), Прываднае напружанне (максімальная чырвоная сігналізацыя ўключана, мінімальная чырвоная сігналізацыя ўключана): 15V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 155 mOhm @ 15A, 15V,

Ліст з жаданняў

C3M0030090K

частка акцыі: 2469

Тып FET: N-Channel, Тэхналогія: SiCFET (Silicon Carbide), Адток да крыніцы напружання (Vdss): 900V, Ток - бесперапынны сцёк (Id) пры тэмпературы 25 ° C: 63A (Tc), Прываднае напружанне (максімальная чырвоная сігналізацыя ўключана, мінімальная чырвоная сігналізацыя ўключана): 15V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 39 mOhm @ 35A, 15V,

Ліст з жаданняў

C2M0045170P

частка акцыі: 2736

Тып FET: N-Channel, Тэхналогія: SiCFET (Silicon Carbide), Адток да крыніцы напружання (Vdss): 1700V, Ток - бесперапынны сцёк (Id) пры тэмпературы 25 ° C: 72A (Tc), Прываднае напружанне (максімальная чырвоная сігналізацыя ўключана, мінімальная чырвоная сігналізацыя ўключана): 20V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 59 mOhm @ 50A, 20V,

Ліст з жаданняў

E3M0120090D

частка акцыі: 3307

Тып FET: N-Channel, Тэхналогія: SiCFET (Silicon Carbide), Адток да крыніцы напружання (Vdss): 900V, Ток - бесперапынны сцёк (Id) пры тэмпературы 25 ° C: 23A (Tc), Прываднае напружанне (максімальная чырвоная сігналізацыя ўключана, мінімальная чырвоная сігналізацыя ўключана): 15V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 155 mOhm @ 15A, 15V,

Ліст з жаданняў

C3M0280090J

частка акцыі: 19166

Тып FET: N-Channel, Тэхналогія: SiCFET (Silicon Carbide), Адток да крыніцы напружання (Vdss): 900V, Ток - бесперапынны сцёк (Id) пры тэмпературы 25 ° C: 11A (Tc), Прываднае напружанне (максімальная чырвоная сігналізацыя ўключана, мінімальная чырвоная сігналізацыя ўключана): 15V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 360 mOhm @ 7.5A, 15V,

Ліст з жаданняў

C3M0075120K

частка акцыі: 5595

Тып FET: N-Channel, Тэхналогія: SiCFET (Silicon Carbide), Адток да крыніцы напружання (Vdss): 1200V, Ток - бесперапынны сцёк (Id) пры тэмпературы 25 ° C: 30A (Tc), Прываднае напружанне (максімальная чырвоная сігналізацыя ўключана, мінімальная чырвоная сігналізацыя ўключана): 15V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90 mOhm @ 20A, 15V,

Ліст з жаданняў

C3M0120100J

частка акцыі: 3965

Тып FET: N-Channel, Тэхналогія: SiCFET (Silicon Carbide), Адток да крыніцы напружання (Vdss): 1000V, Ток - бесперапынны сцёк (Id) пры тэмпературы 25 ° C: 22A (Tc), Прываднае напружанне (максімальная чырвоная сігналізацыя ўключана, мінімальная чырвоная сігналізацыя ўключана): 15V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 155 mOhm @ 15A, 15V,

Ліст з жаданняў

CPMF-1200-S080B

CPMF-1200-S080B

частка акцыі: 2177

Тып FET: N-Channel, Тэхналогія: SiCFET (Silicon Carbide), Адток да крыніцы напружання (Vdss): 1200V, Ток - бесперапынны сцёк (Id) пры тэмпературы 25 ° C: 50A (Tj), Прываднае напружанне (максімальная чырвоная сігналізацыя ўключана, мінімальная чырвоная сігналізацыя ўключана): 20V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110 mOhm @ 20A, 20V,

Ліст з жаданняў

C2M0025120D

частка акцыі: 1093

Тып FET: N-Channel, Тэхналогія: SiCFET (Silicon Carbide), Адток да крыніцы напружання (Vdss): 1200V, Ток - бесперапынны сцёк (Id) пры тэмпературы 25 ° C: 90A (Tc), Прываднае напружанне (максімальная чырвоная сігналізацыя ўключана, мінімальная чырвоная сігналізацыя ўключана): 20V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 34 mOhm @ 50A, 20V,

Ліст з жаданняў

C3M0280090J-TR

частка акцыі: 19172

Тып FET: N-Channel, Тэхналогія: SiCFET (Silicon Carbide), Адток да крыніцы напружання (Vdss): 900V, Ток - бесперапынны сцёк (Id) пры тэмпературы 25 ° C: 11A (Tc), Прываднае напружанне (максімальная чырвоная сігналізацыя ўключана, мінімальная чырвоная сігналізацыя ўключана): 15V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 360 mOhm @ 7.5A, 15V,

Ліст з жаданняў

C3M0065100J

частка акцыі: 2848

Тып FET: N-Channel, Тэхналогія: SiCFET (Silicon Carbide), Адток да крыніцы напружання (Vdss): 1000V, Ток - бесперапынны сцёк (Id) пры тэмпературы 25 ° C: 35A (Tc), Прываднае напружанне (максімальная чырвоная сігналізацыя ўключана, мінімальная чырвоная сігналізацыя ўключана): 15V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 78 mOhm @ 20A, 15V,

Ліст з жаданняў

C2M0080170P

частка акцыі: 2196

Тып FET: N-Channel, Тэхналогія: SiCFET (Silicon Carbide), Адток да крыніцы напружання (Vdss): 1700V, Ток - бесперапынны сцёк (Id) пры тэмпературы 25 ° C: 40A (Tc), Прываднае напружанне (максімальная чырвоная сігналізацыя ўключана, мінімальная чырвоная сігналізацыя ўключана): 20V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125 mOhm @ 28A, 20V,

Ліст з жаданняў

CPMF-1200-S160B

CPMF-1200-S160B

частка акцыі: 2236

Тып FET: N-Channel, Тэхналогія: SiCFET (Silicon Carbide), Адток да крыніцы напружання (Vdss): 1200V, Ток - бесперапынны сцёк (Id) пры тэмпературы 25 ° C: 28A (Tj), Прываднае напружанне (максімальная чырвоная сігналізацыя ўключана, мінімальная чырвоная сігналізацыя ўключана): 20V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 220 mOhm @ 10A, 20V,

Ліст з жаданняў

C2M0045170D

частка акцыі: 866

Тып FET: N-Channel, Тэхналогія: SiCFET (Silicon Carbide), Адток да крыніцы напружання (Vdss): 1700V, Ток - бесперапынны сцёк (Id) пры тэмпературы 25 ° C: 72A (Tc), Прываднае напружанне (максімальная чырвоная сігналізацыя ўключана, мінімальная чырвоная сігналізацыя ўключана): 20V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70 mOhm @ 50A, 20V,

Ліст з жаданняў

C3M0280090D

частка акцыі: 20168

Тып FET: N-Channel, Тэхналогія: SiCFET (Silicon Carbide), Адток да крыніцы напружання (Vdss): 900V, Ток - бесперапынны сцёк (Id) пры тэмпературы 25 ° C: 11.5A (Tc), Прываднае напружанне (максімальная чырвоная сігналізацыя ўключана, мінімальная чырвоная сігналізацыя ўключана): 15V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 360 mOhm @ 7.5A, 15V,

Ліст з жаданняў

C3M0075120J

частка акцыі: 5794

Тып FET: N-Channel, Тэхналогія: SiCFET (Silicon Carbide), Адток да крыніцы напружання (Vdss): 1200V, Ток - бесперапынны сцёк (Id) пры тэмпературы 25 ° C: 30A (Tc), Прываднае напружанне (максімальная чырвоная сігналізацыя ўключана, мінімальная чырвоная сігналізацыя ўключана): 15V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90 mOhm @ 20A, 15V,

Ліст з жаданняў

C3M0065100K

частка акцыі: 5808

Тып FET: N-Channel, Тэхналогія: SiCFET (Silicon Carbide), Адток да крыніцы напружання (Vdss): 1000V, Ток - бесперапынны сцёк (Id) пры тэмпературы 25 ° C: 35A (Tc), Прываднае напружанне (максімальная чырвоная сігналізацыя ўключана, мінімальная чырвоная сігналізацыя ўключана): 15V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 78 mOhm @ 20A, 15V,

Ліст з жаданняў

C3M0120090J

частка акцыі: 10579

Тып FET: N-Channel, Тэхналогія: SiCFET (Silicon Carbide), Адток да крыніцы напружання (Vdss): 900V, Ток - бесперапынны сцёк (Id) пры тэмпературы 25 ° C: 22A (Tc), Прываднае напружанне (максімальная чырвоная сігналізацыя ўключана, мінімальная чырвоная сігналізацыя ўключана): 15V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 155 mOhm @ 15A, 15V,

Ліст з жаданняў

CMF20120D

частка акцыі: 976

Тып FET: N-Channel, Тэхналогія: SiCFET (Silicon Carbide), Адток да крыніцы напружання (Vdss): 1200V, Ток - бесперапынны сцёк (Id) пры тэмпературы 25 ° C: 42A (Tc), Прываднае напружанне (максімальная чырвоная сігналізацыя ўключана, мінімальная чырвоная сігналізацыя ўключана): 20V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110 mOhm @ 20A, 20V,

Ліст з жаданняў

CMF10120D

частка акцыі: 1120

Тып FET: N-Channel, Тэхналогія: SiCFET (Silicon Carbide), Адток да крыніцы напружання (Vdss): 1200V, Ток - бесперапынны сцёк (Id) пры тэмпературы 25 ° C: 24A (Tc), Прываднае напружанне (максімальная чырвоная сігналізацыя ўключана, мінімальная чырвоная сігналізацыя ўключана): 20V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 220 mOhm @ 10A, 20V,

Ліст з жаданняў

C3M0120090D

частка акцыі: 10936

Тып FET: N-Channel, Тэхналогія: SiCFET (Silicon Carbide), Адток да крыніцы напружання (Vdss): 900V, Ток - бесперапынны сцёк (Id) пры тэмпературы 25 ° C: 23A (Tc), Прываднае напружанне (максімальная чырвоная сігналізацыя ўключана, мінімальная чырвоная сігналізацыя ўключана): 15V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 155 mOhm @ 15A, 15V,

Ліст з жаданняў

C2M0040120D

частка акцыі: 2045

Тып FET: N-Channel, Тэхналогія: SiCFET (Silicon Carbide), Адток да крыніцы напружання (Vdss): 1200V, Ток - бесперапынны сцёк (Id) пры тэмпературы 25 ° C: 60A (Tc), Прываднае напружанне (максімальная чырвоная сігналізацыя ўключана, мінімальная чырвоная сігналізацыя ўключана): 20V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 52 mOhm @ 40A, 20V,

Ліст з жаданняў

C2M0160120D

частка акцыі: 8382

Тып FET: N-Channel, Тэхналогія: SiCFET (Silicon Carbide), Адток да крыніцы напружання (Vdss): 1200V, Ток - бесперапынны сцёк (Id) пры тэмпературы 25 ° C: 19A (Tc), Прываднае напружанне (максімальная чырвоная сігналізацыя ўключана, мінімальная чырвоная сігналізацыя ўключана): 20V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 196 mOhm @ 10A, 20V,

Ліст з жаданняў

C3M0065100J-TR

частка акцыі: 93

Тып FET: N-Channel, Тэхналогія: SiC (Silicon Carbide Junction Transistor), Адток да крыніцы напружання (Vdss): 1000V, Ток - бесперапынны сцёк (Id) пры тэмпературы 25 ° C: 35A (Tc), Прываднае напружанне (максімальная чырвоная сігналізацыя ўключана, мінімальная чырвоная сігналізацыя ўключана): 15V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 78 mOhm @ 20A, 15V,

Ліст з жаданняў

C2M1000170J

частка акцыі: 12480

Тып FET: N-Channel, Тэхналогія: SiCFET (Silicon Carbide), Адток да крыніцы напружання (Vdss): 1700V, Ток - бесперапынны сцёк (Id) пры тэмпературы 25 ° C: 5.3A (Tc), Прываднае напружанне (максімальная чырвоная сігналізацыя ўключана, мінімальная чырвоная сігналізацыя ўключана): 20V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4 Ohm @ 2A, 20V,

Ліст з жаданняў

C3M0075120J-TR

частка акцыі: 280

Тып FET: N-Channel, Тэхналогія: SiC (Silicon Carbide Junction Transistor), Адток да крыніцы напружання (Vdss): 1200V, Ток - бесперапынны сцёк (Id) пры тэмпературы 25 ° C: 30A (Tc), Прываднае напружанне (максімальная чырвоная сігналізацыя ўключана, мінімальная чырвоная сігналізацыя ўключана): 15V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90 mOhm @ 20A, 15V,

Ліст з жаданняў

E3M0065090D

частка акцыі: 9953

Тып FET: N-Channel, Тэхналогія: SiCFET (Silicon Carbide), Адток да крыніцы напружання (Vdss): 900V, Ток - бесперапынны сцёк (Id) пры тэмпературы 25 ° C: 35A (Tc), Прываднае напружанне (максімальная чырвоная сігналізацыя ўключана, мінімальная чырвоная сігналізацыя ўключана): 15V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 84.5 mOhm @ 20A, 15V,

Ліст з жаданняў

E3M0280090D

частка акцыі: 8442

Тып FET: N-Channel, Тэхналогія: SiCFET (Silicon Carbide), Адток да крыніцы напружання (Vdss): 900V, Ток - бесперапынны сцёк (Id) пры тэмпературы 25 ° C: 11.5A (Tc), Прываднае напружанне (максімальная чырвоная сігналізацыя ўключана, мінімальная чырвоная сігналізацыя ўключана): 15V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 360 mOhm @ 7.5A, 15V,

Ліст з жаданняў

C3M0065090D

частка акцыі: 6981

Тып FET: N-Channel, Тэхналогія: SiCFET (Silicon Carbide), Адток да крыніцы напружання (Vdss): 900V, Ток - бесперапынны сцёк (Id) пры тэмпературы 25 ° C: 36A (Tc), Прываднае напружанне (максімальная чырвоная сігналізацыя ўключана, мінімальная чырвоная сігналізацыя ўключана): 15V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 78 mOhm @ 20A, 15V,

Ліст з жаданняў

C3M0065090J

частка акцыі: 6843

Тып FET: N-Channel, Тэхналогія: SiCFET (Silicon Carbide), Адток да крыніцы напружання (Vdss): 900V, Ток - бесперапынны сцёк (Id) пры тэмпературы 25 ° C: 35A (Tc), Прываднае напружанне (максімальная чырвоная сігналізацыя ўключана, мінімальная чырвоная сігналізацыя ўключана): 15V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 78 mOhm @ 20A, 15V,

Ліст з жаданняў

C2M0280120D

частка акцыі: 12900

Тып FET: N-Channel, Тэхналогія: SiCFET (Silicon Carbide), Адток да крыніцы напружання (Vdss): 1200V, Ток - бесперапынны сцёк (Id) пры тэмпературы 25 ° C: 10A (Tc), Прываднае напружанне (максімальная чырвоная сігналізацыя ўключана, мінімальная чырвоная сігналізацыя ўключана): 20V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 370 mOhm @ 6A, 20V,

Ліст з жаданняў

C2M1000170D

частка акцыі: 13276

Тып FET: N-Channel, Тэхналогія: SiCFET (Silicon Carbide), Адток да крыніцы напружання (Vdss): 1700V, Ток - бесперапынны сцёк (Id) пры тэмпературы 25 ° C: 4.9A (Tc), Прываднае напружанне (максімальная чырвоная сігналізацыя ўключана, мінімальная чырвоная сігналізацыя ўключана): 20V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.1 Ohm @ 2A, 20V,

Ліст з жаданняў

C2M0080120D

частка акцыі: 4209

Тып FET: N-Channel, Тэхналогія: SiCFET (Silicon Carbide), Адток да крыніцы напружання (Vdss): 1200V, Ток - бесперапынны сцёк (Id) пры тэмпературы 25 ° C: 36A (Tc), Прываднае напружанне (максімальная чырвоная сігналізацыя ўключана, мінімальная чырвоная сігналізацыя ўключана): 20V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 98 mOhm @ 20A, 20V,

Ліст з жаданняў

36