Menu
БеларусьБеларусь
RFQS / Заказ
0RFQS / Заказ

Дыёды - выпрамнікі - адзінкавыя

  • Дом
  •  
  • Дыёды - выпрамнікі - адзінкавыя
SS2P2L-M3/85A
Vishay Semiconductor Diodes Division

SS2P2L-M3/85A

частка акцыі: 112709

Дыёдны тып: Schottky, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 20V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 2A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 500mV @ 2A, Хуткасць: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Ліст з жаданняў
VF30120S-M3/4W
Vishay Semiconductor Diodes Division

VF30120S-M3/4W

частка акцыі: 103458

Дыёдны тып: Schottky, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 120V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 30A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.1V @ 30A, Хуткасць: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Ліст з жаданняў
VI30100SG-M3/4W
Vishay Semiconductor Diodes Division

VI30100SG-M3/4W

частка акцыі: 115444

Дыёдны тып: Schottky, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 100V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 30A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1V @ 30A, Хуткасць: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Ліст з жаданняў
SL44-M3/57T
Vishay Semiconductor Diodes Division

SL44-M3/57T

частка акцыі: 142728

Дыёдны тып: Schottky, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 40V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 4A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 440mV @ 4A, Хуткасць: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Ліст з жаданняў
UG4B-E3/54
Vishay Semiconductor Diodes Division

UG4B-E3/54

частка акцыі: 139211

Дыёдны тып: Standard, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 100V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 4A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 950mV @ 4A, Хуткасць: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Зваротны час аднаўлення (trr): 30ns,

Ліст з жаданняў
RS2B-M3/52T
Vishay Semiconductor Diodes Division

RS2B-M3/52T

частка акцыі: 179666

Дыёдны тып: Standard, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 100V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 1.5A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.3V @ 1.5A, Хуткасць: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Зваротны час аднаўлення (trr): 150ns,

Ліст з жаданняў
RS2J-M3/52T
Vishay Semiconductor Diodes Division

RS2J-M3/52T

частка акцыі: 152098

Дыёдны тып: Standard, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 600V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 1.5A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.3V @ 1.5A, Хуткасць: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Зваротны час аднаўлення (trr): 250ns,

Ліст з жаданняў
RS2A-E3/52T
Vishay Semiconductor Diodes Division

RS2A-E3/52T

частка акцыі: 108893

Дыёдны тып: Standard, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 50V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 1.5A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.3V @ 1.5A, Хуткасць: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Зваротны час аднаўлення (trr): 150ns,

Ліст з жаданняў
SS23-M3/52T
Vishay Semiconductor Diodes Division

SS23-M3/52T

частка акцыі: 197824

Дыёдны тып: Schottky, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 30V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 2A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 500mV @ 2A, Хуткасць: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Ліст з жаданняў
S3D-M3/9AT
Vishay Semiconductor Diodes Division

S3D-M3/9AT

частка акцыі: 165847

Дыёдны тып: Standard, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 200V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 3A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.15V @ 2.5A, Хуткасць: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Зваротны час аднаўлення (trr): 2.5µs,

Ліст з жаданняў
SS2PH10HM3_A/I
Vishay Semiconductor Diodes Division

SS2PH10HM3_A/I

частка акцыі: 104

Дыёдны тып: Schottky, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 100V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 2A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 800mV @ 2A, Хуткасць: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Ліст з жаданняў
SS3P4-M3/85A
Vishay Semiconductor Diodes Division

SS3P4-M3/85A

частка акцыі: 193014

Дыёдны тып: Schottky, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 40V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 3A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 600mV @ 3A, Хуткасць: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Ліст з жаданняў
UG4C-E3/73
Vishay Semiconductor Diodes Division

UG4C-E3/73

частка акцыі: 130222

Дыёдны тып: Standard, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 150V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 4A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 950mV @ 4A, Хуткасць: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Зваротны час аднаўлення (trr): 30ns,

Ліст з жаданняў
SBYV28-150-E3/73
Vishay Semiconductor Diodes Division

SBYV28-150-E3/73

частка акцыі: 160031

Дыёдны тып: Standard, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 150V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 3.5A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.1V @ 3.5A, Хуткасць: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Зваротны час аднаўлення (trr): 20ns,

Ліст з жаданняў
RS2B-E3/5BT
Vishay Semiconductor Diodes Division

RS2B-E3/5BT

частка акцыі: 138285

Дыёдны тып: Standard, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 100V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 1.5A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.3V @ 1.5A, Хуткасць: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Зваротны час аднаўлення (trr): 150ns,

Ліст з жаданняў
VS-4ECU06-M3/9AT
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-4ECU06-M3/9AT

частка акцыі: 118980

Дыёдны тып: Standard, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 600V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 4A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.3V @ 4A, Хуткасць: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Зваротны час аднаўлення (trr): 41ns,

Ліст з жаданняў
S2A-E3/5BT
Vishay Semiconductor Diodes Division

S2A-E3/5BT

частка акцыі: 153637

Дыёдны тып: Standard, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 50V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 1.5A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.15V @ 1.5A, Хуткасць: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Зваротны час аднаўлення (trr): 2µs,

Ліст з жаданняў
V20PWM60HM3/I
Vishay Semiconductor Diodes Division

V20PWM60HM3/I

частка акцыі: 170946

Дыёдны тып: Schottky, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 60V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 20A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 700mV @ 20A, Хуткасць: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Ліст з жаданняў
SB1H100-E3/54
Vishay Semiconductor Diodes Division

SB1H100-E3/54

частка акцыі: 171607

Дыёдны тып: Schottky, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 100V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 1A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 770mV @ 1A, Хуткасць: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Ліст з жаданняў
S2K-E3/5BT
Vishay Semiconductor Diodes Division

S2K-E3/5BT

частка акцыі: 143999

Дыёдны тып: Standard, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 800V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 1.5A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.15V @ 1.5A, Хуткасць: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Зваротны час аднаўлення (trr): 2µs,

Ліст з жаданняў
CS3G-E3/I
Vishay Semiconductor Diodes Division

CS3G-E3/I

частка акцыі: 194751

Дыёдны тып: Standard, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 400V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 2A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.15V @ 3A, Хуткасць: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Зваротны час аднаўлення (trr): 2.8µs,

Ліст з жаданняў
RS2JHE3_A/I
Vishay Semiconductor Diodes Division

RS2JHE3_A/I

частка акцыі: 142653

Дыёдны тып: Standard, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 600V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 1.5A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.3V @ 1.5A, Хуткасць: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Зваротны час аднаўлення (trr): 250ns,

Ліст з жаданняў
SS2P6HM3/85A
Vishay Semiconductor Diodes Division

SS2P6HM3/85A

частка акцыі: 146027

Дыёдны тып: Schottky, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 60V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 2A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 700mV @ 2A, Хуткасць: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Ліст з жаданняў
VT2080S-E3/4W
Vishay Semiconductor Diodes Division

VT2080S-E3/4W

частка акцыі: 150792

Дыёдны тып: Schottky, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 80V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 20A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 920mV @ 20A, Хуткасць: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Ліст з жаданняў
SB2D-M3/5BT
Vishay Semiconductor Diodes Division

SB2D-M3/5BT

частка акцыі: 158183

Дыёдны тып: Standard, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 200V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 2A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.15V @ 2A, Хуткасць: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Зваротны час аднаўлення (trr): 2µs,

Ліст з жаданняў
SSC54HE3_A/I
Vishay Semiconductor Diodes Division

SSC54HE3_A/I

частка акцыі: 184584

Дыёдны тып: Schottky, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 40V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 5A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 490mV @ 5A, Хуткасць: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Ліст з жаданняў
RS3JHE3_A/I
Vishay Semiconductor Diodes Division

RS3JHE3_A/I

частка акцыі: 170891

Дыёдны тып: Standard, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 600V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 3A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.3V @ 2.5A, Хуткасць: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Зваротны час аднаўлення (trr): 250ns,

Ліст з жаданняў
S2B-M3/5BT
Vishay Semiconductor Diodes Division

S2B-M3/5BT

частка акцыі: 185619

Дыёдны тып: Standard, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 100V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 1.5A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.15V @ 1.5A, Хуткасць: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Зваротны час аднаўлення (trr): 2µs,

Ліст з жаданняў
SBYV28-50-E3/73
Vishay Semiconductor Diodes Division

SBYV28-50-E3/73

частка акцыі: 119135

Дыёдны тып: Standard, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 50V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 3.5A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.1V @ 3.5A, Хуткасць: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Зваротны час аднаўлення (trr): 20ns,

Ліст з жаданняў
GPP10G-E3/73
Vishay Semiconductor Diodes Division

GPP10G-E3/73

частка акцыі: 111569

Дыёдны тып: Standard, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 400V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 1A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.1V @ 1A, Хуткасць: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Ліст з жаданняў
S5J-M3/57T
Vishay Semiconductor Diodes Division

S5J-M3/57T

частка акцыі: 196328

Дыёдны тып: Standard, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 600V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 5A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.15V @ 5A, Хуткасць: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Зваротны час аднаўлення (trr): 2.5µs,

Ліст з жаданняў
VF20150S-E3/4W
Vishay Semiconductor Diodes Division

VF20150S-E3/4W

частка акцыі: 103635

Дыёдны тып: Schottky, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 150V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 20A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.43V @ 20A, Хуткасць: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Ліст з жаданняў
S3A-E3/9AT
Vishay Semiconductor Diodes Division

S3A-E3/9AT

частка акцыі: 116983

Дыёдны тып: Standard, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 50V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 3A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.15V @ 2.5A, Хуткасць: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Зваротны час аднаўлення (trr): 2.5µs,

Ліст з жаданняў
RS1PB-M3/85A
Vishay Semiconductor Diodes Division

RS1PB-M3/85A

частка акцыі: 188786

Дыёдны тып: Standard, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 100V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 1A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.3V @ 1A, Хуткасць: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Зваротны час аднаўлення (trr): 150ns,

Ліст з жаданняў
UF4003-E3/54
Vishay Semiconductor Diodes Division

UF4003-E3/54

частка акцыі: 163712

Дыёдны тып: Standard, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 200V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 1A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1V @ 1A, Хуткасць: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Зваротны час аднаўлення (trr): 50ns,

Ліст з жаданняў
SB120-E3/54
Vishay Semiconductor Diodes Division

SB120-E3/54

частка акцыі: 140445

Дыёдны тып: Schottky, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 20V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 1A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 480mV @ 1A, Хуткасць: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Ліст з жаданняў