Menu
БеларусьБеларусь
RFQS / Заказ
0RFQS / Заказ

Дыёды - моставыя выпрамнікі

  • Дом
  •  
  • Дыёды - моставыя выпрамнікі
2KBP06M-M4/51
Vishay Semiconductor Diodes Division

2KBP06M-M4/51

частка акцыі: 8798

Дыёдны тып: Single Phase, Тэхналогія: Standard, Напружанне - пік, зваротны (макс.): 600V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 2A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.1V @ 3.14A, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 5µA @ 600V,

Ліст з жаданняў
2KBP04M-M4/51
Vishay Semiconductor Diodes Division

2KBP04M-M4/51

частка акцыі: 8747

Дыёдны тып: Single Phase, Тэхналогія: Standard, Напружанне - пік, зваротны (макс.): 400V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 2A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.1V @ 3.14A, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 5µA @ 400V,

Ліст з жаданняў
2KBP005M-M4/51
Vishay Semiconductor Diodes Division

2KBP005M-M4/51

частка акцыі: 8740

Дыёдны тып: Single Phase, Тэхналогія: Standard, Напружанне - пік, зваротны (макс.): 50V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 2A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.1V @ 3.14A, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 5µA @ 50V,

Ліст з жаданняў
2KBP10ML-6767E4/51
Vishay Semiconductor Diodes Division

2KBP10ML-6767E4/51

частка акцыі: 8731

Дыёдны тып: Single Phase, Тэхналогія: Standard, Напружанне - пік, зваротны (макс.): 1kV, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 2A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.1V @ 3.14A, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 5µA @ 1000V,

Ліст з жаданняў
2KBP08M-E4/45
Vishay Semiconductor Diodes Division

2KBP08M-E4/45

частка акцыі: 8714

Дыёдны тып: Single Phase, Тэхналогія: Standard, Напружанне - пік, зваротны (макс.): 800V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 2A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.1V @ 3.14A, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 5µA @ 800V,

Ліст з жаданняў
2KBP10M-E4/45
Vishay Semiconductor Diodes Division

2KBP10M-E4/45

частка акцыі: 8663

Дыёдны тып: Single Phase, Тэхналогія: Standard, Напружанне - пік, зваротны (макс.): 1kV, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 2A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.1V @ 3.14A, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 5µA @ 1000V,

Ліст з жаданняў
2KBP02M-M4/51
Vishay Semiconductor Diodes Division

2KBP02M-M4/51

частка акцыі: 8663

Дыёдны тып: Single Phase, Тэхналогія: Standard, Напружанне - пік, зваротны (макс.): 200V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 2A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.1V @ 3.14A, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 5µA @ 200V,

Ліст з жаданняў
2KBP06M-E4/45
Vishay Semiconductor Diodes Division

2KBP06M-E4/45

частка акцыі: 2923

Дыёдны тып: Single Phase, Тэхналогія: Standard, Напружанне - пік, зваротны (макс.): 600V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 2A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.1V @ 3.14A, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 5µA @ 600V,

Ліст з жаданняў
2KBP02M-E4/45
Vishay Semiconductor Diodes Division

2KBP02M-E4/45

частка акцыі: 8636

Дыёдны тып: Single Phase, Тэхналогія: Standard, Напружанне - пік, зваротны (макс.): 200V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 2A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.1V @ 3.14A, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 5µA @ 200V,

Ліст з жаданняў
2KBP04M-E4/45
Vishay Semiconductor Diodes Division

2KBP04M-E4/45

частка акцыі: 8705

Дыёдны тып: Single Phase, Тэхналогія: Standard, Напружанне - пік, зваротны (макс.): 400V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 2A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.1V @ 3.14A, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 5µA @ 400V,

Ліст з жаданняў
2KBP005M-E4/45
Vishay Semiconductor Diodes Division

2KBP005M-E4/45

частка акцыі: 8640

Дыёдны тып: Single Phase, Тэхналогія: Standard, Напружанне - пік, зваротны (макс.): 50V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 2A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.1V @ 3.14A, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 5µA @ 50V,

Ліст з жаданняў
2KBP01M-E4/45
Vishay Semiconductor Diodes Division

2KBP01M-E4/45

частка акцыі: 8716

Дыёдны тып: Single Phase, Тэхналогія: Standard, Напружанне - пік, зваротны (макс.): 100V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 2A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.1V @ 3.14A, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 5µA @ 100V,

Ліст з жаданняў
2KBP08M-E4/51
Vishay Semiconductor Diodes Division

2KBP08M-E4/51

частка акцыі: 98957

Дыёдны тып: Single Phase, Тэхналогія: Standard, Напружанне - пік, зваротны (макс.): 800V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 2A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.1V @ 3.14A, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 5µA @ 800V,

Ліст з жаданняў
2KBP10M-E4/51
Vishay Semiconductor Diodes Division

2KBP10M-E4/51

частка акцыі: 98982

Дыёдны тып: Single Phase, Тэхналогія: Standard, Напружанне - пік, зваротны (макс.): 1kV, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 2A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.1V @ 3.14A, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 5µA @ 1000V,

Ліст з жаданняў
2KBP06M-E4/51
Vishay Semiconductor Diodes Division

2KBP06M-E4/51

частка акцыі: 98991

Дыёдны тып: Single Phase, Тэхналогія: Standard, Напружанне - пік, зваротны (макс.): 600V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 2A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.1V @ 3.14A, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 5µA @ 600V,

Ліст з жаданняў
2KBP04M-E4/51
Vishay Semiconductor Diodes Division

2KBP04M-E4/51

частка акцыі: 98999

Дыёдны тып: Single Phase, Тэхналогія: Standard, Напружанне - пік, зваротны (макс.): 400V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 2A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.1V @ 3.14A, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 5µA @ 400V,

Ліст з жаданняў
2KBP02M-E4/51
Vishay Semiconductor Diodes Division

2KBP02M-E4/51

частка акцыі: 99024

Дыёдны тып: Single Phase, Тэхналогія: Standard, Напружанне - пік, зваротны (макс.): 200V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 2A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.1V @ 3.14A, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 5µA @ 200V,

Ліст з жаданняў
2KBP01M-E4/51
Vishay Semiconductor Diodes Division

2KBP01M-E4/51

частка акцыі: 98999

Дыёдны тып: Single Phase, Тэхналогія: Standard, Напружанне - пік, зваротны (макс.): 100V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 2A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.1V @ 3.14A, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 5µA @ 100V,

Ліст з жаданняў
2KBP005M-E4/51
Vishay Semiconductor Diodes Division

2KBP005M-E4/51

частка акцыі: 98986

Дыёдны тып: Single Phase, Тэхналогія: Standard, Напружанне - пік, зваротны (макс.): 50V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 2A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.1V @ 3.14A, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 5µA @ 50V,

Ліст з жаданняў
2KBP08M/1
Vishay Semiconductor Diodes Division

2KBP08M/1

частка акцыі: 8524

Дыёдны тып: Single Phase, Тэхналогія: Standard, Напружанне - пік, зваротны (макс.): 800V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 2A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.1V @ 3.14A, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 5µA @ 800V,

Ліст з жаданняў
2KBP10M/51
Vishay Semiconductor Diodes Division

2KBP10M/51

частка акцыі: 2908

Дыёдны тып: Single Phase, Тэхналогія: Standard, Напружанне - пік, зваротны (макс.): 1kV, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 2A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.1V @ 3.14A, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 5µA @ 1000V,

Ліст з жаданняў
2KBP06M/1
Vishay Semiconductor Diodes Division

2KBP06M/1

частка акцыі: 8535

Дыёдны тып: Single Phase, Тэхналогія: Standard, Напружанне - пік, зваротны (макс.): 600V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 2A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.1V @ 3.14A, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 5µA @ 600V,

Ліст з жаданняў
2KBP04M/1
Vishay Semiconductor Diodes Division

2KBP04M/1

частка акцыі: 8578

Дыёдны тып: Single Phase, Тэхналогія: Standard, Напружанне - пік, зваротны (макс.): 400V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 2A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.1V @ 3.14A, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 5µA @ 400V,

Ліст з жаданняў
2KBP02M/1
Vishay Semiconductor Diodes Division

2KBP02M/1

частка акцыі: 8573

Дыёдны тып: Single Phase, Тэхналогія: Standard, Напружанне - пік, зваротны (макс.): 200V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 2A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.1V @ 3.14A, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 5µA @ 200V,

Ліст з жаданняў
2KBP005M/1
Vishay Semiconductor Diodes Division

2KBP005M/1

частка акцыі: 8520

Дыёдны тып: Single Phase, Тэхналогія: Standard, Напружанне - пік, зваротны (макс.): 50V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 2A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.1V @ 3.14A, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 5µA @ 50V,

Ліст з жаданняў
2W06G-E4/51
Vishay Semiconductor Diodes Division

2W06G-E4/51

частка акцыі: 112675

Дыёдны тып: Single Phase, Тэхналогія: Standard, Напружанне - пік, зваротны (макс.): 600V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 2A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.1V @ 2A, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 5µA @ 600V,

Ліст з жаданняў
2W08G-E4/51
Vishay Semiconductor Diodes Division

2W08G-E4/51

частка акцыі: 112707

Дыёдны тып: Single Phase, Тэхналогія: Standard, Напружанне - пік, зваротны (макс.): 800V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 2A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.1V @ 2A, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 5µA @ 800V,

Ліст з жаданняў
3N258-E4/72
Vishay Semiconductor Diodes Division

3N258-E4/72

частка акцыі: 8809

Дыёдны тып: Single Phase, Тэхналогія: Standard, Напружанне - пік, зваротны (макс.): 800V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 2A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.1V @ 3.14A, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 5µA @ 800V,

Ліст з жаданняў
3N259-E4/72
Vishay Semiconductor Diodes Division

3N259-E4/72

частка акцыі: 8835

Дыёдны тып: Single Phase, Тэхналогія: Standard, Напружанне - пік, зваротны (макс.): 1kV, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 2A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.1V @ 3.14A, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 5µA @ 1000V,

Ліст з жаданняў
3N257-E4/72
Vishay Semiconductor Diodes Division

3N257-E4/72

частка акцыі: 8794

Дыёдны тып: Single Phase, Тэхналогія: Standard, Напружанне - пік, зваротны (макс.): 600V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 2A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.1V @ 3.14A, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 5µA @ 600V,

Ліст з жаданняў
3N257-5410E4/51
Vishay Semiconductor Diodes Division

3N257-5410E4/51

частка акцыі: 8756

Дыёдны тып: Single Phase, Тэхналогія: Standard, Напружанне - пік, зваротны (макс.): 600V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 2A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.1V @ 3.14A, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 5µA @ 600V,

Ліст з жаданняў
3N256-E4/72
Vishay Semiconductor Diodes Division

3N256-E4/72

частка акцыі: 8836

Дыёдны тып: Single Phase, Тэхналогія: Standard, Напружанне - пік, зваротны (макс.): 400V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 2A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.1V @ 3.14A, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 5µA @ 400V,

Ліст з жаданняў
3N255-E4/72
Vishay Semiconductor Diodes Division

3N255-E4/72

частка акцыі: 8828

Дыёдны тып: Single Phase, Тэхналогія: Standard, Напружанне - пік, зваротны (макс.): 200V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 2A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.1V @ 3.14A, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 5µA @ 200V,

Ліст з жаданняў
3N254-E4/72
Vishay Semiconductor Diodes Division

3N254-E4/72

частка акцыі: 8746

Дыёдны тып: Single Phase, Тэхналогія: Standard, Напружанне - пік, зваротны (макс.): 100V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 2A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.1V @ 3.14A, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 5µA @ 100V,

Ліст з жаданняў
3N251-E4/72
Vishay Semiconductor Diodes Division

3N251-E4/72

частка акцыі: 5319

Дыёдны тып: Single Phase, Тэхналогія: Standard, Напружанне - пік, зваротны (макс.): 800V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 1.5A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.3V @ 1.57A, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 5µA @ 800V,

Ліст з жаданняў
3N249-E4/72
Vishay Semiconductor Diodes Division

3N249-E4/72

частка акцыі: 8796

Дыёдны тып: Single Phase, Тэхналогія: Standard, Напружанне - пік, зваротны (макс.): 400V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 1.5A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.3V @ 1.57A, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 5µA @ 400V,

Ліст з жаданняў