Чып-рэзістар - павярхоўнае мацаванне

TNPW2010150KFETY

TNPW2010150KFETY

частка акцыі: 9968

Супраціўленне: 150 kOhms, Талерантнасць: ±1%, Магутнасць (Вт): 0.4W, 2/5W, Склад: Thin Film, Тэмпературны каэфіцыент: ±25ppm/°C,

TNPW251249K9DHEG

TNPW251249K9DHEG

частка акцыі: 10069

Супраціўленне: 49.9 kOhms, Талерантнасць: ±0.5%, Магутнасць (Вт): 0.5W, 1/2W, Склад: Thin Film, Асаблівасці: Moisture Resistant, Тэмпературны каэфіцыент: ±50ppm/°C,

TNPW201066K5FHTF

TNPW201066K5FHTF

частка акцыі: 9965

Супраціўленне: 66.5 kOhms, Талерантнасць: ±1%, Магутнасць (Вт): 0.4W, 2/5W, Склад: Thin Film, Тэмпературны каэфіцыент: ±50ppm/°C,

TNPW2512249KFEEG

TNPW2512249KFEEG

частка акцыі: 10039

Супраціўленне: 249 kOhms, Талерантнасць: ±1%, Магутнасць (Вт): 0.5W, 1/2W, Склад: Thin Film, Асаблівасці: Moisture Resistant, Тэмпературны каэфіцыент: ±25ppm/°C,

TNPW251249K9FHTY

TNPW251249K9FHTY

частка акцыі: 9994

Супраціўленне: 49.9 kOhms, Талерантнасць: ±1%, Магутнасць (Вт): 0.5W, 1/2W, Склад: Thin Film, Тэмпературны каэфіцыент: ±50ppm/°C,

TNPW2010402RFHEY

TNPW2010402RFHEY

частка акцыі: 10019

Супраціўленне: 402 Ohms, Талерантнасць: ±1%, Магутнасць (Вт): 0.4W, 2/5W, Склад: Thin Film, Асаблівасці: Moisture Resistant, Тэмпературны каэфіцыент: ±50ppm/°C,

TNPW20106K65DHEY

TNPW20106K65DHEY

частка акцыі: 9948

Супраціўленне: 6.65 kOhms, Талерантнасць: ±0.5%, Магутнасць (Вт): 0.4W, 2/5W, Склад: Thin Film, Асаблівасці: Moisture Resistant, Тэмпературны каэфіцыент: ±50ppm/°C,

TNPW2512750KFHEY

TNPW2512750KFHEY

частка акцыі: 10035

Супраціўленне: 750 kOhms, Талерантнасць: ±1%, Магутнасць (Вт): 0.5W, 1/2W, Склад: Thin Film, Асаблівасці: Moisture Resistant, Тэмпературны каэфіцыент: ±50ppm/°C,

TNPW2512499KFEEG

TNPW2512499KFEEG

частка акцыі: 10026

Супраціўленне: 499 kOhms, Талерантнасць: ±1%, Магутнасць (Вт): 0.5W, 1/2W, Склад: Thin Film, Асаблівасці: Moisture Resistant, Тэмпературны каэфіцыент: ±25ppm/°C,

TNPW2512100KFHEG

TNPW2512100KFHEG

частка акцыі: 2075

Супраціўленне: 100 kOhms, Талерантнасць: ±1%, Магутнасць (Вт): 0.5W, 1/2W, Склад: Thin Film, Асаблівасці: Moisture Resistant, Тэмпературны каэфіцыент: ±50ppm/°C,

TNPW2512200KDETG

TNPW2512200KDETG

частка акцыі: 10049

Супраціўленне: 200 kOhms, Талерантнасць: ±0.5%, Магутнасць (Вт): 0.5W, 1/2W, Склад: Thin Film, Тэмпературны каэфіцыент: ±25ppm/°C,

TNPW251261R9BHEG

TNPW251261R9BHEG

частка акцыі: 2073

Супраціўленне: 61.9 Ohms, Талерантнасць: ±0.1%, Магутнасць (Вт): 0.5W, 1/2W, Склад: Thin Film, Асаблівасці: Moisture Resistant, Тэмпературны каэфіцыент: ±50ppm/°C,

TNPW25124K30FETG

TNPW25124K30FETG

частка акцыі: 10021

Супраціўленне: 4.3 kOhms, Талерантнасць: ±1%, Магутнасць (Вт): 0.5W, 1/2W, Склад: Thin Film, Тэмпературны каэфіцыент: ±25ppm/°C,

TNPW2512100RBETY

TNPW2512100RBETY

частка акцыі: 9939

Супраціўленне: 100 Ohms, Талерантнасць: ±0.1%, Магутнасць (Вт): 0.5W, 1/2W, Склад: Thin Film, Тэмпературны каэфіцыент: ±25ppm/°C,

TNPW2512898RBEEG

TNPW2512898RBEEG

частка акцыі: 10074

Супраціўленне: 898 Ohms, Талерантнасць: ±0.1%, Магутнасць (Вт): 0.5W, 1/2W, Склад: Thin Film, Асаблівасці: Moisture Resistant, Тэмпературны каэфіцыент: ±25ppm/°C,

TNPW251280R6BHTG

TNPW251280R6BHTG

частка акцыі: 10070

Супраціўленне: 80.6 Ohms, Талерантнасць: ±0.1%, Магутнасць (Вт): 0.5W, 1/2W, Склад: Thin Film, Тэмпературны каэфіцыент: ±50ppm/°C,

M32159B09MS3

M32159B09MS3

частка акцыі: 2067

Супраціўленне: 0 Ohms, Талерантнасць: Jumper, Магутнасць (Вт): 1W, Склад: Thick Film, Асаблівасці: Military,

TNPW2512487RFETG

TNPW2512487RFETG

частка акцыі: 10026

Супраціўленне: 487 Ohms, Талерантнасць: ±1%, Магутнасць (Вт): 0.5W, 1/2W, Склад: Thin Film, Тэмпературны каэфіцыент: ±25ppm/°C,

TNPW251256R2FEEY

TNPW251256R2FEEY

частка акцыі: 10066

Супраціўленне: 56.2 Ohms, Талерантнасць: ±1%, Магутнасць (Вт): 0.5W, 1/2W, Склад: Thin Film, Асаблівасці: Moisture Resistant, Тэмпературны каэфіцыент: ±25ppm/°C,

TNPW251269K8FHEG

TNPW251269K8FHEG

частка акцыі: 10081

Супраціўленне: 69.8 kOhms, Талерантнасць: ±1%, Магутнасць (Вт): 0.5W, 1/2W, Склад: Thin Film, Асаблівасці: Moisture Resistant, Тэмпературны каэфіцыент: ±50ppm/°C,

TNPW251297K6FHEG

TNPW251297K6FHEG

частка акцыі: 10087

Супраціўленне: 97.6 kOhms, Талерантнасць: ±1%, Магутнасць (Вт): 0.5W, 1/2W, Склад: Thin Film, Асаблівасці: Moisture Resistant, Тэмпературны каэфіцыент: ±50ppm/°C,

TNPW251280K6FHEY

TNPW251280K6FHEY

частка акцыі: 10005

Супраціўленне: 80.6 kOhms, Талерантнасць: ±1%, Магутнасць (Вт): 0.5W, 1/2W, Склад: Thin Film, Асаблівасці: Moisture Resistant, Тэмпературны каэфіцыент: ±50ppm/°C,

TNPW2512402RFEEG

TNPW2512402RFEEG

частка акцыі: 10048

Супраціўленне: 402 Ohms, Талерантнасць: ±1%, Магутнасць (Вт): 0.5W, 1/2W, Склад: Thin Film, Асаблівасці: Moisture Resistant, Тэмпературны каэфіцыент: ±25ppm/°C,

TNPW2512100RDEEG

TNPW2512100RDEEG

частка акцыі: 9967

Супраціўленне: 100 Ohms, Талерантнасць: ±0.5%, Магутнасць (Вт): 0.5W, 1/2W, Склад: Thin Film, Асаблівасці: Moisture Resistant, Тэмпературны каэфіцыент: ±25ppm/°C,

TNPW20103M30DHEY

TNPW20103M30DHEY

частка акцыі: 10004

Супраціўленне: 3.3 MOhms, Талерантнасць: ±0.5%, Магутнасць (Вт): 0.4W, 2/5W, Склад: Thin Film, Асаблівасці: Moisture Resistant, Тэмпературны каэфіцыент: ±50ppm/°C,

TNPW25124K30FHTG

TNPW25124K30FHTG

частка акцыі: 10069

Супраціўленне: 4.3 kOhms, Талерантнасць: ±1%, Магутнасць (Вт): 0.5W, 1/2W, Склад: Thin Film, Тэмпературны каэфіцыент: ±50ppm/°C,

TNPW201051R0FEEY

TNPW201051R0FEEY

частка акцыі: 10017

Супраціўленне: 51 Ohms, Талерантнасць: ±1%, Магутнасць (Вт): 0.4W, 2/5W, Склад: Thin Film, Асаблівасці: Moisture Resistant, Тэмпературны каэфіцыент: ±25ppm/°C,

TNPW2010887RDETF

TNPW2010887RDETF

частка акцыі: 10026

Супраціўленне: 887 Ohms, Талерантнасць: ±0.5%, Магутнасць (Вт): 0.4W, 2/5W, Склад: Thin Film, Тэмпературны каэфіцыент: ±25ppm/°C,

TNPW2512768RFETG

TNPW2512768RFETG

частка акцыі: 2071

Супраціўленне: 768 Ohms, Талерантнасць: ±1%, Магутнасць (Вт): 0.5W, 1/2W, Склад: Thin Film, Тэмпературны каэфіцыент: ±25ppm/°C,

TNPW251212K4BHEG

TNPW251212K4BHEG

частка акцыі: 9971

Супраціўленне: 12.4 kOhms, Талерантнасць: ±0.1%, Магутнасць (Вт): 0.5W, 1/2W, Склад: Thin Film, Асаблівасці: Moisture Resistant, Тэмпературны каэфіцыент: ±50ppm/°C,

TNPW251230R0DETG

TNPW251230R0DETG

частка акцыі: 9986

Супраціўленне: 30 Ohms, Талерантнасць: ±0.5%, Магутнасць (Вт): 0.5W, 1/2W, Склад: Thin Film, Тэмпературны каэфіцыент: ±25ppm/°C,

TNPW25121M00FHEG

TNPW25121M00FHEG

частка акцыі: 10018

Супраціўленне: 1 MOhms, Талерантнасць: ±1%, Магутнасць (Вт): 0.5W, 1/2W, Склад: Thin Film, Асаблівасці: Moisture Resistant, Тэмпературны каэфіцыент: ±50ppm/°C,

TNPW20101M00FETF

TNPW20101M00FETF

частка акцыі: 9972

Супраціўленне: 1 MOhms, Талерантнасць: ±1%, Магутнасць (Вт): 0.4W, 2/5W, Склад: Thin Film, Тэмпературны каэфіцыент: ±25ppm/°C,

TNPW20104M32FEEY

TNPW20104M32FEEY

частка акцыі: 9984

Супраціўленне: 4.32 MOhms, Талерантнасць: ±1%, Магутнасць (Вт): 0.4W, 2/5W, Склад: Thin Film, Асаблівасці: Moisture Resistant, Тэмпературны каэфіцыент: ±25ppm/°C,

TNPW201047R0BETY

TNPW201047R0BETY

частка акцыі: 9957

Супраціўленне: 47 Ohms, Талерантнасць: ±0.1%, Магутнасць (Вт): 0.4W, 2/5W, Склад: Thin Film, Тэмпературны каэфіцыент: ±25ppm/°C,

TNPW2010274RBETY

TNPW2010274RBETY

частка акцыі: 9959

Супраціўленне: 274 Ohms, Талерантнасць: ±0.1%, Магутнасць (Вт): 0.4W, 2/5W, Склад: Thin Film, Тэмпературны каэфіцыент: ±25ppm/°C,