Супраціўленне: 12.1 Ohms, Талерантнасць: ±1%, Магутнасць (Вт): 0.4W, Склад: Thin Film, Асаблівасці: RF, High Frequency, Тэмпературны каэфіцыент: ±50ppm/°C,
Супраціўленне: 26.1 Ohms, Талерантнасць: ±1%, Магутнасць (Вт): 0.4W, Склад: Thin Film, Асаблівасці: RF, High Frequency, Тэмпературны каэфіцыент: ±50ppm/°C,
Супраціўленне: 46.4 Ohms, Талерантнасць: ±1%, Магутнасць (Вт): 0.4W, Склад: Thin Film, Асаблівасці: RF, High Frequency, Тэмпературны каэфіцыент: ±50ppm/°C,
Супраціўленне: 39.2 Ohms, Талерантнасць: ±1%, Магутнасць (Вт): 0.4W, Склад: Thin Film, Асаблівасці: RF, High Frequency, Тэмпературны каэфіцыент: ±50ppm/°C,
Супраціўленне: 240 Ohms, Талерантнасць: ±1%, Магутнасць (Вт): 0.4W, Склад: Thin Film, Асаблівасці: RF, High Frequency, Тэмпературны каэфіцыент: ±50ppm/°C,
Супраціўленне: 150 Ohms, Талерантнасць: ±1%, Магутнасць (Вт): 0.4W, Склад: Thin Film, Асаблівасці: RF, High Frequency, Тэмпературны каэфіцыент: ±50ppm/°C,
Супраціўленне: 232 Ohms, Талерантнасць: ±1%, Магутнасць (Вт): 0.4W, Склад: Thin Film, Асаблівасці: RF, High Frequency, Тэмпературны каэфіцыент: ±50ppm/°C,
Супраціўленне: 50.5 Ohms, Талерантнасць: ±1%, Магутнасць (Вт): 0.4W, Склад: Thin Film, Асаблівасці: RF, High Frequency, Тэмпературны каэфіцыент: ±50ppm/°C,
Супраціўленне: 73.2 Ohms, Талерантнасць: ±1%, Магутнасць (Вт): 0.4W, Склад: Thin Film, Асаблівасці: RF, High Frequency, Тэмпературны каэфіцыент: ±50ppm/°C,
Супраціўленне: 121 Ohms, Талерантнасць: ±1%, Магутнасць (Вт): 0.4W, Склад: Thin Film, Асаблівасці: RF, High Frequency, Тэмпературны каэфіцыент: ±50ppm/°C,
Супраціўленне: 47.5 Ohms, Талерантнасць: ±1%, Магутнасць (Вт): 0.4W, Склад: Thin Film, Асаблівасці: RF, High Frequency, Тэмпературны каэфіцыент: ±50ppm/°C,
Супраціўленне: 75 Ohms, Талерантнасць: ±1%, Магутнасць (Вт): 0.4W, Склад: Thin Film, Асаблівасці: RF, High Frequency, Тэмпературны каэфіцыент: ±50ppm/°C,
Супраціўленне: 33 Ohms, Талерантнасць: ±1%, Магутнасць (Вт): 0.4W, Склад: Thin Film, Асаблівасці: RF, High Frequency, Тэмпературны каэфіцыент: ±50ppm/°C,
Супраціўленне: 430 Ohms, Талерантнасць: ±1%, Магутнасць (Вт): 0.4W, Склад: Thin Film, Асаблівасці: RF, High Frequency, Тэмпературны каэфіцыент: ±50ppm/°C,
Супраціўленне: 66.5 Ohms, Талерантнасць: ±1%, Магутнасць (Вт): 0.4W, Склад: Thin Film, Асаблівасці: RF, High Frequency, Тэмпературны каэфіцыент: ±50ppm/°C,
Супраціўленне: 143 Ohms, Талерантнасць: ±1%, Магутнасць (Вт): 0.4W, Склад: Thin Film, Асаблівасці: RF, High Frequency, Тэмпературны каэфіцыент: ±50ppm/°C,
Супраціўленне: 71.5 Ohms, Талерантнасць: ±1%, Магутнасць (Вт): 0.4W, Склад: Thin Film, Асаблівасці: RF, High Frequency, Тэмпературны каэфіцыент: ±50ppm/°C,
Супраціўленне: 147 Ohms, Талерантнасць: ±1%, Магутнасць (Вт): 0.4W, Склад: Thin Film, Асаблівасці: RF, High Frequency, Тэмпературны каэфіцыент: ±50ppm/°C,
Супраціўленне: 51.1 Ohms, Талерантнасць: ±1%, Магутнасць (Вт): 0.4W, Склад: Thin Film, Асаблівасці: RF, High Frequency, Тэмпературны каэфіцыент: ±50ppm/°C,
Супраціўленне: 39 Ohms, Талерантнасць: ±1%, Магутнасць (Вт): 0.4W, Склад: Thin Film, Асаблівасці: RF, High Frequency, Тэмпературны каэфіцыент: ±50ppm/°C,
Супраціўленне: 34.8 Ohms, Талерантнасць: ±1%, Магутнасць (Вт): 0.4W, Склад: Thin Film, Асаблівасці: RF, High Frequency, Тэмпературны каэфіцыент: ±50ppm/°C,
Супраціўленне: 22 Ohms, Талерантнасць: ±1%, Магутнасць (Вт): 0.4W, Склад: Thin Film, Асаблівасці: RF, High Frequency, Тэмпературны каэфіцыент: ±50ppm/°C,
Супраціўленне: 18.2 Ohms, Талерантнасць: ±1%, Магутнасць (Вт): 0.4W, Склад: Thin Film, Асаблівасці: RF, High Frequency, Тэмпературны каэфіцыент: ±50ppm/°C,
Супраціўленне: 15 Ohms, Талерантнасць: ±1%, Магутнасць (Вт): 0.4W, Склад: Thin Film, Асаблівасці: RF, High Frequency, Тэмпературны каэфіцыент: ±50ppm/°C,
Супраціўленне: 82 Ohms, Талерантнасць: ±1%, Магутнасць (Вт): 0.4W, Склад: Thin Film, Асаблівасці: RF, High Frequency, Тэмпературны каэфіцыент: ±50ppm/°C,
Супраціўленне: 220 Ohms, Талерантнасць: ±1%, Магутнасць (Вт): 0.4W, Склад: Thin Film, Асаблівасці: RF, High Frequency, Тэмпературны каэфіцыент: ±50ppm/°C,
Супраціўленне: 22.1 Ohms, Талерантнасць: ±1%, Магутнасць (Вт): 0.4W, Склад: Thin Film, Асаблівасці: RF, High Frequency, Тэмпературны каэфіцыент: ±50ppm/°C,
Супраціўленне: 25.5 Ohms, Талерантнасць: ±1%, Магутнасць (Вт): 0.4W, Склад: Thin Film, Асаблівасці: RF, High Frequency, Тэмпературны каэфіцыент: ±50ppm/°C,
Супраціўленне: 50 Ohms, Талерантнасць: ±1%, Магутнасць (Вт): 0.4W, Склад: Thin Film, Асаблівасці: RF, High Frequency, Тэмпературны каэфіцыент: ±50ppm/°C,
Супраціўленне: 64.9 Ohms, Талерантнасць: ±1%, Магутнасць (Вт): 0.4W, Склад: Thin Film, Асаблівасці: RF, High Frequency, Тэмпературны каэфіцыент: ±50ppm/°C,
Супраціўленне: 390 Ohms, Талерантнасць: ±1%, Магутнасць (Вт): 0.4W, Склад: Thin Film, Асаблівасці: RF, High Frequency, Тэмпературны каэфіцыент: ±50ppm/°C,
Супраціўленне: 220 Ohms, Талерантнасць: ±2%, Магутнасць (Вт): 0.4W, Склад: Thin Film, Асаблівасці: RF, High Frequency, Тэмпературны каэфіцыент: ±50ppm/°C,
Супраціўленне: 470 Ohms, Талерантнасць: ±1%, Магутнасць (Вт): 0.4W, Склад: Thin Film, Асаблівасці: RF, High Frequency, Тэмпературны каэфіцыент: ±50ppm/°C,
Супраціўленне: 49.9 Ohms, Талерантнасць: ±1%, Магутнасць (Вт): 0.4W, Склад: Thin Film, Асаблівасці: RF, High Frequency, Тэмпературны каэфіцыент: ±50ppm/°C,
Супраціўленне: 56 Ohms, Талерантнасць: ±1%, Магутнасць (Вт): 0.4W, Склад: Thin Film, Асаблівасці: RF, High Frequency, Тэмпературны каэфіцыент: ±50ppm/°C,
Супраціўленне: 47 Ohms, Талерантнасць: ±1%, Магутнасць (Вт): 0.4W, Склад: Thin Film, Асаблівасці: RF, High Frequency, Тэмпературны каэфіцыент: ±50ppm/°C,
