Чып-рэзістар - павярхоўнае мацаванне

D55342E07B31B6RTP

D55342E07B31B6RTP

частка акцыі: 11622

Супраціўленне: 31.6 kOhms, Талерантнасць: ±0.1%, Магутнасць (Вт): 0.25W, 1/4W, Склад: Thin Film, Асаблівасці: Military, Non-Inductive, Тэмпературны каэфіцыент: ±25ppm/°C,

D55342E07B6B65RTP

D55342E07B6B65RTP

частка акцыі: 11603

Супраціўленне: 6.65 kOhms, Талерантнасць: ±0.1%, Магутнасць (Вт): 0.25W, 1/4W, Склад: Thin Film, Асаблівасці: Military, Non-Inductive, Тэмпературны каэфіцыент: ±25ppm/°C,

D55342E07B2B34RTP

D55342E07B2B34RTP

частка акцыі: 11535

Супраціўленне: 2.34 kOhms, Талерантнасць: ±0.1%, Магутнасць (Вт): 0.25W, 1/4W, Склад: Thin Film, Асаблівасці: Military, Non-Inductive, Тэмпературны каэфіцыент: ±25ppm/°C,

D55342E07B3B44RWI

D55342E07B3B44RWI

частка акцыі: 11588

Супраціўленне: 3.44 kOhms, Талерантнасць: ±0.1%, Магутнасць (Вт): 0.25W, 1/4W, Склад: Thin Film, Асаблівасці: Military, Non-Inductive, Тэмпературны каэфіцыент: ±25ppm/°C,

M55342E06B1B21RWI

M55342E06B1B21RWI

частка акцыі: 11619

Супраціўленне: 1.21 kOhms, Талерантнасць: ±0.1%, Магутнасць (Вт): 0.15W, Склад: Thin Film, Асаблівасці: Military, Non-Inductive, Тэмпературны каэфіцыент: ±25ppm/°C,

M55342E12B49A9RTI

M55342E12B49A9RTI

частка акцыі: 11605

Супраціўленне: 49.9 Ohms, Талерантнасць: ±0.1%, Магутнасць (Вт): 0.1W, 1/10W, Склад: Thin Film, Асаблівасці: Military, Non-Inductive, Тэмпературны каэфіцыент: ±25ppm/°C,

M55342E06B63B4RWI

M55342E06B63B4RWI

частка акцыі: 11599

Супраціўленне: 63.4 kOhms, Талерантнасць: ±0.1%, Магутнасць (Вт): 0.15W, Склад: Thin Film, Асаблівасці: Military, Non-Inductive, Тэмпературны каэфіцыент: ±25ppm/°C,

M55342E12B1B96RWI

M55342E12B1B96RWI

частка акцыі: 11553

Супраціўленне: 1.96 kOhms, Талерантнасць: ±0.1%, Магутнасць (Вт): 0.1W, 1/10W, Склад: Thin Film, Асаблівасці: Military, Non-Inductive, Тэмпературны каэфіцыент: ±25ppm/°C,

D55342H07B13E7RWI

D55342H07B13E7RWI

частка акцыі: 11624

Супраціўленне: 13.7 kOhms, Талерантнасць: ±1%, Магутнасць (Вт): 0.25W, 1/4W, Склад: Thin Film, Асаблівасці: Military, Non-Inductive, Тэмпературны каэфіцыент: ±50ppm/°C,

M55342E12B18B7RWI

M55342E12B18B7RWI

частка акцыі: 11550

Супраціўленне: 18.7 kOhms, Талерантнасць: ±0.1%, Магутнасць (Вт): 0.1W, 1/10W, Склад: Thin Film, Асаблівасці: Military, Non-Inductive, Тэмпературны каэфіцыент: ±25ppm/°C,

D55342K07B9B09RTI

D55342K07B9B09RTI

частка акцыі: 11542

Супраціўленне: 9.09 kOhms, Талерантнасць: ±0.1%, Магутнасць (Вт): 0.25W, 1/4W, Склад: Thin Film, Асаблівасці: Military, Non-Inductive, Тэмпературны каэфіцыент: ±100ppm/°C,

M55342E06B47B0RWI

M55342E06B47B0RWI

частка акцыі: 11536

Супраціўленне: 47 kOhms, Талерантнасць: ±0.1%, Магутнасць (Вт): 0.15W, Склад: Thin Film, Асаблівасці: Military, Non-Inductive, Тэмпературны каэфіцыент: ±25ppm/°C,

M55342H06B39A0RWI

M55342H06B39A0RWI

частка акцыі: 12204

Супраціўленне: 39 Ohms, Талерантнасць: ±0.1%, Магутнасць (Вт): 0.15W, Склад: Thin Film, Асаблівасці: Military, Non-Inductive, Тэмпературны каэфіцыент: ±50ppm/°C,

M55342E12B43B2RWI

M55342E12B43B2RWI

частка акцыі: 11625

Супраціўленне: 43.2 kOhms, Талерантнасць: ±0.1%, Магутнасць (Вт): 0.1W, 1/10W, Склад: Thin Film, Асаблівасці: Military, Non-Inductive, Тэмпературны каэфіцыент: ±25ppm/°C,

M55342K12B2B74RWI

M55342K12B2B74RWI

частка акцыі: 11560

Супраціўленне: 2.74 kOhms, Талерантнасць: ±0.1%, Магутнасць (Вт): 0.1W, 1/10W, Склад: Thin Film, Асаблівасці: Military, Non-Inductive, Тэмпературны каэфіцыент: ±100ppm/°C,

D55342E07B3E32RWP

D55342E07B3E32RWP

частка акцыі: 11625

Супраціўленне: 3.32 kOhms, Талерантнасць: ±1%, Магутнасць (Вт): 0.25W, 1/4W, Склад: Thin Film, Асаблівасці: Military, Non-Inductive, Тэмпературны каэфіцыент: ±25ppm/°C,

M55342E12B2B32RWI

M55342E12B2B32RWI

частка акцыі: 195

Супраціўленне: 2.32 kOhms, Талерантнасць: ±0.1%, Магутнасць (Вт): 0.1W, 1/10W, Склад: Thin Film, Асаблівасці: Military, Non-Inductive, Тэмпературны каэфіцыент: ±25ppm/°C,

M55342E06B13B0RWI

M55342E06B13B0RWI

частка акцыі: 11562

Супраціўленне: 13 kOhms, Талерантнасць: ±0.1%, Магутнасць (Вт): 0.15W, Склад: Thin Film, Асаблівасці: Military, Non-Inductive, Тэмпературны каэфіцыент: ±25ppm/°C,

D55342E07B9B09RWI

D55342E07B9B09RWI

частка акцыі: 11626

Супраціўленне: 9.09 kOhms, Талерантнасць: ±0.1%, Магутнасць (Вт): 0.25W, 1/4W, Склад: Thin Film, Асаблівасці: Military, Non-Inductive, Тэмпературны каэфіцыент: ±25ppm/°C,

M55342E06B102BRTI

M55342E06B102BRTI

частка акцыі: 11567

Супраціўленне: 102 kOhms, Талерантнасць: ±0.1%, Магутнасць (Вт): 0.15W, Склад: Thin Film, Асаблівасці: Military, Non-Inductive, Тэмпературны каэфіцыент: ±25ppm/°C,

M55342E02B56D2RWI

M55342E02B56D2RWI

частка акцыі: 11573

Супраціўленне: 56.2 Ohms, Талерантнасць: ±1%, Магутнасць (Вт): 0.125W, 1/8W, Склад: Thin Film, Асаблівасці: Military, Non-Inductive, Тэмпературны каэфіцыент: ±25ppm/°C,

D55342E07B835ARTP

D55342E07B835ARTP

частка акцыі: 11596

Супраціўленне: 835 Ohms, Талерантнасць: ±0.1%, Магутнасць (Вт): 0.25W, 1/4W, Склад: Thin Film, Асаблівасці: Military, Non-Inductive, Тэмпературны каэфіцыент: ±25ppm/°C,

M55342K12B4B32RWI

M55342K12B4B32RWI

частка акцыі: 11564

Супраціўленне: 4.32 kOhms, Талерантнасць: ±0.1%, Магутнасць (Вт): 0.1W, 1/10W, Склад: Thin Film, Асаблівасці: Military, Non-Inductive, Тэмпературны каэфіцыент: ±100ppm/°C,

D55342H07B6E04RWP

D55342H07B6E04RWP

частка акцыі: 11581

Супраціўленне: 6.04 kOhms, Талерантнасць: ±1%, Магутнасць (Вт): 0.25W, 1/4W, Склад: Thin Film, Асаблівасці: Military, Non-Inductive, Тэмпературны каэфіцыент: ±50ppm/°C,

M55342E11B1B00RWI

M55342E11B1B00RWI

частка акцыі: 11616

Супраціўленне: 1 kOhms, Талерантнасць: ±0.1%, Магутнасць (Вт): 0.05W, 1/20W, Склад: Thin Film, Асаблівасці: Military, Non-Inductive, Тэмпературны каэфіцыент: ±25ppm/°C,

M55342E02B10B0RTI

M55342E02B10B0RTI

частка акцыі: 11579

Супраціўленне: 10 kOhms, Талерантнасць: ±0.1%, Магутнасць (Вт): 0.125W, 1/8W, Склад: Thin Film, Асаблівасці: Military, Non-Inductive, Тэмпературны каэфіцыент: ±25ppm/°C,

D55342E07B3B74RTP

D55342E07B3B74RTP

частка акцыі: 11541

Супраціўленне: 3.74 kOhms, Талерантнасць: ±0.1%, Магутнасць (Вт): 0.25W, 1/4W, Склад: Thin Film, Асаблівасці: Military, Non-Inductive, Тэмпературны каэфіцыент: ±25ppm/°C,

M55342E06B2B37RWI

M55342E06B2B37RWI

частка акцыі: 11546

Супраціўленне: 2.37 kOhms, Талерантнасць: ±0.1%, Магутнасць (Вт): 0.15W, Склад: Thin Film, Асаблівасці: Military, Non-Inductive, Тэмпературны каэфіцыент: ±25ppm/°C,

M55342E12B8B20RWI

M55342E12B8B20RWI

частка акцыі: 11532

Супраціўленне: 8.2 kOhms, Талерантнасць: ±0.1%, Магутнасць (Вт): 0.1W, 1/10W, Склад: Thin Film, Асаблівасці: Military, Non-Inductive, Тэмпературны каэфіцыент: ±25ppm/°C,

M55342E06B442ARWI

M55342E06B442ARWI

частка акцыі: 11549

Супраціўленне: 442 Ohms, Талерантнасць: ±0.1%, Магутнасць (Вт): 0.15W, Склад: Thin Film, Асаблівасці: Military, Non-Inductive, Тэмпературны каэфіцыент: ±25ppm/°C,

D55342H07B942BRWI

D55342H07B942BRWI

частка акцыі: 11591

Супраціўленне: 942 kOhms, Талерантнасць: ±0.1%, Магутнасць (Вт): 0.25W, 1/4W, Склад: Thin Film, Асаблівасці: Military, Non-Inductive, Тэмпературны каэфіцыент: ±50ppm/°C,

M55342K01B9E31RTIV

M55342K01B9E31RTIV

частка акцыі: 11541

Супраціўленне: 9.31 kOhms, Талерантнасць: ±1%, Магутнасць (Вт): 0.05W, 1/20W, Склад: Thin Film, Асаблівасці: Military, Non-Inductive, Тэмпературны каэфіцыент: ±100ppm/°C,

D55342E07B1F00RTI

D55342E07B1F00RTI

частка акцыі: 11557

Супраціўленне: 1 MOhms, Талерантнасць: ±1%, Магутнасць (Вт): 0.25W, 1/4W, Склад: Thin Film, Асаблівасці: Military, Non-Inductive, Тэмпературны каэфіцыент: ±25ppm/°C,

M55342E11B49D9RWI

M55342E11B49D9RWI

частка акцыі: 11552

Супраціўленне: 49.9 Ohms, Талерантнасць: ±1%, Магутнасць (Вт): 0.05W, 1/20W, Склад: Thin Film, Асаблівасці: Military, Non-Inductive, Тэмпературны каэфіцыент: ±25ppm/°C,

M55342E06B8B06RWI

M55342E06B8B06RWI

частка акцыі: 11539

Супраціўленне: 8.06 kOhms, Талерантнасць: ±0.1%, Магутнасць (Вт): 0.15W, Склад: Thin Film, Асаблівасці: Military, Non-Inductive, Тэмпературны каэфіцыент: ±25ppm/°C,

M55342E12B200ARWI

M55342E12B200ARWI

частка акцыі: 11579

Супраціўленне: 200 Ohms, Талерантнасць: ±0.1%, Магутнасць (Вт): 0.1W, 1/10W, Склад: Thin Film, Асаблівасці: Military, Non-Inductive, Тэмпературны каэфіцыент: ±25ppm/°C,