Menu
БеларусьБеларусь
RFQS / Заказ
0RFQS / Заказ

Дыёды - моставыя выпрамнікі

  • Дом
  •  
  • Дыёды - моставыя выпрамнікі
2KBP10ML-7001E4/51
Vishay Semiconductor Diodes Division

2KBP10ML-7001E4/51

частка акцыі: 8746

Дыёдны тып: Single Phase, Тэхналогія: Standard, Напружанне - пік, зваротны (макс.): 1kV, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 2A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.1V @ 3.14A, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 5µA @ 1000V,

Ліст з жаданняў
2KBP10ML-6767E4/72
Vishay Semiconductor Diodes Division

2KBP10ML-6767E4/72

частка акцыі: 8744

Дыёдны тып: Single Phase, Тэхналогія: Standard, Напружанне - пік, зваротны (макс.): 1kV, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 2A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.1V @ 3.14A, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 5µA @ 1000V,

Ліст з жаданняў
2KBP10ML-5E4/72
Vishay Semiconductor Diodes Division

2KBP10ML-5E4/72

частка акцыі: 8761

Дыёдны тып: Single Phase, Тэхналогія: Standard, Напружанне - пік, зваротны (макс.): 1kV, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 2A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.1V @ 3.14A, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 5µA @ 1000V,

Ліст з жаданняў
2KBP10ML-5E4/51
Vishay Semiconductor Diodes Division

2KBP10ML-5E4/51

частка акцыі: 8785

Дыёдны тып: Single Phase, Тэхналогія: Standard, Напружанне - пік, зваротны (макс.): 1kV, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 2A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.1V @ 3.14A, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 5µA @ 1000V,

Ліст з жаданняў
2KBP10ML-001E4/51
Vishay Semiconductor Diodes Division

2KBP10ML-001E4/51

частка акцыі: 2917

Дыёдны тып: Single Phase, Тэхналогія: Standard, Напружанне - пік, зваротны (макс.): 1kV, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 2A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.1V @ 3.14A, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 5µA @ 1000V,

Ліст з жаданняў
2KBP10ML-5/22
Vishay Semiconductor Diodes Division

2KBP10ML-5/22

частка акцыі: 8753

Дыёдны тып: Single Phase, Тэхналогія: Standard, Напружанне - пік, зваротны (макс.): 1kV, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 2A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.1V @ 3.14A, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 5µA @ 1000V,

Ліст з жаданняў
2KBP10M-E4/72
Vishay Semiconductor Diodes Division

2KBP10M-E4/72

частка акцыі: 8787

Дыёдны тып: Single Phase, Тэхналогія: Standard, Напружанне - пік, зваротны (макс.): 1kV, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 2A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.1V @ 3.14A, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 5µA @ 1000V,

Ліст з жаданняў
2KBP08ML-7001E4/72
Vishay Semiconductor Diodes Division

2KBP08ML-7001E4/72

частка акцыі: 8793

Дыёдны тып: Single Phase, Тэхналогія: Standard, Напружанне - пік, зваротны (макс.): 800V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 2A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.1V @ 3.14A, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 5µA @ 800V,

Ліст з жаданняў
2KBP10M-28E4/51
Vishay Semiconductor Diodes Division

2KBP10M-28E4/51

частка акцыі: 8769

Дыёдны тып: Single Phase, Тэхналогія: Standard, Напружанне - пік, зваротны (макс.): 1kV, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 2A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.1V @ 3.14A, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 5µA @ 1000V,

Ліст з жаданняў
2KBP08ML-24E4/51
Vishay Semiconductor Diodes Division

2KBP08ML-24E4/51

частка акцыі: 8744

Дыёдны тып: Single Phase, Тэхналогія: Standard, Напружанне - пік, зваротны (макс.): 800V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 2A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.1V @ 3.14A, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 5µA @ 800V,

Ліст з жаданняў
2KBP08ML-6581E4/72
Vishay Semiconductor Diodes Division

2KBP08ML-6581E4/72

частка акцыі: 8809

Дыёдны тып: Single Phase, Тэхналогія: Standard, Напружанне - пік, зваротны (макс.): 800V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 2A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.1V @ 3.14A, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 5µA @ 800V,

Ліст з жаданняў
2KBP08M-E4/72
Vishay Semiconductor Diodes Division

2KBP08M-E4/72

частка акцыі: 8736

Дыёдны тып: Single Phase, Тэхналогія: Standard, Напружанне - пік, зваротны (макс.): 800V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 2A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.1V @ 3.14A, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 5µA @ 800V,

Ліст з жаданняў
2KBP08M-23E4/51
Vishay Semiconductor Diodes Division

2KBP08M-23E4/51

частка акцыі: 8815

Дыёдны тып: Single Phase, Тэхналогія: Standard, Напружанне - пік, зваротны (макс.): 800V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 2A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.1V @ 3.14A, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 5µA @ 800V,

Ліст з жаданняў
2KBP06ML-6420E4/72
Vishay Semiconductor Diodes Division

2KBP06ML-6420E4/72

частка акцыі: 8772

Дыёдны тып: Single Phase, Тэхналогія: Standard, Напружанне - пік, зваротны (макс.): 600V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 2A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.1V @ 3.14A, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 5µA @ 600V,

Ліст з жаданняў
2KBP06ML-6762E4/72
Vishay Semiconductor Diodes Division

2KBP06ML-6762E4/72

частка акцыі: 8771

Дыёдны тып: Single Phase, Тэхналогія: Standard, Напружанне - пік, зваротны (макс.): 600V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 2A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.1V @ 3.14A, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 5µA @ 600V,

Ліст з жаданняў
2KBP06ML-6145E4/72
Vishay Semiconductor Diodes Division

2KBP06ML-6145E4/72

частка акцыі: 8820

Дыёдны тып: Single Phase, Тэхналогія: Standard, Напружанне - пік, зваротны (макс.): 600V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 2A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.1V @ 3.14A, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 5µA @ 600V,

Ліст з жаданняў
2KBP06ML-6145E4/51
Vishay Semiconductor Diodes Division

2KBP06ML-6145E4/51

частка акцыі: 8783

Дыёдны тып: Single Phase, Тэхналогія: Standard, Напружанне - пік, зваротны (макс.): 600V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 2A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.1V @ 3.14A, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 5µA @ 600V,

Ліст з жаданняў
2KBP06ML-5303E4/51
Vishay Semiconductor Diodes Division

2KBP06ML-5303E4/51

частка акцыі: 8800

Дыёдны тып: Single Phase, Тэхналогія: Standard, Напружанне - пік, зваротны (макс.): 600V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 2A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.1V @ 3.14A, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 5µA @ 600V,

Ліст з жаданняў
2KBP06ML-5301E4/51
Vishay Semiconductor Diodes Division

2KBP06ML-5301E4/51

частка акцыі: 8779

Дыёдны тып: Single Phase, Тэхналогія: Standard, Напружанне - пік, зваротны (макс.): 600V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 2A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.1V @ 3.14A, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 5µA @ 600V,

Ліст з жаданняў
2KBP06ML-5301E4/72
Vishay Semiconductor Diodes Division

2KBP06ML-5301E4/72

частка акцыі: 8781

Дыёдны тып: Single Phase, Тэхналогія: Standard, Напружанне - пік, зваротны (макс.): 600V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 2A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.1V @ 3.14A, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 5µA @ 600V,

Ліст з жаданняў
2KBP06ML-36E4/51
Vishay Semiconductor Diodes Division

2KBP06ML-36E4/51

частка акцыі: 8760

Дыёдны тып: Single Phase, Тэхналогія: Standard, Напружанне - пік, зваротны (макс.): 600V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 2A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.1V @ 3.14A, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 5µA @ 600V,

Ліст з жаданняў
2KBP06M-E4/72
Vishay Semiconductor Diodes Division

2KBP06M-E4/72

частка акцыі: 8738

Дыёдны тып: Single Phase, Тэхналогія: Standard, Напружанне - пік, зваротны (макс.): 600V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 2A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.1V @ 3.14A, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 5µA @ 600V,

Ліст з жаданняў
2KBP04ML-6422E4/72
Vishay Semiconductor Diodes Division

2KBP04ML-6422E4/72

частка акцыі: 8780

Дыёдны тып: Single Phase, Тэхналогія: Standard, Напружанне - пік, зваротны (макс.): 400V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 2A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.1V @ 3.14A, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 5µA @ 400V,

Ліст з жаданняў
2KBP04ML-6533E4/72
Vishay Semiconductor Diodes Division

2KBP04ML-6533E4/72

частка акцыі: 8755

Дыёдны тып: Single Phase, Тэхналогія: Standard, Напружанне - пік, зваротны (макс.): 400V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 2A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.1V @ 3.14A, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 5µA @ 400V,

Ліст з жаданняў
2KBP04ML-6212E4/72
Vishay Semiconductor Diodes Division

2KBP04ML-6212E4/72

частка акцыі: 2938

Дыёдны тып: Single Phase, Тэхналогія: Standard, Напружанне - пік, зваротны (макс.): 400V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 2A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.1V @ 3.14A, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 5µA @ 400V,

Ліст з жаданняў
2KBP04ML-6422E4/51
Vishay Semiconductor Diodes Division

2KBP04ML-6422E4/51

частка акцыі: 8748

Дыёдны тып: Single Phase, Тэхналогія: Standard, Напружанне - пік, зваротны (макс.): 400V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 2A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.1V @ 3.14A, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 5µA @ 400V,

Ліст з жаданняў
2KBP04ML-6212E4/51
Vishay Semiconductor Diodes Division

2KBP04ML-6212E4/51

частка акцыі: 8756

Дыёдны тып: Single Phase, Тэхналогія: Standard, Напружанне - пік, зваротны (макс.): 400V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 2A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.1V @ 3.14A, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 5µA @ 400V,

Ліст з жаданняў
2KBP02ML-6192E4/72
Vishay Semiconductor Diodes Division

2KBP02ML-6192E4/72

частка акцыі: 8742

Дыёдны тып: Single Phase, Тэхналогія: Standard, Напружанне - пік, зваротны (макс.): 200V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 2A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.1V @ 3.14A, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 5µA @ 200V,

Ліст з жаданняў
2KBP04M-E4/72
Vishay Semiconductor Diodes Division

2KBP04M-E4/72

частка акцыі: 8827

Дыёдны тып: Single Phase, Тэхналогія: Standard, Напружанне - пік, зваротны (макс.): 400V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 2A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.1V @ 3.14A, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 5µA @ 400V,

Ліст з жаданняў
2KBP02ML-5301E4/72
Vishay Semiconductor Diodes Division

2KBP02ML-5301E4/72

частка акцыі: 8755

Дыёдны тып: Single Phase, Тэхналогія: Standard, Напружанне - пік, зваротны (макс.): 200V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 2A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.1V @ 3.14A, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 5µA @ 200V,

Ліст з жаданняў
2KBP02M-E4/72
Vishay Semiconductor Diodes Division

2KBP02M-E4/72

частка акцыі: 8792

Дыёдны тып: Single Phase, Тэхналогія: Standard, Напружанне - пік, зваротны (макс.): 200V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 2A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.1V @ 3.14A, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 5µA @ 200V,

Ліст з жаданняў
2KBP01M-E4/72
Vishay Semiconductor Diodes Division

2KBP01M-E4/72

частка акцыі: 8774

Дыёдны тып: Single Phase, Тэхналогія: Standard, Напружанне - пік, зваротны (макс.): 100V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 2A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.1V @ 3.14A, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 5µA @ 100V,

Ліст з жаданняў
2KBP01M-10E4/51
Vishay Semiconductor Diodes Division

2KBP01M-10E4/51

частка акцыі: 8821

Дыёдны тып: Single Phase, Тэхналогія: Standard, Напружанне - пік, зваротны (макс.): 100V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 2A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.1V @ 3.14A, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 5µA @ 100V,

Ліст з жаданняў
2KBP005M-E4/72
Vishay Semiconductor Diodes Division

2KBP005M-E4/72

частка акцыі: 2874

Дыёдны тып: Single Phase, Тэхналогія: Standard, Напружанне - пік, зваротны (макс.): 50V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 2A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.1V @ 3.14A, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 5µA @ 50V,

Ліст з жаданняў
2KBP10M-M4/51
Vishay Semiconductor Diodes Division

2KBP10M-M4/51

частка акцыі: 8734

Дыёдны тып: Single Phase, Тэхналогія: Standard, Напружанне - пік, зваротны (макс.): 1kV, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 2A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.1V @ 3.14A, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 5µA @ 1000V,

Ліст з жаданняў
2KBP08M-M4/51
Vishay Semiconductor Diodes Division

2KBP08M-M4/51

частка акцыі: 8774

Дыёдны тып: Single Phase, Тэхналогія: Standard, Напружанне - пік, зваротны (макс.): 800V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 2A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.1V @ 3.14A, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 5µA @ 800V,

Ліст з жаданняў