Чып-рэзістар - павярхоўнае мацаванне

M55342E12B73B2RTP

M55342E12B73B2RTP

частка акцыі: 11542

Супраціўленне: 73.2 kOhms, Талерантнасць: ±0.1%, Магутнасць (Вт): 0.1W, 1/10W, Склад: Thin Film, Асаблівасці: Military, Non-Inductive, Тэмпературны каэфіцыент: ±25ppm/°C,

M55342K01B10E0RTIV

M55342K01B10E0RTIV

частка акцыі: 11594

Супраціўленне: 10 kOhms, Талерантнасць: ±1%, Магутнасць (Вт): 0.05W, 1/20W, Склад: Thin Film, Асаблівасці: Military, Non-Inductive, Тэмпературны каэфіцыент: ±100ppm/°C,

D55342E07B48B7RTP

D55342E07B48B7RTP

частка акцыі: 11617

Супраціўленне: 48.7 kOhms, Талерантнасць: ±0.1%, Магутнасць (Вт): 0.25W, 1/4W, Склад: Thin Film, Асаблівасці: Military, Non-Inductive, Тэмпературны каэфіцыент: ±25ppm/°C,

D55342E07B1H00RWI

D55342E07B1H00RWI

частка акцыі: 11552

Супраціўленне: 1 kOhms, Талерантнасць: ±2%, Магутнасць (Вт): 0.25W, 1/4W, Склад: Thin Film, Асаблівасці: Military, Non-Inductive, Тэмпературны каэфіцыент: ±25ppm/°C,

D55342E07B240ARWI

D55342E07B240ARWI

частка акцыі: 11555

Супраціўленне: 240 Ohms, Талерантнасць: ±0.1%, Магутнасць (Вт): 0.25W, 1/4W, Склад: Thin Film, Асаблівасці: Military, Non-Inductive, Тэмпературны каэфіцыент: ±25ppm/°C,

D55342K07B75B0RWI

D55342K07B75B0RWI

частка акцыі: 11555

Супраціўленне: 75 kOhms, Талерантнасць: ±0.1%, Магутнасць (Вт): 0.25W, 1/4W, Склад: Thin Film, Асаблівасці: Military, Non-Inductive, Тэмпературны каэфіцыент: ±100ppm/°C,

M55342E02B475DRWI

M55342E02B475DRWI

частка акцыі: 11617

Супраціўленне: 475 Ohms, Талерантнасць: ±1%, Магутнасць (Вт): 0.125W, 1/8W, Склад: Thin Film, Асаблівасці: Military, Non-Inductive, Тэмпературны каэфіцыент: ±25ppm/°C,

D55342E07B249ARTP

D55342E07B249ARTP

частка акцыі: 11587

Супраціўленне: 249 Ohms, Талерантнасць: ±0.1%, Магутнасць (Вт): 0.25W, 1/4W, Склад: Thin Film, Асаблівасці: Military, Non-Inductive, Тэмпературны каэфіцыент: ±25ppm/°C,

M55342E12B10B0RWI

M55342E12B10B0RWI

частка акцыі: 11604

Супраціўленне: 10 kOhms, Талерантнасць: ±0.1%, Магутнасць (Вт): 0.1W, 1/10W, Склад: Thin Film, Асаблівасці: Military, Non-Inductive, Тэмпературны каэфіцыент: ±25ppm/°C,

M55342E06B157BRWI

M55342E06B157BRWI

частка акцыі: 11581

Супраціўленне: 157 kOhms, Талерантнасць: ±0.1%, Магутнасць (Вт): 0.15W, Склад: Thin Film, Асаблівасці: Military, Non-Inductive, Тэмпературны каэфіцыент: ±25ppm/°C,

D55342E07B16B7RWI

D55342E07B16B7RWI

частка акцыі: 11599

Супраціўленне: 16.7 kOhms, Талерантнасць: ±0.1%, Магутнасць (Вт): 0.25W, 1/4W, Склад: Thin Film, Асаблівасці: Military, Non-Inductive, Тэмпературны каэфіцыент: ±25ppm/°C,

M55342E06B383ARWI

M55342E06B383ARWI

частка акцыі: 11560

Супраціўленне: 383 Ohms, Талерантнасць: ±0.1%, Магутнасць (Вт): 0.15W, Склад: Thin Film, Асаблівасці: Military, Non-Inductive, Тэмпературны каэфіцыент: ±25ppm/°C,

M55342K06B15B0RTP

M55342K06B15B0RTP

частка акцыі: 11597

Супраціўленне: 15 kOhms, Талерантнасць: ±0.1%, Магутнасць (Вт): 0.15W, Склад: Thin Film, Асаблівасці: Military, Non-Inductive, Тэмпературны каэфіцыент: ±100ppm/°C,

D55342E07B16B7RTP

D55342E07B16B7RTP

частка акцыі: 11557

Супраціўленне: 16.7 kOhms, Талерантнасць: ±0.1%, Магутнасць (Вт): 0.25W, 1/4W, Склад: Thin Film, Асаблівасці: Military, Non-Inductive, Тэмпературны каэфіцыент: ±25ppm/°C,

D55342E07B2B49RWI

D55342E07B2B49RWI

частка акцыі: 11576

Супраціўленне: 2.49 kOhms, Талерантнасць: ±0.1%, Магутнасць (Вт): 0.25W, 1/4W, Склад: Thin Film, Асаблівасці: Military, Non-Inductive, Тэмпературны каэфіцыент: ±25ppm/°C,

M55342K04B11E0RTIV

M55342K04B11E0RTIV

частка акцыі: 11626

Супраціўленне: 11 kOhms, Талерантнасць: ±1%, Магутнасць (Вт): 0.15W, Склад: Thin Film, Асаблівасці: Military, Non-Inductive, Тэмпературны каэфіцыент: ±100ppm/°C,

D55342E07B15B8RTP

D55342E07B15B8RTP

частка акцыі: 11545

Супраціўленне: 15.8 kOhms, Талерантнасць: ±0.1%, Магутнасць (Вт): 0.25W, 1/4W, Склад: Thin Film, Асаблівасці: Military, Non-Inductive, Тэмпературны каэфіцыент: ±25ppm/°C,

M55342E10B4B02RWI

M55342E10B4B02RWI

частка акцыі: 11576

Супраціўленне: 4.02 kOhms, Талерантнасць: ±0.1%, Магутнасць (Вт): 0.5W, 1/2W, Склад: Thin Film, Асаблівасці: Military, Non-Inductive, Тэмпературны каэфіцыент: ±25ppm/°C,

D55342K07B17A8RWI

D55342K07B17A8RWI

частка акцыі: 11578

Супраціўленне: 17.8 Ohms, Талерантнасць: ±0.1%, Магутнасць (Вт): 0.25W, 1/4W, Склад: Thin Film, Асаблівасці: Military, Non-Inductive, Тэмпературны каэфіцыент: ±100ppm/°C,

D55342K07B5B11RWI

D55342K07B5B11RWI

частка акцыі: 11622

Супраціўленне: 5.11 kOhms, Талерантнасць: ±0.1%, Магутнасць (Вт): 0.25W, 1/4W, Склад: Thin Film, Асаблівасці: Military, Non-Inductive, Тэмпературны каэфіцыент: ±100ppm/°C,

D55342E07B8B87RWI

D55342E07B8B87RWI

частка акцыі: 11553

Супраціўленне: 8.87 kOhms, Талерантнасць: ±0.1%, Магутнасць (Вт): 0.25W, 1/4W, Склад: Thin Film, Асаблівасці: Military, Non-Inductive, Тэмпературны каэфіцыент: ±25ppm/°C,

M55342K06B1B00RTI

M55342K06B1B00RTI

частка акцыі: 11547

Супраціўленне: 1 kOhms, Талерантнасць: ±0.1%, Магутнасць (Вт): 0.15W, Склад: Thin Film, Асаблівасці: Military, Non-Inductive, Тэмпературны каэфіцыент: ±100ppm/°C,

M55342E06B25B5RWI

M55342E06B25B5RWI

частка акцыі: 11616

Супраціўленне: 25.5 kOhms, Талерантнасць: ±0.1%, Магутнасць (Вт): 0.15W, Склад: Thin Film, Асаблівасці: Military, Non-Inductive, Тэмпературны каэфіцыент: ±25ppm/°C,

M55342K06B10B0RTP

M55342K06B10B0RTP

частка акцыі: 11605

Супраціўленне: 10 kOhms, Талерантнасць: ±0.1%, Магутнасць (Вт): 0.15W, Склад: Thin Film, Асаблівасці: Military, Non-Inductive, Тэмпературны каэфіцыент: ±100ppm/°C,

D55342E07B15B0RTI

D55342E07B15B0RTI

частка акцыі: 11606

Супраціўленне: 15 kOhms, Талерантнасць: ±0.1%, Магутнасць (Вт): 0.25W, 1/4W, Склад: Thin Film, Асаблівасці: Military, Non-Inductive, Тэмпературны каэфіцыент: ±25ppm/°C,

M55342H06B2E00RWI

M55342H06B2E00RWI

частка акцыі: 12157

Супраціўленне: 2 kOhms, Талерантнасць: ±1%, Магутнасць (Вт): 0.15W, Склад: Thin Film, Асаблівасці: Military, Non-Inductive, Тэмпературны каэфіцыент: ±50ppm/°C,

D55342E07B9B53RTP

D55342E07B9B53RTP

частка акцыі: 11592

Супраціўленне: 9.53 kOhms, Талерантнасць: ±0.1%, Магутнасць (Вт): 0.25W, 1/4W, Склад: Thin Film, Асаблівасці: Military, Non-Inductive, Тэмпературны каэфіцыент: ±25ppm/°C,

D55342K07B60B4RWI

D55342K07B60B4RWI

частка акцыі: 11582

Супраціўленне: 60.4 kOhms, Талерантнасць: ±0.1%, Магутнасць (Вт): 0.25W, 1/4W, Склад: Thin Film, Асаблівасці: Military, Non-Inductive, Тэмпературны каэфіцыент: ±100ppm/°C,

D55342E07B10B0RTI

D55342E07B10B0RTI

частка акцыі: 11611

Супраціўленне: 10 kOhms, Талерантнасць: ±0.1%, Магутнасць (Вт): 0.25W, 1/4W, Склад: Thin Film, Асаблівасці: Military, Non-Inductive, Тэмпературны каэфіцыент: ±25ppm/°C,

D55342E07B698ARWI

D55342E07B698ARWI

частка акцыі: 11606

Супраціўленне: 698 Ohms, Талерантнасць: ±0.1%, Магутнасць (Вт): 0.25W, 1/4W, Склад: Thin Film, Асаблівасці: Military, Non-Inductive, Тэмпературны каэфіцыент: ±25ppm/°C,

D55342E07B40B2RTP

D55342E07B40B2RTP

частка акцыі: 11598

Супраціўленне: 40.2 kOhms, Талерантнасць: ±0.1%, Магутнасць (Вт): 0.25W, 1/4W, Склад: Thin Film, Асаблівасці: Military, Non-Inductive, Тэмпературны каэфіцыент: ±25ppm/°C,

D55342E07B5B11RTI

D55342E07B5B11RTI

частка акцыі: 11547

Супраціўленне: 5.11 kOhms, Талерантнасць: ±0.1%, Магутнасць (Вт): 0.25W, 1/4W, Склад: Thin Film, Асаблівасці: Military, Non-Inductive, Тэмпературны каэфіцыент: ±25ppm/°C,

D55342E07B1B00PWP

D55342E07B1B00PWP

частка акцыі: 11615

Супраціўленне: 1 kOhms, Талерантнасць: ±0.1%, Магутнасць (Вт): 0.25W, 1/4W, Склад: Thin Film, Асаблівасці: Military, Non-Inductive, Тэмпературны каэфіцыент: ±25ppm/°C,

M55342E06B240ARTP

M55342E06B240ARTP

частка акцыі: 11548

Супраціўленне: 240 Ohms, Талерантнасць: ±0.1%, Магутнасць (Вт): 0.15W, Склад: Thin Film, Асаблівасці: Military, Non-Inductive, Тэмпературны каэфіцыент: ±25ppm/°C,

D55342E07B965ARWI

D55342E07B965ARWI

частка акцыі: 11616

Супраціўленне: 965 Ohms, Талерантнасць: ±0.1%, Магутнасць (Вт): 0.25W, 1/4W, Склад: Thin Film, Асаблівасці: Military, Non-Inductive, Тэмпературны каэфіцыент: ±25ppm/°C,

D55342H07B200ERTI

D55342H07B200ERTI

частка акцыі: 11564

Супраціўленне: 200 kOhms, Талерантнасць: ±1%, Магутнасць (Вт): 0.25W, 1/4W, Склад: Thin Film, Асаблівасці: Military, Non-Inductive, Тэмпературны каэфіцыент: ±50ppm/°C,