Чып-рэзістар - павярхоўнае мацаванне

MMB02070E2000BB700

MMB02070E2000BB700

частка акцыі: 74

Супраціўленне: 200 Ohms, Талерантнасць: ±0.1%, Магутнасць (Вт): 0.4W, 2/5W, Склад: Thin Film, Асаблівасці: Anti-Sulfur, Automotive AEC-Q200, Тэмпературны каэфіцыент: ±15ppm/°C,

MCA12060F1802BP100

MCA12060F1802BP100

частка акцыі: 94202

Супраціўленне: 18 kOhms, Талерантнасць: ±0.1%, Магутнасць (Вт): 0.25W, 1/4W, Склад: Thin Film, Асаблівасці: Anti-Sulfur, Тэмпературны каэфіцыент: ±10ppm/°C,

MMB02070E1004BB200

MMB02070E1004BB200

частка акцыі: 82

Супраціўленне: 1 MOhms, Талерантнасць: ±0.1%, Магутнасць (Вт): 0.4W, 2/5W, Склад: Thin Film, Асаблівасці: Anti-Sulfur, Automotive AEC-Q200, Тэмпературны каэфіцыент: ±15ppm/°C,

MCA12060F2002BP100

MCA12060F2002BP100

частка акцыі: 94241

Супраціўленне: 20 kOhms, Талерантнасць: ±0.1%, Магутнасць (Вт): 0.25W, 1/4W, Склад: Thin Film, Асаблівасці: Anti-Sulfur, Тэмпературны каэфіцыент: ±10ppm/°C,

MMB02070E2000BB200

MMB02070E2000BB200

частка акцыі: 152

Супраціўленне: 200 Ohms, Талерантнасць: ±0.1%, Магутнасць (Вт): 0.4W, 2/5W, Склад: Thin Film, Асаблівасці: Anti-Sulfur, Automotive AEC-Q200, Тэмпературны каэфіцыент: ±15ppm/°C,

MCA12060F1132BP100

MCA12060F1132BP100

частка акцыі: 94247

Супраціўленне: 11.3 kOhms, Талерантнасць: ±0.1%, Магутнасць (Вт): 0.25W, 1/4W, Склад: Thin Film, Асаблівасці: Anti-Sulfur, Тэмпературны каэфіцыент: ±10ppm/°C,

MCA12060F2213CP100

MCA12060F2213CP100

частка акцыі: 94233

Супраціўленне: 221 kOhms, Талерантнасць: ±0.25%, Магутнасць (Вт): 0.25W, 1/4W, Склад: Thin Film, Асаблівасці: Anti-Sulfur, Тэмпературны каэфіцыент: ±10ppm/°C,

MCA12060F4991BP100

MCA12060F4991BP100

частка акцыі: 94157

Супраціўленне: 4.99 kOhms, Талерантнасць: ±0.1%, Магутнасць (Вт): 0.25W, 1/4W, Склад: Thin Film, Асаблівасці: Anti-Sulfur, Тэмпературны каэфіцыент: ±10ppm/°C,

MMB02070E3322BB200

MMB02070E3322BB200

частка акцыі: 119

Супраціўленне: 33.2 kOhms, Талерантнасць: ±0.1%, Магутнасць (Вт): 0.4W, 2/5W, Склад: Thin Film, Асаблівасці: Anti-Sulfur, Automotive AEC-Q200, Тэмпературны каэфіцыент: ±15ppm/°C,

PATT0402L1R50FGT1

PATT0402L1R50FGT1

частка акцыі: 95169

Супраціўленне: 1.5 Ohms, Талерантнасць: ±1%, Магутнасць (Вт): 0.05W, 1/20W, Склад: Thin Film, Асаблівасці: Anti-Sulfur, Automotive AEC-Q200, Moisture Resistant, Тэмпературны каэфіцыент: ±200ppm/°C,

FC0603E50R0JST1

FC0603E50R0JST1

частка акцыі: 97122

Супраціўленне: 50 Ohms, Талерантнасць: ±5%, Магутнасць (Вт): 0.125W, 1/8W, Склад: Thin Film, Асаблівасці: RF, High Frequency, Тэмпературны каэфіцыент: ±25ppm/°C,

PTN1206E7593BST1

PTN1206E7593BST1

частка акцыі: 106332

Супраціўленне: 759 kOhms, Талерантнасць: ±0.1%, Магутнасць (Вт): 0.4W, 2/5W, Склад: Thin Film, Асаблівасці: Anti-Sulfur, Moisture Resistant, Non-Inductive, Тэмпературны каэфіцыент: ±25ppm/°C,

PTN1206E5303BST1

PTN1206E5303BST1

частка акцыі: 106297

Супраціўленне: 530 kOhms, Талерантнасць: ±0.1%, Магутнасць (Вт): 0.4W, 2/5W, Склад: Thin Film, Асаблівасці: Anti-Sulfur, Moisture Resistant, Non-Inductive, Тэмпературны каэфіцыент: ±25ppm/°C,

PTN1206E8163BST1

PTN1206E8163BST1

частка акцыі: 106376

Супраціўленне: 816 kOhms, Талерантнасць: ±0.1%, Магутнасць (Вт): 0.4W, 2/5W, Склад: Thin Film, Асаблівасці: Anti-Sulfur, Moisture Resistant, Non-Inductive, Тэмпературны каэфіцыент: ±25ppm/°C,

PTN1206E5053BST1

PTN1206E5053BST1

частка акцыі: 106292

Супраціўленне: 505 kOhms, Талерантнасць: ±0.1%, Магутнасць (Вт): 0.4W, 2/5W, Склад: Thin Film, Асаблівасці: Anti-Sulfur, Moisture Resistant, Non-Inductive, Тэмпературны каэфіцыент: ±25ppm/°C,

PATT0402L2R49FGT1

PATT0402L2R49FGT1

частка акцыі: 95137

Супраціўленне: 2.49 Ohms, Талерантнасць: ±1%, Магутнасць (Вт): 0.05W, 1/20W, Склад: Thin Film, Асаблівасці: Anti-Sulfur, Automotive AEC-Q200, Moisture Resistant, Тэмпературны каэфіцыент: ±200ppm/°C,

PTN1206E7153BST1

PTN1206E7153BST1

частка акцыі: 106302

Супраціўленне: 715 kOhms, Талерантнасць: ±0.1%, Магутнасць (Вт): 0.4W, 2/5W, Склад: Thin Film, Асаблівасці: Anti-Sulfur, Moisture Resistant, Non-Inductive, Тэмпературны каэфіцыент: ±25ppm/°C,

PTN1206E6493BST1

PTN1206E6493BST1

частка акцыі: 106326

Супраціўленне: 649 kOhms, Талерантнасць: ±0.1%, Магутнасць (Вт): 0.4W, 2/5W, Склад: Thin Film, Асаблівасці: Anti-Sulfur, Moisture Resistant, Non-Inductive, Тэмпературны каэфіцыент: ±25ppm/°C,

PTN1206E6813BST1

PTN1206E6813BST1

частка акцыі: 106324

Супраціўленне: 681 kOhms, Талерантнасць: ±0.1%, Магутнасць (Вт): 0.4W, 2/5W, Склад: Thin Film, Асаблівасці: Anti-Sulfur, Moisture Resistant, Non-Inductive, Тэмпературны каэфіцыент: ±25ppm/°C,

PTN1206E5423BST1

PTN1206E5423BST1

частка акцыі: 106372

Супраціўленне: 542 kOhms, Талерантнасць: ±0.1%, Магутнасць (Вт): 0.4W, 2/5W, Склад: Thin Film, Асаблівасці: Anti-Sulfur, Moisture Resistant, Non-Inductive, Тэмпературны каэфіцыент: ±25ppm/°C,

PTN1206E9653BST1

PTN1206E9653BST1

частка акцыі: 106283

Супраціўленне: 965 kOhms, Талерантнасць: ±0.1%, Магутнасць (Вт): 0.4W, 2/5W, Склад: Thin Film, Асаблівасці: Anti-Sulfur, Moisture Resistant, Non-Inductive, Тэмпературны каэфіцыент: ±25ppm/°C,

PTN1206E6343BST1

PTN1206E6343BST1

частка акцыі: 106348

Супраціўленне: 634 kOhms, Талерантнасць: ±0.1%, Магутнасць (Вт): 0.4W, 2/5W, Склад: Thin Film, Асаблівасці: Anti-Sulfur, Moisture Resistant, Non-Inductive, Тэмпературны каэфіцыент: ±25ppm/°C,

PTN1206E8663BST1

PTN1206E8663BST1

частка акцыі: 106315

Супраціўленне: 866 kOhms, Талерантнасць: ±0.1%, Магутнасць (Вт): 0.4W, 2/5W, Склад: Thin Film, Асаблівасці: Anti-Sulfur, Moisture Resistant, Non-Inductive, Тэмпературны каэфіцыент: ±25ppm/°C,

PTN1206E8253BST1

PTN1206E8253BST1

частка акцыі: 106377

Супраціўленне: 825 kOhms, Талерантнасць: ±0.1%, Магутнасць (Вт): 0.4W, 2/5W, Склад: Thin Film, Асаблівасці: Anti-Sulfur, Moisture Resistant, Non-Inductive, Тэмпературны каэфіцыент: ±25ppm/°C,

PTN1206E6983BST1

PTN1206E6983BST1

частка акцыі: 106370

Супраціўленне: 698 kOhms, Талерантнасць: ±0.1%, Магутнасць (Вт): 0.4W, 2/5W, Склад: Thin Film, Асаблівасці: Anti-Sulfur, Moisture Resistant, Non-Inductive, Тэмпературны каэфіцыент: ±25ppm/°C,

PTN1206E5693BST1

PTN1206E5693BST1

частка акцыі: 106322

Супраціўленне: 569 kOhms, Талерантнасць: ±0.1%, Магутнасць (Вт): 0.4W, 2/5W, Склад: Thin Film, Асаблівасці: Anti-Sulfur, Moisture Resistant, Non-Inductive, Тэмпературны каэфіцыент: ±25ppm/°C,

PATT0402L4R87FGT1

PATT0402L4R87FGT1

частка акцыі: 95134

Супраціўленне: 4.87 Ohms, Талерантнасць: ±1%, Магутнасць (Вт): 0.05W, 1/20W, Склад: Thin Film, Асаблівасці: Anti-Sulfur, Automotive AEC-Q200, Moisture Resistant, Тэмпературны каэфіцыент: ±200ppm/°C,

PTN1206E6733BST1

PTN1206E6733BST1

частка акцыі: 106289

Супраціўленне: 673 kOhms, Талерантнасць: ±0.1%, Магутнасць (Вт): 0.4W, 2/5W, Склад: Thin Film, Асаблівасці: Anti-Sulfur, Moisture Resistant, Non-Inductive, Тэмпературны каэфіцыент: ±25ppm/°C,

PTN1206E6193BST1

PTN1206E6193BST1

частка акцыі: 106338

Супраціўленне: 619 kOhms, Талерантнасць: ±0.1%, Магутнасць (Вт): 0.4W, 2/5W, Склад: Thin Film, Асаблівасці: Anti-Sulfur, Moisture Resistant, Non-Inductive, Тэмпературны каэфіцыент: ±25ppm/°C,

PTN1206E5493BST1

PTN1206E5493BST1

частка акцыі: 106318

Супраціўленне: 549 kOhms, Талерантнасць: ±0.1%, Магутнасць (Вт): 0.4W, 2/5W, Склад: Thin Film, Асаблівасці: Anti-Sulfur, Moisture Resistant, Non-Inductive, Тэмпературны каэфіцыент: ±25ppm/°C,

PTN1206E6573BST1

PTN1206E6573BST1

частка акцыі: 106373

Супраціўленне: 657 kOhms, Талерантнасць: ±0.1%, Магутнасць (Вт): 0.4W, 2/5W, Склад: Thin Film, Асаблівасці: Anti-Sulfur, Moisture Resistant, Non-Inductive, Тэмпературны каэфіцыент: ±25ppm/°C,

PATT0402L3R09FGT1

PATT0402L3R09FGT1

частка акцыі: 95108

Супраціўленне: 3.09 Ohms, Талерантнасць: ±1%, Магутнасць (Вт): 0.05W, 1/20W, Склад: Thin Film, Асаблівасці: Anti-Sulfur, Automotive AEC-Q200, Moisture Resistant, Тэмпературны каэфіцыент: ±200ppm/°C,

PTN1206E7233BST1

PTN1206E7233BST1

частка акцыі: 106282

Супраціўленне: 723 kOhms, Талерантнасць: ±0.1%, Магутнасць (Вт): 0.4W, 2/5W, Склад: Thin Film, Асаблівасці: Anti-Sulfur, Moisture Resistant, Non-Inductive, Тэмпературны каэфіцыент: ±25ppm/°C,

PTN1206E6903BST1

PTN1206E6903BST1

частка акцыі: 106367

Супраціўленне: 690 kOhms, Талерантнасць: ±0.1%, Магутнасць (Вт): 0.4W, 2/5W, Склад: Thin Film, Асаблівасці: Anti-Sulfur, Moisture Resistant, Non-Inductive, Тэмпературны каэфіцыент: ±25ppm/°C,

PTN1206E9763BST1

PTN1206E9763BST1

частка акцыі: 106337

Супраціўленне: 976 kOhms, Талерантнасць: ±0.1%, Магутнасць (Вт): 0.4W, 2/5W, Склад: Thin Film, Асаблівасці: Anti-Sulfur, Moisture Resistant, Non-Inductive, Тэмпературны каэфіцыент: ±25ppm/°C,

PTN1206E8873BST1

PTN1206E8873BST1

частка акцыі: 106352

Супраціўленне: 887 kOhms, Талерантнасць: ±0.1%, Магутнасць (Вт): 0.4W, 2/5W, Склад: Thin Film, Асаблівасці: Anti-Sulfur, Moisture Resistant, Non-Inductive, Тэмпературны каэфіцыент: ±25ppm/°C,