Тырыстары - SCR - модулі | Дыскрэтныя паўправадніковыя вырабы | 21

VS-VSKT250-18PBF

частка акцыі: 264

Будова: Series Connection - All SCRs, Колькасць SCR, дыёдаў: 2 SCRs, Напружанне - выключанае: 1.8kV, Бягучы - у стане (It (AV)) (макс.): 250A, Бягучы - у стане (It (RMS)) (макс.): 555A, Напружанне - спускавы механізм засаўкі (Vgt) (макс.): 3V,

Ліст з жаданняў

Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-VSKT500-12PBF

частка акцыі: 202

Будова: Series Connection - All SCRs, Колькасць SCR, дыёдаў: 2 SCRs, Напружанне - выключанае: 1.2kV, Бягучы - у стане (It (AV)) (макс.): 500A, Бягучы - у стане (It (RMS)) (макс.): 785A, Напружанне - спускавы механізм засаўкі (Vgt) (макс.): 3V,

Ліст з жаданняў

Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-VSKL91/04

частка акцыі: 1875

Будова: Series Connection - SCR/Diode, Колькасць SCR, дыёдаў: 1 SCR, 1 Diode, Напружанне - выключанае: 400V, Бягучы - у стане (It (AV)) (макс.): 95A, Бягучы - у стане (It (RMS)) (макс.): 210A, Напружанне - спускавы механізм засаўкі (Vgt) (макс.): 2.5V,

Ліст з жаданняў

Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-VSKT170-12PBF

частка акцыі: 578

Будова: Series Connection - All SCRs, Колькасць SCR, дыёдаў: 2 SCRs, Напружанне - выключанае: 1.2kV, Бягучы - у стане (It (AV)) (макс.): 170A, Бягучы - у стане (It (RMS)) (макс.): 377A, Напружанне - спускавы механізм засаўкі (Vgt) (макс.): 3V,

Ліст з жаданняў

Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-T50RIA80

частка акцыі: 2527

Будова: Single, Колькасць SCR, дыёдаў: 1 SCR, Напружанне - выключанае: 800V, Бягучы - у стане (It (AV)) (макс.): 50A, Бягучы - у стане (It (RMS)) (макс.): 80A, Напружанне - спускавы механізм засаўкі (Vgt) (макс.): 2.5V,

Ліст з жаданняў

Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-VSKN105/04

частка акцыі: 1845

Будова: Common Anode - SCR/Diode, Колькасць SCR, дыёдаў: 1 SCR, 1 Diode, Напружанне - выключанае: 400V, Бягучы - у стане (It (AV)) (макс.): 105A, Бягучы - у стане (It (RMS)) (макс.): 235A, Напружанне - спускавы механізм засаўкі (Vgt) (макс.): 2.5V,

Ліст з жаданняў

Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-VSKV41/14

частка акцыі: 1955

Будова: Common Cathode - All SCRs, Колькасць SCR, дыёдаў: 2 SCRs, Напружанне - выключанае: 1.4kV, Бягучы - у стане (It (AV)) (макс.): 45A, Бягучы - у стане (It (RMS)) (макс.): 70A, Напружанне - спускавы механізм засаўкі (Vgt) (макс.): 2.5V,

Ліст з жаданняў

Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-VSKK230-20PBF

частка акцыі: 396

Будова: Common Cathode - All SCRs, Колькасць SCR, дыёдаў: 2 SCRs, Напружанне - выключанае: 2kV, Бягучы - у стане (It (AV)) (макс.): 230A, Бягучы - у стане (It (RMS)) (макс.): 510A, Напружанне - спускавы механізм засаўкі (Vgt) (макс.): 3V,

Ліст з жаданняў

Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-VSKL56/16

частка акцыі: 1936

Будова: Series Connection - SCR/Diode, Колькасць SCR, дыёдаў: 1 SCR, 1 Diode, Напружанне - выключанае: 1.6kV, Бягучы - у стане (It (AV)) (макс.): 60A, Бягучы - у стане (It (RMS)) (макс.): 135A, Напружанне - спускавы механізм засаўкі (Vgt) (макс.): 2.5V,

Ліст з жаданняў

Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-VSKN56/14

частка акцыі: 1986

Будова: Series Connection - SCR/Diode, Колькасць SCR, дыёдаў: 1 SCR, 1 Diode, Напружанне - выключанае: 1.4kV, Бягучы - у стане (It (AV)) (макс.): 60A, Бягучы - у стане (It (RMS)) (макс.): 135A, Напружанне - спускавы механізм засаўкі (Vgt) (макс.): 2.5V,

Ліст з жаданняў

Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-P123

частка акцыі: 2177

Будова: Bridge, Single Phase - SCRs/Diodes (Layout 3), Колькасць SCR, дыёдаў: 2 SCRs, 2 Diodes, Напружанне - выключанае: 800V, Напружанне - спускавы механізм засаўкі (Vgt) (макс.): 2V,

Ліст з жаданняў

Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-VSKU56/14

частка акцыі: 1959

Будова: Common Cathode - All SCRs, Колькасць SCR, дыёдаў: 2 SCRs, Напружанне - выключанае: 1.4kV, Бягучы - у стане (It (AV)) (макс.): 60A, Бягучы - у стане (It (RMS)) (макс.): 95A, Напружанне - спускавы механізм засаўкі (Vgt) (макс.): 2.5V,

Ліст з жаданняў

Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-VSKT250-14PBF

частка акцыі: 408

Будова: Series Connection - SCR/Diode, Колькасць SCR, дыёдаў: 1 SCR, 1 Diode, Напружанне - выключанае: 1.4kV, Бягучы - у стане (It (AV)) (макс.): 250A, Бягучы - у стане (It (RMS)) (макс.): 555A, Напружанне - спускавы механізм засаўкі (Vgt) (макс.): 3V,

Ліст з жаданняў

Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-VSKT91/12

частка акцыі: 1584

Будова: Series Connection - All SCRs, Колькасць SCR, дыёдаў: 2 SCRs, Напружанне - выключанае: 1.2kV, Бягучы - у стане (It (AV)) (макс.): 95A, Бягучы - у стане (It (RMS)) (макс.): 210A, Напружанне - спускавы механізм засаўкі (Vgt) (макс.): 2.5V,

Ліст з жаданняў

Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-VSKT250-04PBF

частка акцыі: 457

Будова: Series Connection - All SCRs, Колькасць SCR, дыёдаў: 2 SCRs, Напружанне - выключанае: 400V, Бягучы - у стане (It (AV)) (макс.): 250A, Бягучы - у стане (It (RMS)) (макс.): 555A, Напружанне - спускавы механізм засаўкі (Vgt) (макс.): 3V,

Ліст з жаданняў

Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-VSKT56/08

частка акцыі: 1991

Будова: Series Connection - All SCRs, Колькасць SCR, дыёдаў: 2 SCRs, Напружанне - выключанае: 800V, Бягучы - у стане (It (AV)) (макс.): 60A, Бягучы - у стане (It (RMS)) (макс.): 135A, Напружанне - спускавы механізм засаўкі (Vgt) (макс.): 2.5V,

Ліст з жаданняў

Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-VSKT230-12PBF

частка акцыі: 159

Будова: Series Connection - All SCRs, Колькасць SCR, дыёдаў: 2 SCRs, Напружанне - выключанае: 1.2kV, Бягучы - у стане (It (AV)) (макс.): 230A, Бягучы - у стане (It (RMS)) (макс.): 510A, Напружанне - спускавы механізм засаўкі (Vgt) (макс.): 3V,

Ліст з жаданняў

Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-T90RIA80

частка акцыі: 2059

Будова: Single, Колькасць SCR, дыёдаў: 1 SCR, Напружанне - выключанае: 800V, Бягучы - у стане (It (AV)) (макс.): 90A, Бягучы - у стане (It (RMS)) (макс.): 141A, Напружанне - спускавы механізм засаўкі (Vgt) (макс.): 2.5V,

Ліст з жаданняў

Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-VSKL300-08PBF

частка акцыі: 555

Будова: Series Connection - SCR/Diode, Колькасць SCR, дыёдаў: 1 SCR, 1 Diode, Напружанне - выключанае: 800V, Бягучы - у стане (It (AV)) (макс.): 300A, Бягучы - у стане (It (RMS)) (макс.): 116A, Напружанне - спускавы механізм засаўкі (Vgt) (макс.): 3V,

Ліст з жаданняў

Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-VSKH142/08PBF

частка акцыі: 1116

Будова: Series Connection - SCR/Diode, Колькасць SCR, дыёдаў: 1 SCR, 1 Diode, Напружанне - выключанае: 800V, Бягучы - у стане (It (AV)) (макс.): 140A, Бягучы - у стане (It (RMS)) (макс.): 310A, Напружанне - спускавы механізм засаўкі (Vgt) (макс.): 2.5V,

Ліст з жаданняў

Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-P403KW

частка акцыі: 1698

Будова: Bridge, Single Phase - SCRs/Diodes (Layout 1), Колькасць SCR, дыёдаў: 2 SCRs, 2 Diodes, Напружанне - выключанае: 800V, Напружанне - спускавы механізм засаўкі (Vgt) (макс.): 2V,

Ліст з жаданняў

Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-VSKH26/14

частка акцыі: 2115

Будова: Series Connection - SCR/Diode, Колькасць SCR, дыёдаў: 1 SCR, 1 Diode, Напружанне - выключанае: 1.4kV, Бягучы - у стане (It (AV)) (макс.): 27A, Бягучы - у стане (It (RMS)) (макс.): 60A, Напружанне - спускавы механізм засаўкі (Vgt) (макс.): 2.5V,

Ліст з жаданняў

Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-VSKV91/04

частка акцыі: 1866

Будова: Common Anode - All SCRs, Колькасць SCR, дыёдаў: 2 SCRs, Напружанне - выключанае: 400V, Бягучы - у стане (It (AV)) (макс.): 95A, Бягучы - у стане (It (RMS)) (макс.): 150A, Напружанне - спускавы механізм засаўкі (Vgt) (макс.): 2.5V,

Ліст з жаданняў

Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-VSKN56/12

частка акцыі: 2025

Будова: Series Connection - SCR/Diode, Колькасць SCR, дыёдаў: 1 SCR, 1 Diode, Напружанне - выключанае: 1.2kV, Бягучы - у стане (It (AV)) (макс.): 60A, Бягучы - у стане (It (RMS)) (макс.): 135A, Напружанне - спускавы механізм засаўкі (Vgt) (макс.): 2.5V,

Ліст з жаданняў

Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-VSKT56/16

частка акцыі: 1908

Будова: Series Connection - All SCRs, Колькасць SCR, дыёдаў: 2 SCRs, Напружанне - выключанае: 1.6kV, Бягучы - у стане (It (AV)) (макс.): 60A, Бягучы - у стане (It (RMS)) (макс.): 135A, Напружанне - спускавы механізм засаўкі (Vgt) (макс.): 2.5V,

Ліст з жаданняў

Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-P405KW

частка акцыі: 1611

Будова: Bridge, Single Phase - SCRs/Diodes (Layout 1), Колькасць SCR, дыёдаў: 2 SCRs, 2 Diodes, Напружанне - выключанае: 1.2kV, Напружанне - спускавы механізм засаўкі (Vgt) (макс.): 2V,

Ліст з жаданняў

Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-T70RIA20

частка акцыі: 2484

Будова: Single, Колькасць SCR, дыёдаў: 1 SCR, Напружанне - выключанае: 200V, Бягучы - у стане (It (AV)) (макс.): 70A, Бягучы - у стане (It (RMS)) (макс.): 110A, Напружанне - спускавы механізм засаўкі (Vgt) (макс.): 2.5V,

Ліст з жаданняў

Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-VSKT230-16PBF

частка акцыі: 435

Будова: Series Connection - All SCRs, Колькасць SCR, дыёдаў: 2 SCRs, Напружанне - выключанае: 1.6kV, Бягучы - у стане (It (AV)) (макс.): 230A, Бягучы - у стане (It (RMS)) (макс.): 510A, Напружанне - спускавы механізм засаўкі (Vgt) (макс.): 3V,

Ліст з жаданняў

Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-VSKT230-14PBF

частка акцыі: 477

Будова: Series Connection - All SCRs, Колькасць SCR, дыёдаў: 2 SCRs, Напружанне - выключанае: 1.4kV, Бягучы - у стане (It (AV)) (макс.): 230A, Бягучы - у стане (It (RMS)) (макс.): 510A, Напружанне - спускавы механізм засаўкі (Vgt) (макс.): 3V,

Ліст з жаданняў

Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-P404W

частка акцыі: 1859

Будова: Bridge, Single Phase - SCRs/Diodes (Layout 1), Колькасць SCR, дыёдаў: 2 SCRs, 2 Diodes, Напружанне - выключанае: 1kV, Напружанне - спускавы механізм засаўкі (Vgt) (макс.): 2V,

Ліст з жаданняў

Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-P423

частка акцыі: 2011

Будова: Bridge, Single Phase - SCRs/Diodes (Layout 3), Колькасць SCR, дыёдаў: 2 SCRs, 2 Diodes, Напружанне - выключанае: 800V, Бягучы - у стане (It (RMS)) (макс.): 40A, Напружанне - спускавы механізм засаўкі (Vgt) (макс.): 2V,

Ліст з жаданняў

Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-VSKT430-20PBF

частка акцыі: 208

Будова: Series Connection - All SCRs, Колькасць SCR, дыёдаў: 2 SCRs, Напружанне - выключанае: 2kV, Бягучы - у стане (It (AV)) (макс.): 430A, Бягучы - у стане (It (RMS)) (макс.): 675A,

Ліст з жаданняў

Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-T90RIA60

частка акцыі: 2199

Будова: Single, Колькасць SCR, дыёдаў: 1 SCR, Напружанне - выключанае: 600V, Бягучы - у стане (It (AV)) (макс.): 90A, Бягучы - у стане (It (RMS)) (макс.): 141A, Напружанне - спускавы механізм засаўкі (Vgt) (макс.): 2.5V,

Ліст з жаданняў

Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-VSKH500-12PBF

частка акцыі: 229

Будова: Series Connection - SCR/Diode, Колькасць SCR, дыёдаў: 1 SCR, 1 Diode, Напружанне - выключанае: 1.2kV, Бягучы - у стане (It (AV)) (макс.): 500A, Бягучы - у стане (It (RMS)) (макс.): 785A, Напружанне - спускавы механізм засаўкі (Vgt) (макс.): 3V,

Ліст з жаданняў

Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-VSKL26/12

частка акцыі: 2169

Будова: Series Connection - SCR/Diode, Колькасць SCR, дыёдаў: 1 SCR, 1 Diode, Напружанне - выключанае: 1.2kV, Бягучы - у стане (It (AV)) (макс.): 27A, Бягучы - у стане (It (RMS)) (макс.): 60A, Напружанне - спускавы механізм засаўкі (Vgt) (макс.): 2.5V,

Ліст з жаданняў

Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-VSKH26/06

частка акцыі: 2248

Будова: Series Connection - SCR/Diode, Колькасць SCR, дыёдаў: 1 SCR, 1 Diode, Напружанне - выключанае: 600V, Бягучы - у стане (It (AV)) (макс.): 27A, Бягучы - у стане (It (RMS)) (макс.): 60A, Напружанне - спускавы механізм засаўкі (Vgt) (макс.): 2.5V,

Ліст з жаданняў