Дыёды - выпрамнікі - адзінкавыя | Дыскрэтныя паўправадніковыя вырабы | 100

BYG24G-M3/TR

частка акцыі: 160213

Дыёдны тып: Avalanche, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 400V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 1.5A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.25V @ 1.5A, Хуткасць: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Зваротны час аднаўлення (trr): 140ns,

Ліст з жаданняў

Vishay Semiconductor Diodes Division

BYG22D-E3/TR

частка акцыі: 141773

Дыёдны тып: Avalanche, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 200V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 2A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.1V @ 2A, Хуткасць: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Зваротны час аднаўлення (trr): 25ns,

Ліст з жаданняў

Vishay Semiconductor Diodes Division

BYG24D-M3/TR3

частка акцыі: 131968

Дыёдны тып: Avalanche, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 200V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 1.5A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.25V @ 1.5A, Хуткасць: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Зваротны час аднаўлення (trr): 140ns,

Ліст з жаданняў

Vishay Semiconductor Diodes Division

BYG10M-E3/TR3

частка акцыі: 182415

Дыёдны тып: Avalanche, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 1000V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 1.5A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.15V @ 1.5A, Хуткасць: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Зваротны час аднаўлення (trr): 4µs,

Ліст з жаданняў

Vishay Semiconductor Diodes Division

BYG10M-M3/TR3

частка акцыі: 178714

Дыёдны тып: Avalanche, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 1000V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 1.5A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.15V @ 1.5A, Хуткасць: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Зваротны час аднаўлення (trr): 4µs,

Ліст з жаданняў

Vishay Semiconductor Diodes Division

BYG22D-E3/TR3

частка акцыі: 104636

Дыёдны тып: Avalanche, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 200V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 2A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.1V @ 2A, Хуткасць: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Зваротны час аднаўлення (trr): 25ns,

Ліст з жаданняў

Vishay Semiconductor Diodes Division

BYG24GHE3_A/H

частка акцыі: 136458

Дыёдны тып: Avalanche, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 400V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 1.5A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.25V @ 1.5A, Хуткасць: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Зваротны час аднаўлення (trr): 140ns,

Ліст з жаданняў

Vishay Semiconductor Diodes Division

BYG23MHM3_A/H

частка акцыі: 128490

Дыёдны тып: Avalanche, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 1000V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 1.5A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.7V @ 1A, Хуткасць: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Зваротны час аднаўлення (trr): 75ns,

Ліст з жаданняў

Vishay Semiconductor Diodes Division

BYG23T-M3/TR3

частка акцыі: 129800

Дыёдны тып: Avalanche, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 1300V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 1A (DC), Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.9V @ 1A, Хуткасць: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Зваротны час аднаўлення (trr): 75ns,

Ліст з жаданняў

Vishay Semiconductor Diodes Division

BYG10JHE3_A/I

частка акцыі: 120649

Дыёдны тып: Avalanche, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 600V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 1.5A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.15V @ 1.5A, Хуткасць: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Зваротны час аднаўлення (trr): 4µs,

Ліст з жаданняў

Vishay Semiconductor Diodes Division

BYG20DHM3_A/I

частка акцыі: 155324

Дыёдны тып: Avalanche, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 200V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 1.5A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.4V @ 1.5A, Хуткасць: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Зваротны час аднаўлення (trr): 75ns,

Ліст з жаданняў

Vishay Semiconductor Diodes Division

BYG10JHM3_A/I

частка акцыі: 188118

Дыёдны тып: Avalanche, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 600V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 1.5A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.15V @ 1.5A, Хуткасць: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Зваротны час аднаўлення (trr): 4µs,

Ліст з жаданняў

Vishay Semiconductor Diodes Division

BYG22BHE3_A/H

частка акцыі: 135545

Дыёдны тып: Avalanche, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 100V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 2A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.1V @ 2A, Хуткасць: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Зваротны час аднаўлення (trr): 25ns,

Ліст з жаданняў

Vishay Semiconductor Diodes Division

BYG10G-M3/TR

частка акцыі: 137182

Дыёдны тып: Avalanche, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 400V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 1.5A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.15V @ 1.5A, Хуткасць: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Зваротны час аднаўлення (trr): 4µs,

Ліст з жаданняў

Vishay Semiconductor Diodes Division

BYG10JHE3_A/H

частка акцыі: 196477

Дыёдны тып: Avalanche, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 600V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 1.5A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.15V @ 1.5A, Хуткасць: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Зваротны час аднаўлення (trr): 4µs,

Ліст з жаданняў

Vishay Semiconductor Diodes Division

BYG20D-M3/TR

частка акцыі: 116559

Дыёдны тып: Avalanche, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 200V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 1.5A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.4V @ 1.5A, Хуткасць: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Зваротны час аднаўлення (trr): 75ns,

Ліст з жаданняў

Vishay Semiconductor Diodes Division

BYG20GHE3_A/H

частка акцыі: 167113

Дыёдны тып: Avalanche, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 400V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 1.5A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.4V @ 1.5A, Хуткасць: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Зваротны час аднаўлення (trr): 75ns,

Ліст з жаданняў

Vishay Semiconductor Diodes Division

BYG10DHE3_A/I

частка акцыі: 151425

Дыёдны тып: Avalanche, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 200V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 1.5A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.15V @ 1.5A, Хуткасць: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Зваротны час аднаўлення (trr): 4µs,

Ліст з жаданняў

Vishay Semiconductor Diodes Division

BYG10J-M3/TR3

частка акцыі: 167334

Дыёдны тып: Avalanche, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 600V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 1.5A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.15V @ 1.5A, Хуткасць: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Зваротны час аднаўлення (trr): 4µs,

Ліст з жаданняў

Vishay Semiconductor Diodes Division

BYG20G-M3/TR3

частка акцыі: 177836

Дыёдны тып: Avalanche, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 400V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 1.5A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.4V @ 1.5A, Хуткасць: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Зваротны час аднаўлення (trr): 75ns,

Ліст з жаданняў

Vishay Semiconductor Diodes Division

BYG10K-E3/TR

частка акцыі: 116100

Дыёдны тып: Avalanche, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 800V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 1.5A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.15V @ 1.5A, Хуткасць: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Зваротны час аднаўлення (trr): 4µs,

Ліст з жаданняў

Vishay Semiconductor Diodes Division

BYG22A-M3/TR

частка акцыі: 126510

Дыёдны тып: Avalanche, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 50V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 2A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.1V @ 2A, Хуткасць: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Зваротны час аднаўлення (trr): 25ns,

Ліст з жаданняў

Vishay Semiconductor Diodes Division

BYG10KHM3_A/H

частка акцыі: 113240

Дыёдны тып: Avalanche, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 800V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 1.5A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.15V @ 1.5A, Хуткасць: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Зваротны час аднаўлення (trr): 4µs,

Ліст з жаданняў

Vishay Semiconductor Diodes Division

BYG10D-E3/TR3

частка акцыі: 197556

Дыёдны тып: Avalanche, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 200V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 1.5A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.15V @ 1.5A, Хуткасць: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Зваротны час аднаўлення (trr): 4µs,

Ліст з жаданняў

Vishay Semiconductor Diodes Division

BYG10MHM3_A/I

частка акцыі: 112695

Дыёдны тып: Avalanche, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 1000V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 1.5A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.15V @ 1.5A, Хуткасць: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Зваротны час аднаўлення (trr): 4µs,

Ліст з жаданняў

Vishay Semiconductor Diodes Division

BYG20GHM3_A/H

частка акцыі: 164441

Дыёдны тып: Avalanche, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 400V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 1.5A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.4V @ 1.5A, Хуткасць: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Зваротны час аднаўлення (trr): 75ns,

Ліст з жаданняў

Vishay Semiconductor Diodes Division

BYG20G-M3/TR

частка акцыі: 174425

Дыёдны тып: Avalanche, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 400V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 1.5A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.4V @ 1.5A, Хуткасць: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Зваротны час аднаўлення (trr): 75ns,

Ліст з жаданняў

Vishay Semiconductor Diodes Division

BYG10K-M3/TR3

частка акцыі: 199071

Дыёдны тып: Avalanche, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 800V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 1.5A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.15V @ 1.5A, Хуткасць: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Зваротны час аднаўлення (trr): 4µs,

Ліст з жаданняў

Vishay Semiconductor Diodes Division

BYG23M-M3/TR3

частка акцыі: 120482

Дыёдны тып: Avalanche, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 1000V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 1.5A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.7V @ 1A, Хуткасць: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Зваротны час аднаўлення (trr): 75ns,

Ліст з жаданняў

Vishay Semiconductor Diodes Division

BYG24JHM3_A/H

частка акцыі: 162395

Дыёдны тып: Avalanche, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 600V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 1.5A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.25V @ 1.5A, Хуткасць: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Зваротны час аднаўлення (trr): 140ns,

Ліст з жаданняў

Vishay Semiconductor Diodes Division

BYG24J-E3/TR3

частка акцыі: 109092

Дыёдны тып: Avalanche, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 600V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 1.5A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.25V @ 1.5A, Хуткасць: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Зваротны час аднаўлення (trr): 140ns,

Ліст з жаданняў

Vishay Semiconductor Diodes Division

BYG21K-M3/TR

частка акцыі: 111717

Дыёдны тып: Avalanche, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 800V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 1.5A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.6V @ 1.5A, Хуткасць: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Зваротны час аднаўлення (trr): 120ns,

Ліст з жаданняў

Vishay Semiconductor Diodes Division

BYG20J-M3/TR3

частка акцыі: 162156

Дыёдны тып: Avalanche, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 600V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 1.5A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.4V @ 1.5A, Хуткасць: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Зваротны час аднаўлення (trr): 75ns,

Ліст з жаданняў

Vishay Semiconductor Diodes Division

BYG10DHM3_A/I

частка акцыі: 131985

Дыёдны тып: Avalanche, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 200V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 1.5A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.15V @ 1.5A, Хуткасць: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Зваротны час аднаўлення (trr): 4µs,

Ліст з жаданняў

Vishay Semiconductor Diodes Division

BYG24J-M3/TR

частка акцыі: 142403

Дыёдны тып: Avalanche, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 600V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 1.5A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.25V @ 1.5A, Хуткасць: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Зваротны час аднаўлення (trr): 140ns,

Ліст з жаданняў

Vishay Semiconductor Diodes Division

BYG10MHE3_A/I

частка акцыі: 178334

Дыёдны тып: Avalanche, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 1000V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 1.5A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.15V @ 1.5A, Хуткасць: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Зваротны час аднаўлення (trr): 4µs,

Ліст з жаданняў