Чып-рэзістар - павярхоўнае мацаванне

PTN1206E1004BST1

PTN1206E1004BST1

частка акцыі: 95296

Супраціўленне: 1 MOhms, Талерантнасць: ±0.1%, Магутнасць (Вт): 0.4W, 2/5W, Склад: Thin Film, Асаблівасці: Anti-Sulfur, Moisture Resistant, Non-Inductive, Тэмпературны каэфіцыент: ±25ppm/°C,

PTN1206E7963BST1

PTN1206E7963BST1

частка акцыі: 106313

Супраціўленне: 796 kOhms, Талерантнасць: ±0.1%, Магутнасць (Вт): 0.4W, 2/5W, Склад: Thin Film, Асаблівасці: Anti-Sulfur, Moisture Resistant, Non-Inductive, Тэмпературны каэфіцыент: ±25ppm/°C,

PTN1206E9423BST1

PTN1206E9423BST1

частка акцыі: 106282

Супраціўленне: 942 kOhms, Талерантнасць: ±0.1%, Магутнасць (Вт): 0.4W, 2/5W, Склад: Thin Film, Асаблівасці: Anti-Sulfur, Moisture Resistant, Non-Inductive, Тэмпературны каэфіцыент: ±25ppm/°C,

PTN1206E8983BST1

PTN1206E8983BST1

частка акцыі: 106324

Супраціўленне: 898 kOhms, Талерантнасць: ±0.1%, Магутнасць (Вт): 0.4W, 2/5W, Склад: Thin Film, Асаблівасці: Anti-Sulfur, Moisture Resistant, Non-Inductive, Тэмпературны каэфіцыент: ±25ppm/°C,

PTN1206E7683BST1

PTN1206E7683BST1

частка акцыі: 106282

Супраціўленне: 768 kOhms, Талерантнасць: ±0.1%, Магутнасць (Вт): 0.4W, 2/5W, Склад: Thin Film, Асаблівасці: Anti-Sulfur, Moisture Resistant, Non-Inductive, Тэмпературны каэфіцыент: ±25ppm/°C,

PTN1206E9883BST1

PTN1206E9883BST1

частка акцыі: 106366

Супраціўленне: 988 kOhms, Талерантнасць: ±0.1%, Магутнасць (Вт): 0.4W, 2/5W, Склад: Thin Film, Асаблівасці: Anti-Sulfur, Moisture Resistant, Non-Inductive, Тэмпературны каэфіцыент: ±25ppm/°C,

PTN1206E8763BST1

PTN1206E8763BST1

частка акцыі: 106309

Супраціўленне: 876 kOhms, Талерантнасць: ±0.1%, Магутнасць (Вт): 0.4W, 2/5W, Склад: Thin Film, Асаблівасці: Anti-Sulfur, Moisture Resistant, Non-Inductive, Тэмпературны каэфіцыент: ±25ppm/°C,

PTN1206E5363BST1

PTN1206E5363BST1

частка акцыі: 106361

Супраціўленне: 536 kOhms, Талерантнасць: ±0.1%, Магутнасць (Вт): 0.4W, 2/5W, Склад: Thin Film, Асаблівасці: Anti-Sulfur, Moisture Resistant, Non-Inductive, Тэмпературны каэфіцыент: ±25ppm/°C,

PTN1206E7063BST1

PTN1206E7063BST1

частка акцыі: 106297

Супраціўленне: 706 kOhms, Талерантнасць: ±0.1%, Магутнасць (Вт): 0.4W, 2/5W, Склад: Thin Film, Асаблівасці: Anti-Sulfur, Moisture Resistant, Non-Inductive, Тэмпературны каэфіцыент: ±25ppm/°C,

PTN1206E5763BST1

PTN1206E5763BST1

частка акцыі: 106284

Супраціўленне: 576 kOhms, Талерантнасць: ±0.1%, Магутнасць (Вт): 0.4W, 2/5W, Склад: Thin Film, Асаблівасці: Anti-Sulfur, Moisture Resistant, Non-Inductive, Тэмпературны каэфіцыент: ±25ppm/°C,

PTN1206E9533BST1

PTN1206E9533BST1

частка акцыі: 106314

Супраціўленне: 953 kOhms, Талерантнасць: ±0.1%, Магутнасць (Вт): 0.4W, 2/5W, Склад: Thin Film, Асаблівасці: Anti-Sulfur, Moisture Resistant, Non-Inductive, Тэмпературны каэфіцыент: ±25ppm/°C,

PTN1206E5173BST1

PTN1206E5173BST1

частка акцыі: 106322

Супраціўленне: 517 kOhms, Талерантнасць: ±0.1%, Магутнасць (Вт): 0.4W, 2/5W, Склад: Thin Film, Асаблівасці: Anti-Sulfur, Moisture Resistant, Non-Inductive, Тэмпературны каэфіцыент: ±25ppm/°C,

PTN1206E6423BST1

PTN1206E6423BST1

частка акцыі: 106374

Супраціўленне: 642 kOhms, Талерантнасць: ±0.1%, Магутнасць (Вт): 0.4W, 2/5W, Склад: Thin Film, Асаблівасці: Anti-Sulfur, Moisture Resistant, Non-Inductive, Тэмпературны каэфіцыент: ±25ppm/°C,

PTN1206E5903BST1

PTN1206E5903BST1

частка акцыі: 106292

Супраціўленне: 590 kOhms, Талерантнасць: ±0.1%, Магутнасць (Вт): 0.4W, 2/5W, Склад: Thin Film, Асаблівасці: Anti-Sulfur, Moisture Resistant, Non-Inductive, Тэмпературны каэфіцыент: ±25ppm/°C,

PTN1206E8063BST1

PTN1206E8063BST1

частка акцыі: 106315

Супраціўленне: 806 kOhms, Талерантнасць: ±0.1%, Магутнасць (Вт): 0.4W, 2/5W, Склад: Thin Film, Асаблівасці: Anti-Sulfur, Moisture Resistant, Non-Inductive, Тэмпературны каэфіцыент: ±25ppm/°C,

PTN1206E5973BST1

PTN1206E5973BST1

частка акцыі: 106360

Супраціўленне: 597 kOhms, Талерантнасць: ±0.1%, Магутнасць (Вт): 0.4W, 2/5W, Склад: Thin Film, Асаблівасці: Anti-Sulfur, Moisture Resistant, Non-Inductive, Тэмпературны каэфіцыент: ±25ppm/°C,

PATT0402K7R68FGT1

PATT0402K7R68FGT1

частка акцыі: 95157

Супраціўленне: 7.68 Ohms, Талерантнасць: ±1%, Магутнасць (Вт): 0.05W, 1/20W, Склад: Thin Film, Асаблівасці: Anti-Sulfur, Automotive AEC-Q200, Moisture Resistant, Тэмпературны каэфіцыент: ±100ppm/°C,

PTN1206E9203BST1

PTN1206E9203BST1

частка акцыі: 106319

Супраціўленне: 920 kOhms, Талерантнасць: ±0.1%, Магутнасць (Вт): 0.4W, 2/5W, Склад: Thin Film, Асаблівасці: Anti-Sulfur, Moisture Resistant, Non-Inductive, Тэмпературны каэфіцыент: ±25ppm/°C,

PTN1206E5563BST1

PTN1206E5563BST1

частка акцыі: 106365

Супраціўленне: 556 kOhms, Талерантнасць: ±0.1%, Магутнасць (Вт): 0.4W, 2/5W, Склад: Thin Film, Асаблівасці: Anti-Sulfur, Moisture Resistant, Non-Inductive, Тэмпературны каэфіцыент: ±25ppm/°C,

PTN1206E5623BST1

PTN1206E5623BST1

частка акцыі: 106339

Супраціўленне: 562 kOhms, Талерантнасць: ±0.1%, Магутнасць (Вт): 0.4W, 2/5W, Склад: Thin Film, Асаблівасці: Anti-Sulfur, Moisture Resistant, Non-Inductive, Тэмпературны каэфіцыент: ±25ppm/°C,

PTN1206E6263BST1

PTN1206E6263BST1

частка акцыі: 106357

Супраціўленне: 626 kOhms, Талерантнасць: ±0.1%, Магутнасць (Вт): 0.4W, 2/5W, Склад: Thin Film, Асаблівасці: Anti-Sulfur, Moisture Resistant, Non-Inductive, Тэмпературны каэфіцыент: ±25ppm/°C,

PTN1206E7873BST1

PTN1206E7873BST1

частка акцыі: 106312

Супраціўленне: 787 kOhms, Талерантнасць: ±0.1%, Магутнасць (Вт): 0.4W, 2/5W, Склад: Thin Film, Асаблівасці: Anti-Sulfur, Moisture Resistant, Non-Inductive, Тэмпературны каэфіцыент: ±25ppm/°C,

PTN1206E8563BST1

PTN1206E8563BST1

частка акцыі: 106343

Супраціўленне: 856 kOhms, Талерантнасць: ±0.1%, Магутнасць (Вт): 0.4W, 2/5W, Склад: Thin Film, Асаблівасці: Anti-Sulfur, Moisture Resistant, Non-Inductive, Тэмпературны каэфіцыент: ±25ppm/°C,

PTN1206E5833BST1

PTN1206E5833BST1

частка акцыі: 106317

Супраціўленне: 583 kOhms, Талерантнасць: ±0.1%, Магутнасць (Вт): 0.4W, 2/5W, Склад: Thin Film, Асаблівасці: Anti-Sulfur, Moisture Resistant, Non-Inductive, Тэмпературны каэфіцыент: ±25ppm/°C,

PTN1206E6123BST1

PTN1206E6123BST1

частка акцыі: 106306

Супраціўленне: 612 kOhms, Талерантнасць: ±0.1%, Магутнасць (Вт): 0.4W, 2/5W, Склад: Thin Film, Асаблівасці: Anti-Sulfur, Moisture Resistant, Non-Inductive, Тэмпературны каэфіцыент: ±25ppm/°C,

PTN1206E5113BST1

PTN1206E5113BST1

частка акцыі: 106298

Супраціўленне: 511 kOhms, Талерантнасць: ±0.1%, Магутнасць (Вт): 0.4W, 2/5W, Склад: Thin Film, Асаблівасці: Anti-Sulfur, Moisture Resistant, Non-Inductive, Тэмпературны каэфіцыент: ±25ppm/°C,

PTN1206E8353BST1

PTN1206E8353BST1

частка акцыі: 106320

Супраціўленне: 835 kOhms, Талерантнасць: ±0.1%, Магутнасць (Вт): 0.4W, 2/5W, Склад: Thin Film, Асаблівасці: Anti-Sulfur, Moisture Resistant, Non-Inductive, Тэмпературны каэфіцыент: ±25ppm/°C,

PTN1206E7413BST1

PTN1206E7413BST1

частка акцыі: 106366

Супраціўленне: 741 kOhms, Талерантнасць: ±0.1%, Магутнасць (Вт): 0.4W, 2/5W, Склад: Thin Film, Асаблівасці: Anti-Sulfur, Moisture Resistant, Non-Inductive, Тэмпературны каэфіцыент: ±25ppm/°C,

PTN1206E9313BST1

PTN1206E9313BST1

частка акцыі: 106375

Супраціўленне: 931 kOhms, Талерантнасць: ±0.1%, Магутнасць (Вт): 0.4W, 2/5W, Склад: Thin Film, Асаблівасці: Anti-Sulfur, Moisture Resistant, Non-Inductive, Тэмпературны каэфіцыент: ±25ppm/°C,

MCU08050F1212BP100

MCU08050F1212BP100

частка акцыі: 108395

Супраціўленне: 12.1 kOhms, Талерантнасць: ±0.1%, Магутнасць (Вт): 0.125W, 1/8W, Склад: Thin Film, Асаблівасці: Anti-Sulfur, Тэмпературны каэфіцыент: ±10ppm/°C,

MCU08050F1002BP100

MCU08050F1002BP100

частка акцыі: 108421

Супраціўленне: 10 kOhms, Талерантнасць: ±0.1%, Магутнасць (Вт): 0.125W, 1/8W, Склад: Thin Film, Асаблівасці: Anti-Sulfur, Тэмпературны каэфіцыент: ±10ppm/°C,

MCU08050F2702BP100

MCU08050F2702BP100

частка акцыі: 108377

Супраціўленне: 27 kOhms, Талерантнасць: ±0.1%, Магутнасць (Вт): 0.125W, 1/8W, Склад: Thin Film, Асаблівасці: Anti-Sulfur, Тэмпературны каэфіцыент: ±10ppm/°C,

MCU08050F2701BP100

MCU08050F2701BP100

частка акцыі: 108344

Супраціўленне: 2.7 kOhms, Талерантнасць: ±0.1%, Магутнасць (Вт): 0.125W, 1/8W, Склад: Thin Film, Асаблівасці: Anti-Sulfur, Тэмпературны каэфіцыент: ±10ppm/°C,

MCU08050F4421BP100

MCU08050F4421BP100

частка акцыі: 108344

Супраціўленне: 4.42 kOhms, Талерантнасць: ±0.1%, Магутнасць (Вт): 0.125W, 1/8W, Склад: Thin Film, Асаблівасці: Anti-Sulfur, Тэмпературны каэфіцыент: ±10ppm/°C,

MCU08050F5602BP100

MCU08050F5602BP100

частка акцыі: 108381

Супраціўленне: 56 kOhms, Талерантнасць: ±0.1%, Магутнасць (Вт): 0.125W, 1/8W, Склад: Thin Film, Асаблівасці: Anti-Sulfur, Тэмпературны каэфіцыент: ±10ppm/°C,

MCU08050F3240BP100

MCU08050F3240BP100

частка акцыі: 108362

Супраціўленне: 324 Ohms, Талерантнасць: ±0.1%, Магутнасць (Вт): 0.125W, 1/8W, Склад: Thin Film, Асаблівасці: Anti-Sulfur, Тэмпературны каэфіцыент: ±10ppm/°C,