Дыёды - стабилитроны - адзінкавыя

BZX55C20-TR

BZX55C20-TR

частка акцыі: 160597

Напружанне - стабілітрон (Nom) (Vz): 20V, Талерантнасць: ±5%, Магутнасць - Макс: 500mW, Імпеданс (макс.) (Zzt): 55 Ohms, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 100nA @ 15V, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.5V @ 200mA,

BZX85C12-TAP

BZX85C12-TAP

частка акцыі: 166920

Напружанне - стабілітрон (Nom) (Vz): 12V, Талерантнасць: ±5%, Магутнасць - Макс: 1.3W, Імпеданс (макс.) (Zzt): 350 Ohms, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 500nA @ 9.1V,

BZX384B24-G3-18

BZX384B24-G3-18

частка акцыі: 129854

Напружанне - стабілітрон (Nom) (Vz): 24V, Талерантнасць: ±2%, Магутнасць - Макс: 200mW, Імпеданс (макс.) (Zzt): 70 Ohms, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 50nA @ 16.8V,

BZM55C5V6-TR

BZM55C5V6-TR

частка акцыі: 149900

Напружанне - стабілітрон (Nom) (Vz): 5.6V, Магутнасць - Макс: 500mW, Імпеданс (макс.) (Zzt): 450 Ohms, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 100nA @ 1V, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.5V @ 200mA,

BZX55C47-TR

BZX55C47-TR

частка акцыі: 117848

Напружанне - стабілітрон (Nom) (Vz): 47V, Талерантнасць: ±5%, Магутнасць - Макс: 500mW, Імпеданс (макс.) (Zzt): 110 Ohms, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 100nA @ 36V, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.5V @ 200mA,

BZT55C51-GS08

BZT55C51-GS08

частка акцыі: 129394

Напружанне - стабілітрон (Nom) (Vz): 51V, Талерантнасць: ±5%, Магутнасць - Макс: 500mW, Імпеданс (макс.) (Zzt): 125 Ohms, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 100nA @ 39V, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.5V @ 200mA,

BZM55C6V2-TR3

BZM55C6V2-TR3

частка акцыі: 185838

Напружанне - стабілітрон (Nom) (Vz): 6.2V, Магутнасць - Макс: 500mW, Імпеданс (макс.) (Zzt): 10 Ohms, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 100nA @ 2V, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.5V @ 200mA,

BZX85C24-TR

BZX85C24-TR

частка акцыі: 141029

Напружанне - стабілітрон (Nom) (Vz): 24V, Талерантнасць: ±5%, Магутнасць - Макс: 1.3W, Імпеданс (макс.) (Zzt): 25 Ohms, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 500nA @ 18V,

BZM55C16-TR

BZM55C16-TR

частка акцыі: 147607

Напружанне - стабілітрон (Nom) (Vz): 16V, Магутнасць - Макс: 500mW, Імпеданс (макс.) (Zzt): 170 Ohms, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 100nA @ 12V, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.5V @ 200mA,

BZX384C12-E3-18

BZX384C12-E3-18

частка акцыі: 128360

Напружанне - стабілітрон (Nom) (Vz): 12V, Талерантнасць: ±5%, Магутнасць - Макс: 200mW, Імпеданс (макс.) (Zzt): 25 Ohms, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 100nA @ 8V,

BZX55C18-TR

BZX55C18-TR

частка акцыі: 111162

Напружанне - стабілітрон (Nom) (Vz): 18V, Талерантнасць: ±5%, Магутнасць - Макс: 500mW, Імпеданс (макс.) (Zzt): 50 Ohms, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 100nA @ 13V, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.5V @ 200mA,

BZT55C10-GS08

BZT55C10-GS08

частка акцыі: 147971

Напружанне - стабілітрон (Nom) (Vz): 10V, Талерантнасць: ±5%, Магутнасць - Макс: 500mW, Імпеданс (макс.) (Zzt): 15 Ohms, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 100nA @ 7.5V, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.5V @ 200mA,

BZT55B12-GS08

BZT55B12-GS08

частка акцыі: 199213

Напружанне - стабілітрон (Nom) (Vz): 12V, Талерантнасць: ±2%, Магутнасць - Макс: 500mW, Імпеданс (макс.) (Zzt): 20 Ohms, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 100nA @ 9.1V, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.5V @ 200mA,

BZM55B13-TR

BZM55B13-TR

частка акцыі: 130313

Напружанне - стабілітрон (Nom) (Vz): 13V, Магутнасць - Макс: 500mW, Імпеданс (макс.) (Zzt): 110 Ohms, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 100nA @ 10V, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.5V @ 200mA,

BZX55C3V6-TAP

BZX55C3V6-TAP

частка акцыі: 127179

Напружанне - стабілітрон (Nom) (Vz): 3.6V, Талерантнасць: ±5%, Магутнасць - Макс: 500mW, Імпеданс (макс.) (Zzt): 85 Ohms, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 2µA @ 1V, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.5V @ 200mA,

BZT55C33-GS08

BZT55C33-GS08

частка акцыі: 126529

Напружанне - стабілітрон (Nom) (Vz): 33V, Талерантнасць: ±5%, Магутнасць - Макс: 500mW, Імпеданс (макс.) (Zzt): 80 Ohms, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 100nA @ 24V, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.5V @ 200mA,

BZX384C5V6-E3-18

BZX384C5V6-E3-18

частка акцыі: 116314

Напружанне - стабілітрон (Nom) (Vz): 5.6V, Талерантнасць: ±5%, Магутнасць - Макс: 200mW, Імпеданс (макс.) (Zzt): 40 Ohms, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 1µA @ 2V,

BZX384B6V8-E3-18

BZX384B6V8-E3-18

частка акцыі: 184360

Напружанне - стабілітрон (Nom) (Vz): 6.8V, Талерантнасць: ±2%, Магутнасць - Макс: 200mW, Імпеданс (макс.) (Zzt): 15 Ohms, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 2µA @ 4V,

BZT55B13-GS08

BZT55B13-GS08

частка акцыі: 147180

Напружанне - стабілітрон (Nom) (Vz): 13V, Талерантнасць: ±2%, Магутнасць - Макс: 500mW, Імпеданс (макс.) (Zzt): 26 Ohms, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 100nA @ 10V, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.5V @ 200mA,

BZM55C9V1-TR3

BZM55C9V1-TR3

частка акцыі: 104830

Напружанне - стабілітрон (Nom) (Vz): 9.1V, Магутнасць - Макс: 500mW, Імпеданс (макс.) (Zzt): 50 Ohms, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 100nA @ 6.8V, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.5V @ 200mA,

BZM55C3V6-TR

BZM55C3V6-TR

частка акцыі: 166306

Напружанне - стабілітрон (Nom) (Vz): 3.6V, Магутнасць - Макс: 500mW, Імпеданс (макс.) (Zzt): 600 Ohms, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 2µA @ 1V, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.5V @ 200mA,

BZX384B24-E3-18

BZX384B24-E3-18

частка акцыі: 111883

Напружанне - стабілітрон (Nom) (Vz): 24V, Талерантнасць: ±2%, Магутнасць - Макс: 200mW, Імпеданс (макс.) (Zzt): 70 Ohms, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 50nA @ 16.8V,

BZT52B2V4-E3-18

BZT52B2V4-E3-18

частка акцыі: 156699

Напружанне - стабілітрон (Nom) (Vz): 2.4V, Талерантнасць: ±2%, Магутнасць - Макс: 410mW, Імпеданс (макс.) (Zzt): 85 Ohms,

BZT55B5V6-GS08

BZT55B5V6-GS08

частка акцыі: 143720

Напружанне - стабілітрон (Nom) (Vz): 5.6V, Талерантнасць: ±2%, Магутнасць - Макс: 500mW, Імпеданс (макс.) (Zzt): 40 Ohms, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 100nA @ 1V, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.5V @ 200mA,

BZX384B22-E3-08

BZX384B22-E3-08

частка акцыі: 126780

Напружанне - стабілітрон (Nom) (Vz): 22V, Талерантнасць: ±2%, Магутнасць - Макс: 200mW, Імпеданс (макс.) (Zzt): 55 Ohms, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 50nA @ 15.4V,

BZT52C9V1-E3-08

BZT52C9V1-E3-08

частка акцыі: 137660

Напружанне - стабілітрон (Nom) (Vz): 9.1V, Талерантнасць: ±5%, Магутнасць - Макс: 410mW, Імпеданс (макс.) (Zzt): 4.8 Ohms, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 100nA @ 7V,

BZX84C15-G3-08

BZX84C15-G3-08

частка акцыі: 132124

Напружанне - стабілітрон (Nom) (Vz): 15V, Талерантнасць: ±5%, Магутнасць - Макс: 300mW, Імпеданс (макс.) (Zzt): 30 Ohms, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 50nA @ 10.5V,

BZX384C11-E3-08

BZX384C11-E3-08

частка акцыі: 162989

Напружанне - стабілітрон (Nom) (Vz): 11V, Талерантнасць: ±5%, Магутнасць - Макс: 200mW, Імпеданс (макс.) (Zzt): 20 Ohms, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 100nA @ 8V,

BZT52B8V2-E3-08

BZT52B8V2-E3-08

частка акцыі: 171949

Напружанне - стабілітрон (Nom) (Vz): 8.2V, Талерантнасць: ±2%, Магутнасць - Макс: 410mW, Імпеданс (макс.) (Zzt): 4.5 Ohms, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 100nA @ 6V,

BZT52C12-E3-08

BZT52C12-E3-08

частка акцыі: 183618

Напружанне - стабілітрон (Nom) (Vz): 12V, Талерантнасць: ±5%, Магутнасць - Макс: 410mW, Імпеданс (макс.) (Zzt): 7 Ohms, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 100nA @ 9V,

BZT52B51-E3-08

BZT52B51-E3-08

частка акцыі: 129851

Напружанне - стабілітрон (Nom) (Vz): 51V, Талерантнасць: ±2%, Магутнасць - Макс: 410mW, Імпеданс (макс.) (Zzt): 70 Ohms, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 100nA @ 38V,

BZX84C4V3-E3-08

BZX84C4V3-E3-08

частка акцыі: 108902

Напружанне - стабілітрон (Nom) (Vz): 4.3V, Талерантнасць: ±5%, Магутнасць - Макс: 300mW, Імпеданс (макс.) (Zzt): 90 Ohms, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 3µA @ 1V,

BZX84C47-E3-08

BZX84C47-E3-08

частка акцыі: 159023

Напружанне - стабілітрон (Nom) (Vz): 47V, Талерантнасць: ±5%, Магутнасць - Макс: 300mW, Імпеданс (макс.) (Zzt): 170 Ohms, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 50nA @ 32.9V,

BZX384C47-E3-08

BZX384C47-E3-08

частка акцыі: 130322

Напружанне - стабілітрон (Nom) (Vz): 47V, Талерантнасць: ±5%, Магутнасць - Макс: 200mW, Імпеданс (макс.) (Zzt): 170 Ohms, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 50nA @ 32.9V,

BZX84C36-E3-08

BZX84C36-E3-08

частка акцыі: 194045

Напружанне - стабілітрон (Nom) (Vz): 36V, Талерантнасць: ±5%, Магутнасць - Макс: 300mW, Імпеданс (макс.) (Zzt): 90 Ohms, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 50nA @ 25.2V,

BZX384C4V7-G3-08

BZX384C4V7-G3-08

частка акцыі: 167584

Напружанне - стабілітрон (Nom) (Vz): 4.7V, Талерантнасць: ±5%, Магутнасць - Макс: 200mW, Імпеданс (макс.) (Zzt): 80 Ohms, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 3µA @ 2V,