Menu
БеларусьБеларусь
RFQS / Заказ
0RFQS / Заказ

Дыёды - выпрамнікі - адзінкавыя

  • Дом
  •  
  • Дыёды - выпрамнікі - адзінкавыя
S3D-M3/57T
Vishay Semiconductor Diodes Division

S3D-M3/57T

частка акцыі: 187041

Дыёдны тып: Standard, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 200V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 3A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.15V @ 2.5A, Хуткасць: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Зваротны час аднаўлення (trr): 2.5µs,

Ліст з жаданняў
VSSAF510HM3/I
Vishay Semiconductor Diodes Division

VSSAF510HM3/I

частка акцыі: 70

Дыёдны тып: Schottky, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 100V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 5A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 750mV @ 5A, Хуткасць: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Ліст з жаданняў
UF4002-M3/73
Vishay Semiconductor Diodes Division

UF4002-M3/73

частка акцыі: 189289

Дыёдны тып: Standard, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 100V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 1A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1V @ 1A, Хуткасць: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Зваротны час аднаўлення (trr): 50ns,

Ліст з жаданняў
GPP20A-E3/54
Vishay Semiconductor Diodes Division

GPP20A-E3/54

частка акцыі: 133669

Дыёдны тып: Standard, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 50V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 2A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.1V @ 2A, Хуткасць: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Ліст з жаданняў
GPP10A-E3/73
Vishay Semiconductor Diodes Division

GPP10A-E3/73

частка акцыі: 118045

Дыёдны тып: Standard, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 50V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 1A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.1V @ 1A, Хуткасць: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Ліст з жаданняў
SS2PH6-M3/84A
Vishay Semiconductor Diodes Division

SS2PH6-M3/84A

частка акцыі: 125732

Дыёдны тып: Schottky, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 60V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 2A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 800mV @ 2A, Хуткасць: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Ліст з жаданняў
UF1005-M3/54
Vishay Semiconductor Diodes Division

UF1005-M3/54

частка акцыі: 183697

Дыёдны тып: Standard, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 600V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 1A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.7V @ 1A, Хуткасць: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Зваротны час аднаўлення (trr): 75ns,

Ліст з жаданняў
V20DL45BP-M3/I
Vishay Semiconductor Diodes Division

V20DL45BP-M3/I

частка акцыі: 197575

Дыёдны тып: Schottky, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 45V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 20A (DC), Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 640mV @ 20A, Хуткасць: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Ліст з жаданняў
UG4B-E3/73
Vishay Semiconductor Diodes Division

UG4B-E3/73

частка акцыі: 172645

Дыёдны тып: Standard, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 100V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 4A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 950mV @ 4A, Хуткасць: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Зваротны час аднаўлення (trr): 30ns,

Ліст з жаданняў
UF1006-M3/73
Vishay Semiconductor Diodes Division

UF1006-M3/73

частка акцыі: 143940

Дыёдны тып: Standard, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 800V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 1A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.7V @ 1A, Хуткасць: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Зваротны час аднаўлення (trr): 75ns,

Ліст з жаданняў
VS-2EJH01HM3/6A
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-2EJH01HM3/6A

частка акцыі: 198713

Дыёдны тып: Standard, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 100V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 2A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 930mV @ 2A, Хуткасць: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Зваротны час аднаўлення (trr): 25ns,

Ліст з жаданняў
S5D-M3/57T
Vishay Semiconductor Diodes Division

S5D-M3/57T

частка акцыі: 125434

Дыёдны тып: Standard, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 200V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 5A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.15V @ 5A, Хуткасць: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Зваротны час аднаўлення (trr): 2.5µs,

Ліст з жаданняў
RS3KHE3_A/H
Vishay Semiconductor Diodes Division

RS3KHE3_A/H

частка акцыі: 155116

Дыёдны тып: Standard, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 800V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 3A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.3V @ 2.5A, Хуткасць: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Зваротны час аднаўлення (trr): 500ns,

Ліст з жаданняў
UG1B-E3/54
Vishay Semiconductor Diodes Division

UG1B-E3/54

частка акцыі: 132122

Дыёдны тып: Standard, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 100V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 1A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 950mV @ 1A, Хуткасць: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Зваротны час аднаўлення (trr): 25ns,

Ліст з жаданняў
S5BHE3_A/I
Vishay Semiconductor Diodes Division

S5BHE3_A/I

частка акцыі: 178522

Дыёдны тып: Standard, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 100V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 5A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.15V @ 5A, Хуткасць: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Зваротны час аднаўлення (trr): 2.5µs,

Ліст з жаданняў
V20PW45HM3/I
Vishay Semiconductor Diodes Division

V20PW45HM3/I

частка акцыі: 177916

Дыёдны тып: Schottky, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 45V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 20A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 610mV @ 20A, Хуткасць: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Ліст з жаданняў
SS2H10-M3/52T
Vishay Semiconductor Diodes Division

SS2H10-M3/52T

частка акцыі: 143222

Дыёдны тып: Schottky, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 100V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 2A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 790mV @ 2A, Хуткасць: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Ліст з жаданняў
S5B-E3/9AT
Vishay Semiconductor Diodes Division

S5B-E3/9AT

частка акцыі: 148076

Дыёдны тып: Standard, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 100V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 5A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.15V @ 5A, Хуткасць: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Зваротны час аднаўлення (trr): 2.5µs,

Ліст з жаданняў
GPP10D-E3/54
Vishay Semiconductor Diodes Division

GPP10D-E3/54

частка акцыі: 175090

Дыёдны тып: Standard, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 200V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 1A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.1V @ 1A, Хуткасць: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Ліст з жаданняў
UF1006-M3/54
Vishay Semiconductor Diodes Division

UF1006-M3/54

частка акцыі: 148870

Дыёдны тып: Standard, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 800V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 1A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.7V @ 1A, Хуткасць: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Зваротны час аднаўлення (trr): 75ns,

Ліст з жаданняў
VSSB3L6S-M3/5BT
Vishay Semiconductor Diodes Division

VSSB3L6S-M3/5BT

частка акцыі: 198213

Дыёдны тып: Schottky, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 60V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 2.6A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 590mV @ 3A, Хуткасць: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Ліст з жаданняў
RS2A-M3/5BT
Vishay Semiconductor Diodes Division

RS2A-M3/5BT

частка акцыі: 182601

Дыёдны тып: Standard, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 50V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 1.5A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.3V @ 1.5A, Хуткасць: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Зваротны час аднаўлення (trr): 150ns,

Ліст з жаданняў
UG4C-M3/54
Vishay Semiconductor Diodes Division

UG4C-M3/54

частка акцыі: 136319

Дыёдны тып: Standard, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 150V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 4A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 950mV @ 1A, Хуткасць: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Зваротны час аднаўлення (trr): 30ns,

Ліст з жаданняў
GPP10B-E3/54
Vishay Semiconductor Diodes Division

GPP10B-E3/54

частка акцыі: 103495

Дыёдны тып: Standard, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 100V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 1A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.1V @ 1A, Хуткасць: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Ліст з жаданняў
VSSAF5N50-M3/6B
Vishay Semiconductor Diodes Division

VSSAF5N50-M3/6B

частка акцыі: 187361

Дыёдны тып: Schottky, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 50V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 3A (DC), Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 410mV @ 2.5A, Хуткасць: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Ліст з жаданняў
VSSB410S-M3/5BT
Vishay Semiconductor Diodes Division

VSSB410S-M3/5BT

частка акцыі: 150478

Дыёдны тып: Schottky, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 100V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 1.9A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 770mV @ 4A, Хуткасць: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Ліст з жаданняў
V35PWM15HM3/I
Vishay Semiconductor Diodes Division

V35PWM15HM3/I

частка акцыі: 123824

Дыёдны тып: Schottky, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 150V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 35A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.4V @ 35A, Хуткасць: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Ліст з жаданняў
VF20120S-M3/4W
Vishay Semiconductor Diodes Division

VF20120S-M3/4W

частка акцыі: 133708

Дыёдны тып: Schottky, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 120V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 20A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.12V @ 20A, Хуткасць: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Ліст з жаданняў
V20PWM12HM3/I
Vishay Semiconductor Diodes Division

V20PWM12HM3/I

частка акцыі: 170958

Дыёдны тып: Schottky, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 120V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 20A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.02V @ 20A, Хуткасць: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Ліст з жаданняў
VT1045BP-M3/4W
Vishay Semiconductor Diodes Division

VT1045BP-M3/4W

частка акцыі: 168874

Дыёдны тып: Schottky, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 45V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 10A (DC), Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 680mV @ 10A, Хуткасць: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Ліст з жаданняў
VIT5200-E3/4W
Vishay Semiconductor Diodes Division

VIT5200-E3/4W

частка акцыі: 195833

Дыёдны тып: Schottky, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 200V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 5A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.6V @ 5A, Хуткасць: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Ліст з жаданняў
SS3P5HM3/84A
Vishay Semiconductor Diodes Division

SS3P5HM3/84A

частка акцыі: 152623

Дыёдны тып: Schottky, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 50V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 3A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 780mV @ 3A, Хуткасць: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Ліст з жаданняў
V4PAL45HM3_A/I
Vishay Semiconductor Diodes Division

V4PAL45HM3_A/I

частка акцыі: 192421

Дыёдны тып: Schottky, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 45V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 3A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 430mV @ 2A, Хуткасць: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Ліст з жаданняў
UG4C-M3/73
Vishay Semiconductor Diodes Division

UG4C-M3/73

частка акцыі: 155443

Дыёдны тып: Standard, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 150V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 4A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 950mV @ 4A, Хуткасць: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Зваротны час аднаўлення (trr): 30ns,

Ліст з жаданняў
VS-3EJH01HM3/6B
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-3EJH01HM3/6B

частка акцыі: 121183

Дыёдны тып: Standard, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 100V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 3A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 930mV @ 3A, Хуткасць: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Зваротны час аднаўлення (trr): 30ns,

Ліст з жаданняў
SB2D-M3/52T
Vishay Semiconductor Diodes Division

SB2D-M3/52T

частка акцыі: 170713

Дыёдны тып: Standard, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 200V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 2A (DC), Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.15V @ 2A, Хуткасць: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Зваротны час аднаўлення (trr): 2µs,

Ліст з жаданняў