Дыёды - стабилитроны - адзінкавыя

BZT52B5V6-E3-08

BZT52B5V6-E3-08

частка акцыі: 133335

Напружанне - стабілітрон (Nom) (Vz): 5.6V, Талерантнасць: ±2%, Магутнасць - Макс: 410mW, Імпеданс (макс.) (Zzt): 10 Ohms, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 100nA @ 1V,

BZT52C43-E3-08

BZT52C43-E3-08

частка акцыі: 141321

Напружанне - стабілітрон (Nom) (Vz): 43V, Талерантнасць: ±5%, Магутнасць - Макс: 410mW, Імпеданс (макс.) (Zzt): 60 Ohms, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 100nA @ 32V,

BZX384B16-HE3-08

BZX384B16-HE3-08

частка акцыі: 126613

Напружанне - стабілітрон (Nom) (Vz): 16V, Талерантнасць: ±2%, Магутнасць - Макс: 200mW, Імпеданс (макс.) (Zzt): 40 Ohms, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 50nA @ 11.2V,

BZX85C11-TR

BZX85C11-TR

частка акцыі: 183056

Напружанне - стабілітрон (Nom) (Vz): 11V, Талерантнасць: ±5%, Магутнасць - Макс: 1.3W, Імпеданс (макс.) (Zzt): 8 Ohms, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 500nA @ 7.5V,

BZX85B15-TR

BZX85B15-TR

частка акцыі: 32269

Напружанне - стабілітрон (Nom) (Vz): 15V, Талерантнасць: ±2%, Магутнасць - Макс: 1.3W, Імпеданс (макс.) (Zzt): 15 Ohms, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 500nA @ 11V,

BZX85C10-TAP

BZX85C10-TAP

частка акцыі: 188019

Напружанне - стабілітрон (Nom) (Vz): 10V, Талерантнасць: ±5%, Магутнасць - Макс: 1.3W, Імпеданс (макс.) (Zzt): 7 Ohms, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 500nA @ 7.5V,

BZT52C16-E3-08

BZT52C16-E3-08

частка акцыі: 103666

Напружанне - стабілітрон (Nom) (Vz): 16V, Талерантнасць: ±5%, Магутнасць - Макс: 410mW, Імпеданс (макс.) (Zzt): 13 Ohms, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 100nA @ 12V,

BZD27C24P-E3-08

BZD27C24P-E3-08

частка акцыі: 141982

Напружанне - стабілітрон (Nom) (Vz): 24V, Магутнасць - Макс: 800mW, Імпеданс (макс.) (Zzt): 15 Ohms, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 1µA @ 18V, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.2V @ 200mA,

BZX84C18-E3-08

BZX84C18-E3-08

частка акцыі: 157259

Напружанне - стабілітрон (Nom) (Vz): 18V, Талерантнасць: ±5%, Магутнасць - Макс: 300mW, Імпеданс (макс.) (Zzt): 45 Ohms, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 50nA @ 12.6V,

BZT52C18-E3-08

BZT52C18-E3-08

частка акцыі: 166731

Напружанне - стабілітрон (Nom) (Vz): 18V, Талерантнасць: ±5%, Магутнасць - Макс: 410mW, Імпеданс (макс.) (Zzt): 18 Ohms, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 100nA @ 14V,

BZX55C9V1-TAP

BZX55C9V1-TAP

частка акцыі: 101192

Напружанне - стабілітрон (Nom) (Vz): 9.1V, Талерантнасць: ±5%, Магутнасць - Макс: 500mW, Імпеданс (макс.) (Zzt): 10 Ohms, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 100nA @ 6.8V, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.5V @ 200mA,

BZX85B5V1-TR

BZX85B5V1-TR

частка акцыі: 134656

Напружанне - стабілітрон (Nom) (Vz): 5.1V, Талерантнасць: ±2%, Магутнасць - Макс: 1.3W, Імпеданс (макс.) (Zzt): 10 Ohms, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 1µA @ 1.5V,

BZX55B2V4-TAP

BZX55B2V4-TAP

частка акцыі: 170438

Напружанне - стабілітрон (Nom) (Vz): 2.4V, Талерантнасць: ±2%, Магутнасць - Макс: 500mW, Імпеданс (макс.) (Zzt): 85 Ohms, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 50µA @ 1V, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.5V @ 200mA,

BZX85B100-TR

BZX85B100-TR

частка акцыі: 144347

Напружанне - стабілітрон (Nom) (Vz): 100V, Талерантнасць: ±2%, Магутнасць - Макс: 1.3W, Імпеданс (макс.) (Zzt): 350 Ohms, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 500nA @ 75V,

BZX85C6V8-TR

BZX85C6V8-TR

частка акцыі: 160500

Напружанне - стабілітрон (Nom) (Vz): 6.8V, Талерантнасць: ±5%, Магутнасць - Макс: 1.3W, Імпеданс (макс.) (Zzt): 3.5 Ohms, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 1µA @ 4V,

BZX85C6V8-TAP

BZX85C6V8-TAP

частка акцыі: 132147

Напружанне - стабілітрон (Nom) (Vz): 6.8V, Талерантнасць: ±5%, Магутнасць - Макс: 1.3W, Імпеданс (макс.) (Zzt): 3.5 Ohms, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 1µA @ 4V,

BZX55B56-TAP

BZX55B56-TAP

частка акцыі: 141285

Напружанне - стабілітрон (Nom) (Vz): 56V, Талерантнасць: ±2%, Магутнасць - Макс: 500mW, Імпеданс (макс.) (Zzt): 135 Ohms, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 100nA @ 43V, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.5V @ 200mA,

BZX55C15-TR

BZX55C15-TR

частка акцыі: 154551

Напружанне - стабілітрон (Nom) (Vz): 15V, Талерантнасць: ±5%, Магутнасць - Макс: 500mW, Імпеданс (макс.) (Zzt): 30 Ohms, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 100nA @ 11V, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.5V @ 200mA,

BZX55B6V2-TR

BZX55B6V2-TR

частка акцыі: 132542

Напружанне - стабілітрон (Nom) (Vz): 6.2V, Талерантнасць: ±2%, Магутнасць - Макс: 500mW, Імпеданс (макс.) (Zzt): 10 Ohms, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 100nA @ 2V, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.5V @ 200mA,

BZX55B7V5-TAP

BZX55B7V5-TAP

частка акцыі: 169796

Напружанне - стабілітрон (Nom) (Vz): 7.5V, Талерантнасць: ±2%, Магутнасць - Макс: 500mW, Імпеданс (макс.) (Zzt): 7 Ohms, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 100nA @ 5V, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.5V @ 200mA,

BZX85C39-TAP

BZX85C39-TAP

частка акцыі: 179578

Напружанне - стабілітрон (Nom) (Vz): 39V, Талерантнасць: ±5%, Магутнасць - Макс: 1.3W, Імпеданс (макс.) (Zzt): 50 Ohms, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 500nA @ 30V,

BZX55B10-TR

BZX55B10-TR

частка акцыі: 190860

Напружанне - стабілітрон (Nom) (Vz): 10V, Талерантнасць: ±2%, Магутнасць - Макс: 500mW, Імпеданс (макс.) (Zzt): 15 Ohms, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 100nA @ 7.5V, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.5V @ 200mA,

BZX55B75-TAP

BZX55B75-TAP

частка акцыі: 176825

Напружанне - стабілітрон (Nom) (Vz): 75V, Талерантнасць: ±2%, Магутнасць - Макс: 500mW, Імпеданс (макс.) (Zzt): 250 Ohms, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 100nA @ 56V, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.5V @ 200mA,

BZX85C15-TAP

BZX85C15-TAP

частка акцыі: 115315

Напружанне - стабілітрон (Nom) (Vz): 15V, Талерантнасць: ±6%, Магутнасць - Макс: 1.3W, Імпеданс (макс.) (Zzt): 15 Ohms, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 500nA @ 11V,

BZX85C4V3-TAP

BZX85C4V3-TAP

частка акцыі: 183392

Напружанне - стабілітрон (Nom) (Vz): 4.3V, Талерантнасць: ±5%, Магутнасць - Макс: 1.3W, Імпеданс (макс.) (Zzt): 13 Ohms, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 3µA @ 1V,

BZX85B10-TAP

BZX85B10-TAP

частка акцыі: 183056

Напружанне - стабілітрон (Nom) (Vz): 10V, Талерантнасць: ±2%, Магутнасць - Макс: 1.3W, Імпеданс (макс.) (Zzt): 7 Ohms, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 500nA @ 7.5V,

BZX55C13-TR

BZX55C13-TR

частка акцыі: 151316

Напружанне - стабілітрон (Nom) (Vz): 13V, Талерантнасць: ±5%, Магутнасць - Макс: 500mW, Імпеданс (макс.) (Zzt): 26 Ohms, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 100nA @ 10V, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.5V @ 200mA,

BZX55B13-TAP

BZX55B13-TAP

частка акцыі: 107674

Напружанне - стабілітрон (Nom) (Vz): 13V, Талерантнасць: ±2%, Магутнасць - Макс: 500mW, Імпеданс (макс.) (Zzt): 26 Ohms, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 100nA @ 10V, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.5V @ 200mA,

BZX85C47-TAP

BZX85C47-TAP

частка акцыі: 155187

Напружанне - стабілітрон (Nom) (Vz): 47V, Талерантнасць: ±5%, Магутнасць - Макс: 1.3W, Імпеданс (макс.) (Zzt): 90 Ohms, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 500nA @ 36V,

BZX55B5V6-TAP

BZX55B5V6-TAP

частка акцыі: 143111

Напружанне - стабілітрон (Nom) (Vz): 5.6V, Талерантнасць: ±2%, Магутнасць - Макс: 500mW, Імпеданс (макс.) (Zzt): 40 Ohms, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 100nA @ 1V, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.5V @ 200mA,

BZX55B5V6-TR

BZX55B5V6-TR

частка акцыі: 187744

Напружанне - стабілітрон (Nom) (Vz): 5.6V, Талерантнасць: ±2%, Магутнасць - Макс: 500mW, Імпеданс (макс.) (Zzt): 40 Ohms, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 100nA @ 1V, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.5V @ 200mA,

BZX85C3V6-TAP

BZX85C3V6-TAP

частка акцыі: 181209

Напружанне - стабілітрон (Nom) (Vz): 3.6V, Талерантнасць: ±5%, Магутнасць - Макс: 1.3W, Імпеданс (макс.) (Zzt): 20 Ohms, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 20µA @ 1V,

BZX85C5V6-TAP

BZX85C5V6-TAP

частка акцыі: 148005

Напружанне - стабілітрон (Nom) (Vz): 5.6V, Талерантнасць: ±5%, Магутнасць - Макс: 1.3W, Імпеданс (макс.) (Zzt): 7 Ohms, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 1µA @ 2V,

BZX55C75-TAP

BZX55C75-TAP

частка акцыі: 160343

Напружанне - стабілітрон (Nom) (Vz): 75V, Талерантнасць: ±5%, Магутнасць - Макс: 500mW, Імпеданс (макс.) (Zzt): 250 Ohms, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 100nA @ 56V, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.5V @ 200mA,

BZX85B6V8-TR

BZX85B6V8-TR

частка акцыі: 165958

Напружанне - стабілітрон (Nom) (Vz): 6.8V, Талерантнасць: ±2%, Магутнасць - Макс: 1.3W, Імпеданс (макс.) (Zzt): 3.5 Ohms, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 1µA @ 4V,

BZX85B9V1-TR

BZX85B9V1-TR

частка акцыі: 143718

Напружанне - стабілітрон (Nom) (Vz): 9.1V, Талерантнасць: ±2%, Магутнасць - Макс: 1.3W, Імпеданс (макс.) (Zzt): 5 Ohms, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 1µA @ 6.8V,