Дыёды - выпрамнікі - адзінкавыя | Дыскрэтныя паўправадніковыя вырабы | 100

BYM12-300HE3_A/H

частка акцыі: 273

Дыёдны тып: Standard, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 300V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 1A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.25V @ 1A, Хуткасць: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Зваротны час аднаўлення (trr): 50ns,

Ліст з жаданняў

Vishay Semiconductor Diodes Division

BYM11-200HE3/97

частка акцыі: 146674

Дыёдны тып: Standard, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 200V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 1A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.3V @ 1A, Хуткасць: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Зваротны час аднаўлення (trr): 150ns,

Ліст з жаданняў

Vishay Semiconductor Diodes Division

BYM11-800-E3/96

частка акцыі: 150291

Дыёдны тып: Standard, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 800V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 1A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.3V @ 1A, Хуткасць: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Зваротны час аднаўлення (trr): 500ns,

Ліст з жаданняў

Vishay Semiconductor Diodes Division

BAT46-TAP

частка акцыі: 108452

Дыёдны тып: Schottky, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 100V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 150mA (DC), Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1V @ 250mA, Хуткасць: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,

Ліст з жаданняў

Vishay Semiconductor Diodes Division

BAT81S-TAP

частка акцыі: 154468

Дыёдны тып: Schottky, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 40V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 30mA (DC), Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1V @ 15mA, Хуткасць: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,

Ліст з жаданняў

Vishay Semiconductor Diodes Division

BAT82S-TR

частка акцыі: 158822

Дыёдны тып: Schottky, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 50V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 30mA (DC), Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1V @ 15mA, Хуткасць: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,

Ліст з жаданняў

Vishay Semiconductor Diodes Division

BAV20-TAP

частка акцыі: 159155

Дыёдны тып: Standard, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 150V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 250mA (DC), Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1V @ 100mA, Хуткасць: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Зваротны час аднаўлення (trr): 50ns,

Ліст з жаданняў

Vishay Semiconductor Diodes Division

BAT46-TR

частка акцыі: 197051

Дыёдны тып: Schottky, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 100V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 150mA (DC), Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 450mV @ 10mA, Хуткасць: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,

Ліст з жаданняў

Vishay Semiconductor Diodes Division

BAT86S-TR

частка акцыі: 122405

Дыёдны тып: Schottky, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 50V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 200mA (DC), Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 900mV @ 100mA, Хуткасць: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,

Ліст з жаданняў

Vishay Semiconductor Diodes Division

BAT41-TR

частка акцыі: 119842

Дыёдны тып: Schottky, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 100V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 100mA (DC), Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1V @ 200mA, Хуткасць: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,

Ліст з жаданняў

Vishay Semiconductor Diodes Division

BAY135-TAP

частка акцыі: 148532

Дыёдны тып: Standard, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 125V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 200mA, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1V @ 30mA, Хуткасць: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,

Ліст з жаданняў

Vishay Semiconductor Diodes Division

BAT83S-TAP

частка акцыі: 128512

Дыёдны тып: Schottky, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 60V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 30mA (DC), Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1V @ 15mA, Хуткасць: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,

Ліст з жаданняў

Vishay Semiconductor Diodes Division

BAT41-TAP

частка акцыі: 196580

Дыёдны тып: Schottky, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 100V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 100mA (DC), Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1V @ 200mA, Хуткасць: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,

Ліст з жаданняў

Vishay Semiconductor Diodes Division

BAT43-TR

частка акцыі: 102104

Дыёдны тып: Schottky, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 30V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 200mA (DC), Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 450mV @ 15mA, Хуткасць: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed, Зваротны час аднаўлення (trr): 5ns,

Ліст з жаданняў

Vishay Semiconductor Diodes Division

BAT86S-TAP

частка акцыі: 107935

Дыёдны тып: Schottky, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 50V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 200mA (DC), Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 900mV @ 100mA, Хуткасць: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,

Ліст з жаданняў

Vishay Semiconductor Diodes Division

BAV18-TR

частка акцыі: 101978

Дыёдны тып: Standard, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 50V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 250mA (DC), Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1V @ 100mA, Хуткасць: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Зваротны час аднаўлення (trr): 50ns,

Ліст з жаданняў

Vishay Semiconductor Diodes Division

BAS33-TAP

частка акцыі: 109507

Дыёдны тып: Standard, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 30V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 200mA, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1V @ 100mA, Хуткасць: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,

Ліст з жаданняў

Vishay Semiconductor Diodes Division

BAT85S-TR

частка акцыі: 182695

Дыёдны тып: Schottky, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 30V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 200mA (DC), Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 800mV @ 100mA, Хуткасць: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed, Зваротны час аднаўлення (trr): 5ns,

Ліст з жаданняў

Vishay Semiconductor Diodes Division

BAV17-TAP

частка акцыі: 142042

Дыёдны тып: Standard, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 20V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 250mA (DC), Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1V @ 100mA, Хуткасць: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Зваротны час аднаўлення (trr): 50ns,

Ліст з жаданняў

Vishay Semiconductor Diodes Division

BAS34-TR

частка акцыі: 194217

Дыёдны тып: Standard, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 60V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 200mA, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1V @ 100mA, Хуткасць: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,

Ліст з жаданняў

Vishay Semiconductor Diodes Division

BAT43-TAP

частка акцыі: 116168

Дыёдны тып: Schottky, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 30V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 200mA (DC), Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 450mV @ 15mA, Хуткасць: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed, Зваротны час аднаўлення (trr): 5ns,

Ліст з жаданняў

Vishay Semiconductor Diodes Division

BAV18-TAP

частка акцыі: 118002

Дыёдны тып: Standard, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 50V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 250mA (DC), Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1V @ 100mA, Хуткасць: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Зваротны час аднаўлення (trr): 50ns,

Ліст з жаданняў

Vishay Semiconductor Diodes Division

BAT42-TAP

частка акцыі: 110674

Дыёдны тып: Schottky, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 30V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 200mA (DC), Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 650mV @ 50mA, Хуткасць: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed, Зваротны час аднаўлення (trr): 5ns,

Ліст з жаданняў

Vishay Semiconductor Diodes Division

BAT82S-TAP

частка акцыі: 116604

Дыёдны тып: Schottky, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 50V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 30mA (DC), Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1V @ 15mA, Хуткасць: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,

Ліст з жаданняў

Vishay Semiconductor Diodes Division

BAV19-TAP

частка акцыі: 189935

Дыёдны тып: Standard, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 100V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 250mA (DC), Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1V @ 100mA, Хуткасць: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Зваротны час аднаўлення (trr): 50ns,

Ліст з жаданняў

Vishay Semiconductor Diodes Division

BAV17-TR

частка акцыі: 111895

Дыёдны тып: Standard, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 20V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 250mA (DC), Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1V @ 100mA, Хуткасць: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Зваротны час аднаўлення (trr): 50ns,

Ліст з жаданняў

Vishay Semiconductor Diodes Division

BAS581-02V-V-G-08

частка акцыі: 123251

Дыёдны тып: Schottky, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 40V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 200mA, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 370mV @ 1mA, Хуткасць: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,

Ліст з жаданняў

Vishay Semiconductor Diodes Division

BAT54-02V-V-G-08

частка акцыі: 184839

Дыёдны тып: Schottky, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 30V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 200mA, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 800mV @ 100mA, Хуткасць: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed, Зваротны час аднаўлення (trr): 5ns,

Ліст з жаданняў

Vishay Semiconductor Diodes Division

BYG22D-M3/TR

частка акцыі: 175613

Дыёдны тып: Avalanche, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 200V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 2A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.1V @ 2A, Хуткасць: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Зваротны час аднаўлення (trr): 25ns,

Ліст з жаданняў

Vishay Semiconductor Diodes Division

BYG21MHE3_A/I

частка акцыі: 130523

Дыёдны тып: Avalanche, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 1000V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 1.5A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.6V @ 1.5A, Хуткасць: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Зваротны час аднаўлення (trr): 120ns,

Ліст з жаданняў

Vishay Semiconductor Diodes Division

BYG20JHE3_A/H

частка акцыі: 112559

Дыёдны тып: Avalanche, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 600V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 1.5A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.4V @ 1.5A, Хуткасць: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Зваротны час аднаўлення (trr): 75ns,

Ліст з жаданняў

Vishay Semiconductor Diodes Division

BYG22B-E3/TR3

частка акцыі: 191280

Дыёдны тып: Avalanche, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 100V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 2A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.1V @ 2A, Хуткасць: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Зваротны час аднаўлення (trr): 25ns,

Ліст з жаданняў

Vishay Semiconductor Diodes Division

BYG10G-M3/TR3

частка акцыі: 131337

Дыёдны тып: Avalanche, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 400V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 1.5A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.15V @ 1.5A, Хуткасць: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Зваротны час аднаўлення (trr): 4µs,

Ліст з жаданняў

Vishay Semiconductor Diodes Division

BYG10J-M3/TR

частка акцыі: 166092

Дыёдны тып: Avalanche, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 600V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 1.5A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.15V @ 1.5A, Хуткасць: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Зваротны час аднаўлення (trr): 4µs,

Ліст з жаданняў

Vishay Semiconductor Diodes Division

BYG24GHM3_A/I

частка акцыі: 116282

Дыёдны тып: Avalanche, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 400V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 1.5A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.25V @ 1.5A, Хуткасць: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Зваротны час аднаўлення (trr): 140ns,

Ліст з жаданняў

Vishay Semiconductor Diodes Division

BYG20DHE3_A/I

частка акцыі: 173970

Дыёдны тып: Avalanche, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 200V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 1.5A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.4V @ 1.5A, Хуткасць: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Зваротны час аднаўлення (trr): 75ns,

Ліст з жаданняў