Чып-рэзістар - павярхоўнае мацаванне

WSLP08057L000JEK18

WSLP08057L000JEK18

частка акцыі: 116273

Супраціўленне: 7 mOhms, Талерантнасць: ±5%, Магутнасць (Вт): 1W, Склад: Metal Element, Асаблівасці: Anti-Sulfur, Current Sense, Moisture Resistant, Pulse Withstanding, Тэмпературны каэфіцыент: ±75ppm/°C,

WSLP08057L000FEK18

WSLP08057L000FEK18

частка акцыі: 116331

Супраціўленне: 7 mOhms, Талерантнасць: ±1%, Магутнасць (Вт): 1W, Склад: Metal Element, Асаблівасці: Anti-Sulfur, Current Sense, Moisture Resistant, Pulse Withstanding, Тэмпературны каэфіцыент: ±75ppm/°C,

WSLP0805R0100FEA18

WSLP0805R0100FEA18

частка акцыі: 195879

Супраціўленне: 10 mOhms, Талерантнасць: ±1%, Магутнасць (Вт): 1W, Склад: Metal Element, Асаблівасці: Anti-Sulfur, Current Sense, Moisture Resistant, Pulse Withstanding, Тэмпературны каэфіцыент: ±75ppm/°C,

WSLP0805R0100JEA18

WSLP0805R0100JEA18

частка акцыі: 150023

Супраціўленне: 10 mOhms, Талерантнасць: ±5%, Магутнасць (Вт): 1W, Склад: Metal Element, Асаблівасці: Anti-Sulfur, Current Sense, Moisture Resistant, Pulse Withstanding, Тэмпературны каэфіцыент: ±75ppm/°C,

WSLP08059L000FEK18

WSLP08059L000FEK18

частка акцыі: 116267

Супраціўленне: 9 mOhms, Талерантнасць: ±1%, Магутнасць (Вт): 1W, Склад: Metal Element, Асаблівасці: Anti-Sulfur, Current Sense, Moisture Resistant, Pulse Withstanding, Тэмпературны каэфіцыент: ±75ppm/°C,

M55342K06B170BSTS

M55342K06B170BSTS

частка акцыі: 18759

Супраціўленне: 170 Ohms, Талерантнасць: ±0.1%, Магутнасць (Вт): 0.15W, Склад: Thin Film, Асаблівасці: Military, Non-Inductive, Тэмпературны каэфіцыент: ±100ppm/°C,

TNPW201051R0FHEY

TNPW201051R0FHEY

частка акцыі: 9933

Супраціўленне: 51 Ohms, Талерантнасць: ±1%, Магутнасць (Вт): 0.4W, 2/5W, Склад: Thin Film, Асаблівасці: Moisture Resistant, Тэмпературны каэфіцыент: ±50ppm/°C,

TNPW251210K0FEEY

TNPW251210K0FEEY

частка акцыі: 9995

Супраціўленне: 10 kOhms, Талерантнасць: ±1%, Магутнасць (Вт): 0.5W, 1/2W, Склад: Thin Film, Асаблівасці: Moisture Resistant, Тэмпературны каэфіцыент: ±25ppm/°C,

TNPW251279R6BETY

TNPW251279R6BETY

частка акцыі: 10041

Супраціўленне: 79.6 Ohms, Талерантнасць: ±0.1%, Магутнасць (Вт): 0.5W, 1/2W, Склад: Thin Film, Тэмпературны каэфіцыент: ±25ppm/°C,

TNPW251247K5FHEG

TNPW251247K5FHEG

частка акцыі: 9990

Супраціўленне: 47.5 kOhms, Талерантнасць: ±1%, Магутнасць (Вт): 0.5W, 1/2W, Склад: Thin Film, Асаблівасці: Moisture Resistant, Тэмпературны каэфіцыент: ±50ppm/°C,

TNPW25124M75FHEY

TNPW25124M75FHEY

частка акцыі: 10010

Супраціўленне: 4.75 MOhms, Талерантнасць: ±1%, Магутнасць (Вт): 0.5W, 1/2W, Склад: Thin Film, Асаблівасці: Moisture Resistant, Тэмпературны каэфіцыент: ±50ppm/°C,

TNPW251254R9FEEY

TNPW251254R9FEEY

частка акцыі: 10011

Супраціўленне: 54.9 Ohms, Талерантнасць: ±1%, Магутнасць (Вт): 0.5W, 1/2W, Склад: Thin Film, Асаблівасці: Moisture Resistant, Тэмпературны каэфіцыент: ±25ppm/°C,

TNPW251255R6DHEG

TNPW251255R6DHEG

частка акцыі: 10027

Супраціўленне: 55.6 Ohms, Талерантнасць: ±0.5%, Магутнасць (Вт): 0.5W, 1/2W, Склад: Thin Film, Асаблівасці: Moisture Resistant, Тэмпературны каэфіцыент: ±50ppm/°C,

TNPW251210R0DEEG

TNPW251210R0DEEG

частка акцыі: 9981

Супраціўленне: 10 Ohms, Талерантнасць: ±0.5%, Магутнасць (Вт): 0.5W, 1/2W, Склад: Thin Film, Асаблівасці: Moisture Resistant, Тэмпературны каэфіцыент: ±25ppm/°C,

TNPW2512100KDHTY

TNPW2512100KDHTY

частка акцыі: 9956

Супраціўленне: 100 kOhms, Талерантнасць: ±0.5%, Магутнасць (Вт): 0.5W, 1/2W, Склад: Thin Film, Тэмпературны каэфіцыент: ±50ppm/°C,

TNPW251247R0FETG

TNPW251247R0FETG

частка акцыі: 1999

Супраціўленне: 47 Ohms, Талерантнасць: ±1%, Магутнасць (Вт): 0.5W, 1/2W, Склад: Thin Film, Тэмпературны каэфіцыент: ±25ppm/°C,

TNPW251252K3FHEY

TNPW251252K3FHEY

частка акцыі: 10049

Супраціўленне: 52.3 kOhms, Талерантнасць: ±1%, Магутнасць (Вт): 0.5W, 1/2W, Склад: Thin Film, Асаблівасці: Moisture Resistant, Тэмпературны каэфіцыент: ±50ppm/°C,

TNPW2010887RDEEY

TNPW2010887RDEEY

частка акцыі: 10013

Супраціўленне: 887 Ohms, Талерантнасць: ±0.5%, Магутнасць (Вт): 0.4W, 2/5W, Склад: Thin Film, Асаблівасці: Moisture Resistant, Тэмпературны каэфіцыент: ±25ppm/°C,

TNPW251210R0FEEG

TNPW251210R0FEEG

частка акцыі: 9983

Супраціўленне: 10 Ohms, Талерантнасць: ±1%, Магутнасць (Вт): 0.5W, 1/2W, Склад: Thin Film, Асаблівасці: Moisture Resistant, Тэмпературны каэфіцыент: ±25ppm/°C,

TNPW251247K5FHEY

TNPW251247K5FHEY

частка акцыі: 9982

Супраціўленне: 47.5 kOhms, Талерантнасць: ±1%, Магутнасць (Вт): 0.5W, 1/2W, Склад: Thin Film, Асаблівасці: Moisture Resistant, Тэмпературны каэфіцыент: ±50ppm/°C,

TNPW2512505RBEEY

TNPW2512505RBEEY

частка акцыі: 10072

Супраціўленне: 505 Ohms, Талерантнасць: ±0.1%, Магутнасць (Вт): 0.5W, 1/2W, Склад: Thin Film, Асаблівасці: Moisture Resistant, Тэмпературны каэфіцыент: ±25ppm/°C,

TNPW251215K0FEEY

TNPW251215K0FEEY

частка акцыі: 9998

Супраціўленне: 15 kOhms, Талерантнасць: ±1%, Магутнасць (Вт): 0.5W, 1/2W, Склад: Thin Film, Асаблівасці: Moisture Resistant, Тэмпературны каэфіцыент: ±25ppm/°C,

TNPW25121M00FEEG

TNPW25121M00FEEG

частка акцыі: 10048

Супраціўленне: 1 MOhms, Талерантнасць: ±1%, Магутнасць (Вт): 0.5W, 1/2W, Склад: Thin Film, Асаблівасці: Moisture Resistant, Тэмпературны каэфіцыент: ±25ppm/°C,

TNPW2010499KFETY

TNPW2010499KFETY

частка акцыі: 2088

Супраціўленне: 499 kOhms, Талерантнасць: ±1%, Магутнасць (Вт): 0.4W, 2/5W, Склад: Thin Film, Тэмпературны каэфіцыент: ±25ppm/°C,

TNPW2512300RDETG

TNPW2512300RDETG

частка акцыі: 9967

Супраціўленне: 300 Ohms, Талерантнасць: ±0.5%, Магутнасць (Вт): 0.5W, 1/2W, Склад: Thin Film, Тэмпературны каэфіцыент: ±25ppm/°C,

TNPW2010487KDHEY

TNPW2010487KDHEY

частка акцыі: 9933

Супраціўленне: 487 kOhms, Талерантнасць: ±0.5%, Магутнасць (Вт): 0.4W, 2/5W, Склад: Thin Film, Асаблівасці: Moisture Resistant, Тэмпературны каэфіцыент: ±50ppm/°C,

TNPW251257R6FEEY

TNPW251257R6FEEY

частка акцыі: 10055

Супраціўленне: 57.6 Ohms, Талерантнасць: ±1%, Магутнасць (Вт): 0.5W, 1/2W, Склад: Thin Film, Асаблівасці: Moisture Resistant, Тэмпературны каэфіцыент: ±25ppm/°C,

TNPW251280K6FHEG

TNPW251280K6FHEG

частка акцыі: 10057

Супраціўленне: 80.6 kOhms, Талерантнасць: ±1%, Магутнасць (Вт): 0.5W, 1/2W, Склад: Thin Film, Асаблівасці: Moisture Resistant, Тэмпературны каэфіцыент: ±50ppm/°C,

TNPW20101K00FHEF

TNPW20101K00FHEF

частка акцыі: 9915

Супраціўленне: 1 kOhms, Талерантнасць: ±1%, Магутнасць (Вт): 0.4W, 2/5W, Склад: Thin Film, Асаблівасці: Moisture Resistant, Тэмпературны каэфіцыент: ±50ppm/°C,

TNPW201020R0FHTF

TNPW201020R0FHTF

частка акцыі: 2011

Супраціўленне: 20 Ohms, Талерантнасць: ±1%, Магутнасць (Вт): 0.4W, 2/5W, Склад: Thin Film, Тэмпературны каэфіцыент: ±50ppm/°C,

TNPW2010499KDHEY

TNPW2010499KDHEY

частка акцыі: 2024

Супраціўленне: 499 kOhms, Талерантнасць: ±0.5%, Магутнасць (Вт): 0.4W, 2/5W, Склад: Thin Film, Асаблівасці: Moisture Resistant, Тэмпературны каэфіцыент: ±50ppm/°C,

TNPW201036K0DEEF

TNPW201036K0DEEF

частка акцыі: 9936

Супраціўленне: 36 kOhms, Талерантнасць: ±0.5%, Магутнасць (Вт): 0.4W, 2/5W, Склад: Thin Film, Асаблівасці: Moisture Resistant, Тэмпературны каэфіцыент: ±25ppm/°C,

TNPW201066K5FHTY

TNPW201066K5FHTY

частка акцыі: 9949

Супраціўленне: 66.5 kOhms, Талерантнасць: ±1%, Магутнасць (Вт): 0.4W, 2/5W, Склад: Thin Film, Тэмпературны каэфіцыент: ±50ppm/°C,

TNPW201030K5BEEY

TNPW201030K5BEEY

частка акцыі: 9998

Супраціўленне: 30.5 kOhms, Талерантнасць: ±0.1%, Магутнасць (Вт): 0.4W, 2/5W, Склад: Thin Film, Асаблівасці: Moisture Resistant, Тэмпературны каэфіцыент: ±25ppm/°C,

TNPW251252K3FHEG

TNPW251252K3FHEG

частка акцыі: 10047

Супраціўленне: 52.3 kOhms, Талерантнасць: ±1%, Магутнасць (Вт): 0.5W, 1/2W, Склад: Thin Film, Асаблівасці: Moisture Resistant, Тэмпературны каэфіцыент: ±50ppm/°C,

TNPW251236K0FEEY

TNPW251236K0FEEY

частка акцыі: 9974

Супраціўленне: 36 kOhms, Талерантнасць: ±1%, Магутнасць (Вт): 0.5W, 1/2W, Склад: Thin Film, Асаблівасці: Moisture Resistant, Тэмпературны каэфіцыент: ±25ppm/°C,