Чып-рэзістар - павярхоўнае мацаванне

TNPW251249K0FHTY

TNPW251249K0FHTY

частка акцыі: 10068

Супраціўленне: 49 kOhms, Талерантнасць: ±1%, Магутнасць (Вт): 0.5W, 1/2W, Склад: Thin Film, Тэмпературны каэфіцыент: ±50ppm/°C,

TNPW201037K4BETY

TNPW201037K4BETY

частка акцыі: 9977

Супраціўленне: 37.4 kOhms, Талерантнасць: ±0.1%, Магутнасць (Вт): 0.4W, 2/5W, Склад: Thin Film, Тэмпературны каэфіцыент: ±25ppm/°C,

TNPW2010402RFEEY

TNPW2010402RFEEY

частка акцыі: 9976

Супраціўленне: 402 Ohms, Талерантнасць: ±1%, Магутнасць (Вт): 0.4W, 2/5W, Склад: Thin Film, Асаблівасці: Moisture Resistant, Тэмпературны каэфіцыент: ±25ppm/°C,

M32159B11MS3

M32159B11MS3

частка акцыі: 118447

Супраціўленне: 0 Ohms, Талерантнасць: Jumper, Магутнасць (Вт): 0.04W, Склад: Thick Film, Асаблівасці: Military,

TNPW2010101RDHEF

TNPW2010101RDHEF

частка акцыі: 9959

Супраціўленне: 101 Ohms, Талерантнасць: ±0.5%, Магутнасць (Вт): 0.4W, 2/5W, Склад: Thin Film, Асаблівасці: Moisture Resistant, Тэмпературны каэфіцыент: ±50ppm/°C,

TNPW25121K00BETY

TNPW25121K00BETY

частка акцыі: 9986

Супраціўленне: 1 kOhms, Талерантнасць: ±0.1%, Магутнасць (Вт): 0.5W, 1/2W, Склад: Thin Film, Тэмпературны каэфіцыент: ±25ppm/°C,

TNPW2010249KFETY

TNPW2010249KFETY

частка акцыі: 9989

Супраціўленне: 249 kOhms, Талерантнасць: ±1%, Магутнасць (Вт): 0.4W, 2/5W, Склад: Thin Film, Тэмпературны каэфіцыент: ±25ppm/°C,

TNPW2010110KBHEY

TNPW2010110KBHEY

частка акцыі: 9921

Супраціўленне: 110 kOhms, Талерантнасць: ±0.1%, Магутнасць (Вт): 0.4W, 2/5W, Склад: Thin Film, Асаблівасці: Moisture Resistant, Тэмпературны каэфіцыент: ±50ppm/°C,

TNPW2512249KFETG

TNPW2512249KFETG

частка акцыі: 9973

Супраціўленне: 249 kOhms, Талерантнасць: ±1%, Магутнасць (Вт): 0.5W, 1/2W, Склад: Thin Film, Тэмпературны каэфіцыент: ±25ppm/°C,

TNPW201012R0FEEF

TNPW201012R0FEEF

частка акцыі: 9957

Супраціўленне: 12 Ohms, Талерантнасць: ±1%, Магутнасць (Вт): 0.4W, 2/5W, Склад: Thin Film, Асаблівасці: Moisture Resistant, Тэмпературны каэфіцыент: ±25ppm/°C,

TNPW25121K96FEEG

TNPW25121K96FEEG

частка акцыі: 10047

Супраціўленне: 1.96 kOhms, Талерантнасць: ±1%, Магутнасць (Вт): 0.5W, 1/2W, Склад: Thin Film, Асаблівасці: Moisture Resistant, Тэмпературны каэфіцыент: ±25ppm/°C,

TNPW201022R0FHEF

TNPW201022R0FHEF

частка акцыі: 9919

Супраціўленне: 22 Ohms, Талерантнасць: ±1%, Магутнасць (Вт): 0.4W, 2/5W, Склад: Thin Film, Асаблівасці: Moisture Resistant, Тэмпературны каэфіцыент: ±50ppm/°C,

TNPW251212K4BHEY

TNPW251212K4BHEY

частка акцыі: 9998

Супраціўленне: 12.4 kOhms, Талерантнасць: ±0.1%, Магутнасць (Вт): 0.5W, 1/2W, Склад: Thin Film, Асаблівасці: Moisture Resistant, Тэмпературны каэфіцыент: ±50ppm/°C,

TNPW251210K0FHEG

TNPW251210K0FHEG

частка акцыі: 10022

Супраціўленне: 10 kOhms, Талерантнасць: ±1%, Магутнасць (Вт): 0.5W, 1/2W, Склад: Thin Film, Асаблівасці: Moisture Resistant, Тэмпературны каэфіцыент: ±50ppm/°C,

TNPW251220K0FEEY

TNPW251220K0FEEY

частка акцыі: 10026

Супраціўленне: 20 kOhms, Талерантнасць: ±1%, Магутнасць (Вт): 0.5W, 1/2W, Склад: Thin Film, Асаблівасці: Moisture Resistant, Тэмпературны каэфіцыент: ±25ppm/°C,

TNPW251210K0FHTG

TNPW251210K0FHTG

частка акцыі: 9997

Супраціўленне: 10 kOhms, Талерантнасць: ±1%, Магутнасць (Вт): 0.5W, 1/2W, Склад: Thin Film, Тэмпературны каэфіцыент: ±50ppm/°C,

TNPW2512150KFHEG

TNPW2512150KFHEG

частка акцыі: 10037

Супраціўленне: 150 kOhms, Талерантнасць: ±1%, Магутнасць (Вт): 0.5W, 1/2W, Склад: Thin Film, Асаблівасці: Moisture Resistant, Тэмпературны каэфіцыент: ±50ppm/°C,

TNPW2010100RBETY

TNPW2010100RBETY

частка акцыі: 9879

Супраціўленне: 100 Ohms, Талерантнасць: ±0.1%, Магутнасць (Вт): 0.4W, 2/5W, Склад: Thin Film, Тэмпературны каэфіцыент: ±25ppm/°C,

TNPW2512105RFETG

TNPW2512105RFETG

частка акцыі: 10005

Супраціўленне: 105 Ohms, Талерантнасць: ±1%, Магутнасць (Вт): 0.5W, 1/2W, Склад: Thin Film, Тэмпературны каэфіцыент: ±25ppm/°C,

TNPW2010499KDEEY

TNPW2010499KDEEY

частка акцыі: 9932

Супраціўленне: 499 kOhms, Талерантнасць: ±0.5%, Магутнасць (Вт): 0.4W, 2/5W, Склад: Thin Film, Асаблівасці: Moisture Resistant, Тэмпературны каэфіцыент: ±25ppm/°C,

TNPW251241K2FHEY

TNPW251241K2FHEY

частка акцыі: 10015

Супраціўленне: 41.2 kOhms, Талерантнасць: ±1%, Магутнасць (Вт): 0.5W, 1/2W, Склад: Thin Film, Асаблівасці: Moisture Resistant, Тэмпературны каэфіцыент: ±50ppm/°C,

TNPW251223K2FHEG

TNPW251223K2FHEG

частка акцыі: 10052

Супраціўленне: 23.2 kOhms, Талерантнасць: ±1%, Магутнасць (Вт): 0.5W, 1/2W, Склад: Thin Film, Асаблівасці: Moisture Resistant, Тэмпературны каэфіцыент: ±50ppm/°C,

TNPW201024K3BETY

TNPW201024K3BETY

частка акцыі: 9953

Супраціўленне: 24.3 kOhms, Талерантнасць: ±0.1%, Магутнасць (Вт): 0.4W, 2/5W, Склад: Thin Film, Тэмпературны каэфіцыент: ±25ppm/°C,

TNPW20101M00FEEF

TNPW20101M00FEEF

частка акцыі: 9969

Супраціўленне: 1 MOhms, Талерантнасць: ±1%, Магутнасць (Вт): 0.4W, 2/5W, Склад: Thin Film, Асаблівасці: Moisture Resistant, Тэмпературны каэфіцыент: ±25ppm/°C,

TNPW251249K9DHTY

TNPW251249K9DHTY

частка акцыі: 10036

Супраціўленне: 49.9 kOhms, Талерантнасць: ±0.5%, Магутнасць (Вт): 0.5W, 1/2W, Склад: Thin Film, Тэмпературны каэфіцыент: ±50ppm/°C,

TNPW251248K7FHEY

TNPW251248K7FHEY

частка акцыі: 10039

Супраціўленне: 48.7 kOhms, Талерантнасць: ±1%, Магутнасць (Вт): 0.5W, 1/2W, Склад: Thin Film, Асаблівасці: Moisture Resistant, Тэмпературны каэфіцыент: ±50ppm/°C,

TNPW20104K75FHTF

TNPW20104K75FHTF

частка акцыі: 9986

Супраціўленне: 4.75 kOhms, Талерантнасць: ±1%, Магутнасць (Вт): 0.4W, 2/5W, Склад: Thin Film, Тэмпературны каэфіцыент: ±50ppm/°C,

TNPW2512402RFETY

TNPW2512402RFETY

частка акцыі: 9970

Супраціўленне: 402 Ohms, Талерантнасць: ±1%, Магутнасць (Вт): 0.5W, 1/2W, Склад: Thin Film, Тэмпературны каэфіцыент: ±25ppm/°C,

TNPW251248K7FHEG

TNPW251248K7FHEG

частка акцыі: 10005

Супраціўленне: 48.7 kOhms, Талерантнасць: ±1%, Магутнасць (Вт): 0.5W, 1/2W, Склад: Thin Film, Асаблівасці: Moisture Resistant, Тэмпературны каэфіцыент: ±50ppm/°C,

TNPW25124M99DEEG

TNPW25124M99DEEG

частка акцыі: 10025

Супраціўленне: 4.99 MOhms, Талерантнасць: ±0.5%, Магутнасць (Вт): 0.5W, 1/2W, Склад: Thin Film, Асаблівасці: Moisture Resistant, Тэмпературны каэфіцыент: ±25ppm/°C,

TNPW251241K2FHEG

TNPW251241K2FHEG

частка акцыі: 9992

Супраціўленне: 41.2 kOhms, Талерантнасць: ±1%, Магутнасць (Вт): 0.5W, 1/2W, Склад: Thin Film, Асаблівасці: Moisture Resistant, Тэмпературны каэфіцыент: ±50ppm/°C,

TNPW2512604RBHTG

TNPW2512604RBHTG

частка акцыі: 10033

Супраціўленне: 604 Ohms, Талерантнасць: ±0.1%, Магутнасць (Вт): 0.5W, 1/2W, Склад: Thin Film, Тэмпературны каэфіцыент: ±50ppm/°C,

TNPW201010R0FHEF

TNPW201010R0FHEF

частка акцыі: 9900

Супраціўленне: 10 Ohms, Талерантнасць: ±1%, Магутнасць (Вт): 0.4W, 2/5W, Склад: Thin Film, Асаблівасці: Moisture Resistant, Тэмпературны каэфіцыент: ±50ppm/°C,

TNPW25123K12BETG

TNPW25123K12BETG

частка акцыі: 10050

Супраціўленне: 3.12 kOhms, Талерантнасць: ±0.1%, Магутнасць (Вт): 0.5W, 1/2W, Склад: Thin Film, Тэмпературны каэфіцыент: ±25ppm/°C,

TNPW251210K0FETG

TNPW251210K0FETG

частка акцыі: 9990

Супраціўленне: 10 kOhms, Талерантнасць: ±1%, Магутнасць (Вт): 0.5W, 1/2W, Склад: Thin Film, Тэмпературны каэфіцыент: ±25ppm/°C,

TNPW2512499KFHEG

TNPW2512499KFHEG

частка акцыі: 10010

Супраціўленне: 499 kOhms, Талерантнасць: ±1%, Магутнасць (Вт): 0.5W, 1/2W, Склад: Thin Film, Асаблівасці: Moisture Resistant, Тэмпературны каэфіцыент: ±50ppm/°C,