Супраціўленне: 100 Ohms, Талерантнасць: ±1%, Магутнасць (Вт): 0.4W, Склад: Thin Film, Асаблівасці: RF, High Frequency, Тэмпературны каэфіцыент: ±50ppm/°C,
Супраціўленне: 56.2 Ohms, Талерантнасць: ±1%, Магутнасць (Вт): 0.4W, Склад: Thin Film, Асаблівасці: RF, High Frequency, Тэмпературны каэфіцыент: ±50ppm/°C,
Супраціўленне: 287 Ohms, Талерантнасць: ±1%, Магутнасць (Вт): 0.4W, Склад: Thin Film, Асаблівасці: RF, High Frequency, Тэмпературны каэфіцыент: ±50ppm/°C,
Супраціўленне: 16.2 Ohms, Талерантнасць: ±1%, Магутнасць (Вт): 0.4W, Склад: Thin Film, Асаблівасці: RF, High Frequency, Тэмпературны каэфіцыент: ±50ppm/°C,
Супраціўленне: 160 Ohms, Талерантнасць: ±1%, Магутнасць (Вт): 0.4W, Склад: Thin Film, Асаблівасці: RF, High Frequency, Тэмпературны каэфіцыент: ±50ppm/°C,
Супраціўленне: 26.7 Ohms, Талерантнасць: ±1%, Магутнасць (Вт): 0.4W, Склад: Thin Film, Асаблівасці: RF, High Frequency, Тэмпературны каэфіцыент: ±50ppm/°C,
Супраціўленне: 300 Ohms, Талерантнасць: ±1%, Магутнасць (Вт): 0.4W, Склад: Thin Film, Асаблівасці: RF, High Frequency, Тэмпературны каэфіцыент: ±50ppm/°C,
Супраціўленне: 360 Ohms, Талерантнасць: ±1%, Магутнасць (Вт): 0.4W, Склад: Thin Film, Асаблівасці: RF, High Frequency, Тэмпературны каэфіцыент: ±50ppm/°C,
Супраціўленне: 133 Ohms, Талерантнасць: ±1%, Магутнасць (Вт): 0.4W, Склад: Thin Film, Асаблівасці: RF, High Frequency, Тэмпературны каэфіцыент: ±50ppm/°C,
Супраціўленне: 61.9 Ohms, Талерантнасць: ±1%, Магутнасць (Вт): 0.4W, Склад: Thin Film, Асаблівасці: RF, High Frequency, Тэмпературны каэфіцыент: ±50ppm/°C,
Супраціўленне: 11.8 Ohms, Талерантнасць: ±1%, Магутнасць (Вт): 0.4W, Склад: Thin Film, Асаблівасці: RF, High Frequency, Тэмпературны каэфіцыент: ±50ppm/°C,
Супраціўленне: 330 Ohms, Талерантнасць: ±1%, Магутнасць (Вт): 0.4W, Склад: Thin Film, Асаблівасці: RF, High Frequency, Тэмпературны каэфіцыент: ±50ppm/°C,
Супраціўленне: 27 Ohms, Талерантнасць: ±1%, Магутнасць (Вт): 0.4W, Склад: Thin Film, Асаблівасці: RF, High Frequency, Тэмпературны каэфіцыент: ±50ppm/°C,
Супраціўленне: 110 Ohms, Талерантнасць: ±1%, Магутнасць (Вт): 0.4W, Склад: Thin Film, Асаблівасці: RF, High Frequency, Тэмпературны каэфіцыент: ±50ppm/°C,
Супраціўленне: 12 Ohms, Талерантнасць: ±1%, Магутнасць (Вт): 0.4W, Склад: Thin Film, Асаблівасці: RF, High Frequency, Тэмпературны каэфіцыент: ±50ppm/°C,
Супраціўленне: 17.8 Ohms, Талерантнасць: ±1%, Магутнасць (Вт): 0.4W, Склад: Thin Film, Асаблівасці: RF, High Frequency, Тэмпературны каэфіцыент: ±50ppm/°C,
Супраціўленне: 120 Ohms, Талерантнасць: ±1%, Магутнасць (Вт): 0.4W, Склад: Thin Film, Асаблівасці: RF, High Frequency, Тэмпературны каэфіцыент: ±50ppm/°C,
Супраціўленне: 68 Ohms, Талерантнасць: ±1%, Магутнасць (Вт): 0.4W, Склад: Thin Film, Асаблівасці: RF, High Frequency, Тэмпературны каэфіцыент: ±50ppm/°C,
Супраціўленне: 180 Ohms, Талерантнасць: ±1%, Магутнасць (Вт): 0.4W, Склад: Thin Film, Асаблівасці: RF, High Frequency, Тэмпературны каэфіцыент: ±50ppm/°C,
Супраціўленне: 33.2 Ohms, Талерантнасць: ±1%, Магутнасць (Вт): 0.4W, Склад: Thin Film, Асаблівасці: RF, High Frequency, Тэмпературны каэфіцыент: ±50ppm/°C,
Супраціўленне: 95.3 Ohms, Талерантнасць: ±1%, Магутнасць (Вт): 0.4W, Склад: Thin Film, Асаблівасці: RF, High Frequency, Тэмпературны каэфіцыент: ±50ppm/°C,
Супраціўленне: 18 Ohms, Талерантнасць: ±1%, Магутнасць (Вт): 0.4W, Склад: Thin Film, Асаблівасці: RF, High Frequency, Тэмпературны каэфіцыент: ±50ppm/°C,
Супраціўленне: 68 Ohms, Талерантнасць: ±5%, Магутнасць (Вт): 3W, Склад: Wirewound, Асаблівасці: Flame Retardant Coating, High Voltage, Pulse Withstanding, Safety, Тэмпературны каэфіцыент: ±200ppm/°C,
Супраціўленне: 82 Ohms, Талерантнасць: ±2%, Магутнасць (Вт): 0.4W, Склад: Thin Film, Асаблівасці: RF, High Frequency, Тэмпературны каэфіцыент: ±50ppm/°C,
Супраціўленне: 7.32 kOhms, Талерантнасць: ±0.1%, Магутнасць (Вт): 0.4W, Склад: Metal Film, Асаблівасці: Automotive AEC-Q200, Тэмпературны каэфіцыент: ±25ppm/°C,
Супраціўленне: 20 kOhms, Талерантнасць: ±0.1%, Магутнасць (Вт): 0.4W, Склад: Metal Film, Асаблівасці: Automotive AEC-Q200, Тэмпературны каэфіцыент: ±25ppm/°C,
Супраціўленне: 1.24 kOhms, Талерантнасць: ±0.1%, Магутнасць (Вт): 0.4W, Склад: Metal Film, Асаблівасці: Automotive AEC-Q200, Тэмпературны каэфіцыент: ±25ppm/°C,
Супраціўленне: 1 kOhms, Талерантнасць: ±0.25%, Магутнасць (Вт): 0.4W, Склад: Metal Film, Тэмпературны каэфіцыент: ±25ppm/°C,
Супраціўленне: 680 kOhms, Талерантнасць: ±1%, Магутнасць (Вт): 0.4W, Склад: Metal Film, Тэмпературны каэфіцыент: ±25ppm/°C,
Супраціўленне: 10 Ohms, Талерантнасць: ±5%, Магутнасць (Вт): 3W, Склад: Metal Oxide Film, Асаблівасці: Pulse Withstanding, Тэмпературны каэфіцыент: ±200ppm/°C,
Супраціўленне: 30.1 kOhms, Талерантнасць: ±0.25%, Магутнасць (Вт): 0.25W, 1/4W, Склад: Metal Film, Тэмпературны каэфіцыент: ±50ppm/°C,
Супраціўленне: 7.15 Ohms, Талерантнасць: ±1%, Магутнасць (Вт): 0.4W, Склад: Metal Film, Тэмпературны каэфіцыент: ±25ppm/°C,
Супраціўленне: 15 kOhms, Талерантнасць: ±0.1%, Магутнасць (Вт): 0.4W, Склад: Metal Film, Асаблівасці: Automotive AEC-Q200, Тэмпературны каэфіцыент: ±25ppm/°C,
Супраціўленне: 33 kOhms, Талерантнасць: ±1%, Магутнасць (Вт): 0.4W, Склад: Metal Film, Тэмпературны каэфіцыент: ±25ppm/°C,
Супраціўленне: 2.32 Ohms, Талерантнасць: ±1%, Магутнасць (Вт): 0.4W, Склад: Metal Film, Тэмпературны каэфіцыент: ±25ppm/°C,
Супраціўленне: 9.53 kOhms, Талерантнасць: ±1%, Магутнасць (Вт): 0.4W, Склад: Metal Film, Тэмпературны каэфіцыент: ±25ppm/°C,
