Чып-рэзістар - павярхоўнае мацаванне

M55342E06B31B2RWP

M55342E06B31B2RWP

частка акцыі: 11567

Супраціўленне: 31.2 kOhms, Талерантнасць: ±0.1%, Магутнасць (Вт): 0.15W, Склад: Thin Film, Асаблівасці: Military, Non-Inductive, Тэмпературны каэфіцыент: ±25ppm/°C,

M55342E12B10E0RTI

M55342E12B10E0RTI

частка акцыі: 11630

Супраціўленне: 10 kOhms, Талерантнасць: ±1%, Магутнасць (Вт): 0.1W, 1/10W, Склад: Thin Film, Асаблівасці: Military, Non-Inductive, Тэмпературны каэфіцыент: ±25ppm/°C,

M55342E12B51B0RWI

M55342E12B51B0RWI

частка акцыі: 11612

Супраціўленне: 51 kOhms, Талерантнасць: ±0.1%, Магутнасць (Вт): 0.1W, 1/10W, Склад: Thin Film, Асаблівасці: Military, Non-Inductive, Тэмпературны каэфіцыент: ±25ppm/°C,

M55342E02B121DRWI

M55342E02B121DRWI

частка акцыі: 11589

Супраціўленне: 121 Ohms, Талерантнасць: ±1%, Магутнасць (Вт): 0.125W, 1/8W, Склад: Thin Film, Асаблівасці: Military, Non-Inductive, Тэмпературны каэфіцыент: ±25ppm/°C,

M55342H11B10E0RWI

M55342H11B10E0RWI

частка акцыі: 12120

Супраціўленне: 10 kOhms, Талерантнасць: ±1%, Магутнасць (Вт): 0.05W, 1/20W, Склад: Thin Film, Асаблівасці: Military, Non-Inductive, Тэмпературны каэфіцыент: ±50ppm/°C,

M55342E11B20B0RWI

M55342E11B20B0RWI

частка акцыі: 11607

Супраціўленне: 20 kOhms, Талерантнасць: ±0.1%, Магутнасць (Вт): 0.05W, 1/20W, Склад: Thin Film, Асаблівасці: Military, Non-Inductive, Тэмпературны каэфіцыент: ±25ppm/°C,

D55342H07B9B53RTP

D55342H07B9B53RTP

частка акцыі: 11556

Супраціўленне: 9.53 kOhms, Талерантнасць: ±0.1%, Магутнасць (Вт): 0.25W, 1/4W, Склад: Thin Film, Асаблівасці: Military, Non-Inductive, Тэмпературны каэфіцыент: ±50ppm/°C,

M55342K01B10E2RTIV

M55342K01B10E2RTIV

частка акцыі: 11550

Супраціўленне: 10.2 kOhms, Талерантнасць: ±1%, Магутнасць (Вт): 0.05W, 1/20W, Склад: Thin Film, Асаблівасці: Military, Non-Inductive, Тэмпературны каэфіцыент: ±100ppm/°C,

D55342E07B392ARTP

D55342E07B392ARTP

частка акцыі: 11615

Супраціўленне: 392 Ohms, Талерантнасць: ±0.1%, Магутнасць (Вт): 0.25W, 1/4W, Склад: Thin Film, Асаблівасці: Military, Non-Inductive, Тэмпературны каэфіцыент: ±25ppm/°C,

M55342E11B1B24RTI

M55342E11B1B24RTI

частка акцыі: 11534

Супраціўленне: 1.24 kOhms, Талерантнасць: ±0.1%, Магутнасць (Вт): 0.05W, 1/20W, Склад: Thin Film, Асаблівасці: Military, Non-Inductive, Тэмпературны каэфіцыент: ±25ppm/°C,

D55342K07B24D3RTPV

D55342K07B24D3RTPV

частка акцыі: 11547

Супраціўленне: 24.3 Ohms, Талерантнасць: ±1%, Магутнасць (Вт): 0.25W, 1/4W, Склад: Thin Film, Асаблівасці: Military, Non-Inductive, Тэмпературны каэфіцыент: ±100ppm/°C,

M55342E06B100BRWI

M55342E06B100BRWI

частка акцыі: 11575

Супраціўленне: 100 kOhms, Талерантнасць: ±0.1%, Магутнасць (Вт): 0.15W, Склад: Thin Film, Асаблівасці: Military, Non-Inductive, Тэмпературны каэфіцыент: ±25ppm/°C,

D55342H07B1E00RTI

D55342H07B1E00RTI

частка акцыі: 11572

Супраціўленне: 1 kOhms, Талерантнасць: ±1%, Магутнасць (Вт): 0.25W, 1/4W, Склад: Thin Film, Асаблівасці: Military, Non-Inductive, Тэмпературны каэфіцыент: ±50ppm/°C,

M55342H11B200DRWI

M55342H11B200DRWI

частка акцыі: 12167

Супраціўленне: 200 Ohms, Талерантнасць: ±1%, Магутнасць (Вт): 0.05W, 1/20W, Склад: Thin Film, Асаблівасці: Military, Non-Inductive, Тэмпературны каэфіцыент: ±50ppm/°C,

D55342E07B10B2RTI

D55342E07B10B2RTI

частка акцыі: 11628

Супраціўленне: 10.2 kOhms, Талерантнасць: ±0.1%, Магутнасць (Вт): 0.25W, 1/4W, Склад: Thin Film, Асаблівасці: Military, Non-Inductive, Тэмпературны каэфіцыент: ±25ppm/°C,

M55342E06B931ARWI

M55342E06B931ARWI

частка акцыі: 11558

Супраціўленне: 931 Ohms, Талерантнасць: ±0.1%, Магутнасць (Вт): 0.15W, Склад: Thin Film, Асаблівасці: Military, Non-Inductive, Тэмпературны каэфіцыент: ±25ppm/°C,

D55342E07B154BRWI

D55342E07B154BRWI

частка акцыі: 11558

Супраціўленне: 154 kOhms, Талерантнасць: ±0.1%, Магутнасць (Вт): 0.25W, 1/4W, Склад: Thin Film, Асаблівасці: Military, Non-Inductive, Тэмпературны каэфіцыент: ±25ppm/°C,

D55342E07B1B00RTP

D55342E07B1B00RTP

частка акцыі: 11598

Супраціўленне: 1 kOhms, Талерантнасць: ±0.1%, Магутнасць (Вт): 0.25W, 1/4W, Склад: Thin Film, Асаблівасці: Military, Non-Inductive, Тэмпературны каэфіцыент: ±25ppm/°C,

D55342E07B2B21RTP

D55342E07B2B21RTP

частка акцыі: 11549

Супраціўленне: 2.21 kOhms, Талерантнасць: ±0.1%, Магутнасць (Вт): 0.25W, 1/4W, Склад: Thin Film, Асаблівасці: Military, Non-Inductive, Тэмпературны каэфіцыент: ±25ppm/°C,

D55342E07B15B0RTP

D55342E07B15B0RTP

частка акцыі: 11631

Супраціўленне: 15 kOhms, Талерантнасць: ±0.1%, Магутнасць (Вт): 0.25W, 1/4W, Склад: Thin Film, Асаблівасці: Military, Non-Inductive, Тэмпературны каэфіцыент: ±25ppm/°C,

D55342E07B2B00RWI

D55342E07B2B00RWI

частка акцыі: 11533

Супраціўленне: 2 kOhms, Талерантнасць: ±0.1%, Магутнасць (Вт): 0.25W, 1/4W, Склад: Thin Film, Асаблівасці: Military, Non-Inductive, Тэмпературны каэфіцыент: ±25ppm/°C,

D55342E07B37B4MTP

D55342E07B37B4MTP

частка акцыі: 11532

Супраціўленне: 37.4 kOhms, Талерантнасць: ±0.1%, Магутнасць (Вт): 0.25W, 1/4W, Склад: Thin Film, Асаблівасці: Military, Non-Inductive, Тэмпературны каэфіцыент: ±25ppm/°C,

D55342E07B274ARWI

D55342E07B274ARWI

частка акцыі: 11541

Супраціўленне: 274 Ohms, Талерантнасць: ±0.1%, Магутнасць (Вт): 0.25W, 1/4W, Склад: Thin Film, Асаблівасці: Military, Non-Inductive, Тэмпературны каэфіцыент: ±25ppm/°C,

D55342E07B51E1RWI

D55342E07B51E1RWI

частка акцыі: 11589

Супраціўленне: 51.1 kOhms, Талерантнасць: ±1%, Магутнасць (Вт): 0.25W, 1/4W, Склад: Thin Film, Асаблівасці: Military, Non-Inductive, Тэмпературны каэфіцыент: ±25ppm/°C,

D55342K07B8B25RTP

D55342K07B8B25RTP

частка акцыі: 11617

Супраціўленне: 8.25 kOhms, Талерантнасць: ±0.1%, Магутнасць (Вт): 0.25W, 1/4W, Склад: Thin Film, Асаблівасці: Military, Non-Inductive, Тэмпературны каэфіцыент: ±100ppm/°C,

M55342H11B75D0RWI

M55342H11B75D0RWI

частка акцыі: 11533

Супраціўленне: 75 Ohms, Талерантнасць: ±1%, Магутнасць (Вт): 0.05W, 1/20W, Склад: Thin Film, Асаблівасці: Military, Non-Inductive, Тэмпературны каэфіцыент: ±50ppm/°C,

M55342H06B2E32RWI

M55342H06B2E32RWI

частка акцыі: 12135

Супраціўленне: 2.32 kOhms, Талерантнасць: ±1%, Магутнасць (Вт): 0.15W, Склад: Thin Film, Асаблівасці: Military, Non-Inductive, Тэмпературны каэфіцыент: ±50ppm/°C,

D55342H07B53B6RTP

D55342H07B53B6RTP

частка акцыі: 11561

Супраціўленне: 53.6 kOhms, Талерантнасць: ±0.1%, Магутнасць (Вт): 0.25W, 1/4W, Склад: Thin Film, Асаблівасці: Military, Non-Inductive, Тэмпературны каэфіцыент: ±50ppm/°C,

M55342E06B4B75RWI

M55342E06B4B75RWI

частка акцыі: 11579

Супраціўленне: 4.75 kOhms, Талерантнасць: ±0.1%, Магутнасць (Вт): 0.15W, Склад: Thin Film, Асаблівасці: Military, Non-Inductive, Тэмпературны каэфіцыент: ±25ppm/°C,

D55342K07B249ARWP

D55342K07B249ARWP

частка акцыі: 11584

Супраціўленне: 249 Ohms, Талерантнасць: ±0.1%, Магутнасць (Вт): 0.25W, 1/4W, Склад: Thin Film, Асаблівасці: Military, Non-Inductive, Тэмпературны каэфіцыент: ±100ppm/°C,

D55342E07B187ARWI

D55342E07B187ARWI

частка акцыі: 11588

Супраціўленне: 187 Ohms, Талерантнасць: ±0.1%, Магутнасць (Вт): 0.25W, 1/4W, Склад: Thin Film, Асаблівасці: Military, Non-Inductive, Тэмпературны каэфіцыент: ±25ppm/°C,

D55342E07B14B7RTI

D55342E07B14B7RTI

частка акцыі: 11579

Супраціўленне: 14.7 kOhms, Талерантнасць: ±0.1%, Магутнасць (Вт): 0.25W, 1/4W, Склад: Thin Film, Асаблівасці: Military, Non-Inductive, Тэмпературны каэфіцыент: ±25ppm/°C,

D55342E07B1B37RWI

D55342E07B1B37RWI

частка акцыі: 11580

Супраціўленне: 1.37 kOhms, Талерантнасць: ±0.1%, Магутнасць (Вт): 0.25W, 1/4W, Склад: Thin Film, Асаблівасці: Military, Non-Inductive, Тэмпературны каэфіцыент: ±25ppm/°C,

D55342E07B15B2RWI

D55342E07B15B2RWI

частка акцыі: 11538

Супраціўленне: 15.2 kOhms, Талерантнасць: ±0.1%, Магутнасць (Вт): 0.25W, 1/4W, Склад: Thin Film, Асаблівасці: Military, Non-Inductive, Тэмпературны каэфіцыент: ±25ppm/°C,

D55342E07B7B50RWI

D55342E07B7B50RWI

частка акцыі: 11598

Супраціўленне: 7.5 kOhms, Талерантнасць: ±0.1%, Магутнасць (Вт): 0.25W, 1/4W, Склад: Thin Film, Асаблівасці: Military, Non-Inductive, Тэмпературны каэфіцыент: ±25ppm/°C,

M55342K12B16B0RWI

M55342K12B16B0RWI

частка акцыі: 11581

Супраціўленне: 16 kOhms, Талерантнасць: ±0.1%, Магутнасць (Вт): 0.1W, 1/10W, Склад: Thin Film, Асаблівасці: Military, Non-Inductive, Тэмпературны каэфіцыент: ±100ppm/°C,