| Друкаваць | Апісанне |
| Статус часткі | Obsolete |
|---|---|
| Тып FET | N-Channel |
| Тэхналогія | SiCFET (Silicon Carbide) |
| Адток да крыніцы напружання (Vdss) | 1200V |
| Ток - бесперапынны сцёк (Id) пры тэмпературы 25 ° C | 28A (Tj) |
| Прываднае напружанне (максімальная чырвоная сігналізацыя ўключана, мінімальная чырвоная сігналізацыя ўключана) | 20V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 220 mOhm @ 10A, 20V |
| Vgs (й) (макс.) @ Ідэнтыфікатар | 4V @ 1mA |
| Зарад брамы (Qg) (макс.) @ Vgs | 47.1nC @ 20V |
| Vgs (макс.) | +25V, -5V |
| Уваходная ёмістасць (Ciss) (макс.) @ Vds | 928pF @ 800V |
| Функцыя FET | - |
| Рассейванне магутнасці (макс.) | 202W (Tj) |
| Працоўная тэмпература | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Тып мацавання | Surface Mount |
| Пакет прылад пастаўшчыка | Die |
| Пакет / чахол | Die |
| Статус RoHS | Rohs сумяшчальны |
|---|---|
| Ўзровень адчувальнасці вільгаці (MSL) | Не дастасавальна |
| LifeCyle Business | Састарэлы / канец жыцця |
| Акцыя катэгорыя | Даступны запас |
