Тырыстары - SCR - модулі

Дом
Тырыстары - SCR - модулі

VS-VSKH162/04PBF

Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-VSKH162/04PBF

частка акцыі: 1071

Будова: Series Connection - SCR/Diode, Колькасць SCR, дыёдаў: 1 SCR, 1 Diode, Напружанне - выключанае: 400V, Бягучы - у стане (It (AV)) (макс.): 160A, Бягучы - у стане (It (RMS)) (макс.): 355A, Напружанне - спускавы механізм засаўкі (Vgt) (макс.): 2.5V,

Ліст з жаданняў

Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-P424

частка акцыі: 1956

Будова: Bridge, Single Phase - SCRs/Diodes (Layout 3), Колькасць SCR, дыёдаў: 2 SCRs, 2 Diodes, Напружанне - выключанае: 1kV, Бягучы - у стане (It (RMS)) (макс.): 40A, Напружанне - спускавы механізм засаўкі (Vgt) (макс.): 2V,

Ліст з жаданняў

Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-VSKN105/08

частка акцыі: 1861

Будова: Common Anode - SCR/Diode, Колькасць SCR, дыёдаў: 1 SCR, 1 Diode, Напружанне - выключанае: 800V, Бягучы - у стане (It (AV)) (макс.): 105A, Бягучы - у стане (It (RMS)) (макс.): 235A, Напружанне - спускавы механізм засаўкі (Vgt) (макс.): 2.5V,

Ліст з жаданняў

Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-VSKT71/12

частка акцыі: 1767

Будова: Series Connection - All SCRs, Колькасць SCR, дыёдаў: 2 SCRs, Напружанне - выключанае: 1.2kV, Бягучы - у стане (It (AV)) (макс.): 75A, Бягучы - у стане (It (RMS)) (макс.): 165A, Напружанне - спускавы механізм засаўкі (Vgt) (макс.): 2.5V,

Ліст з жаданняў

Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-P103KW

частка акцыі: 1764

Будова: Bridge, Single Phase - SCRs/Diodes (Layout 1), Колькасць SCR, дыёдаў: 2 SCRs, 2 Diodes, Напружанне - выключанае: 800V, Напружанне - спускавы механізм засаўкі (Vgt) (макс.): 2V,

Ліст з жаданняў

Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-VSKU26/06

частка акцыі: 2165

Будова: Common Cathode - All SCRs, Колькасць SCR, дыёдаў: 2 SCRs, Напружанне - выключанае: 600V, Бягучы - у стане (It (AV)) (макс.): 27A, Бягучы - у стане (It (RMS)) (макс.): 60A, Напружанне - спускавы механізм засаўкі (Vgt) (макс.): 2.5V,

Ліст з жаданняў

Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-P103W

частка акцыі: 2042

Будова: Bridge, Single Phase - SCRs/Diodes (Layout 1), Колькасць SCR, дыёдаў: 2 SCRs, 2 Diodes, Напружанне - выключанае: 800V, Напружанне - спускавы механізм засаўкі (Vgt) (макс.): 2V,

Ліст з жаданняў

VS-VSKT162/12PBF

Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-VSKT162/12PBF

частка акцыі: 1127

Будова: Series Connection - All SCRs, Колькасць SCR, дыёдаў: 2 SCRs, Напружанне - выключанае: 1.2kV, Бягучы - у стане (It (AV)) (макс.): 160A, Бягучы - у стане (It (RMS)) (макс.): 355A, Напружанне - спускавы механізм засаўкі (Vgt) (макс.): 2.5V,

Ліст з жаданняў

Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-P421

частка акцыі: 2097

Будова: Bridge, Single Phase - SCRs/Diodes (Layout 3), Колькасць SCR, дыёдаў: 2 SCRs, 2 Diodes, Напружанне - выключанае: 400V, Бягучы - у стане (It (RMS)) (макс.): 40A, Напружанне - спускавы механізм засаўкі (Vgt) (макс.): 2V,

Ліст з жаданняў

Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-VSKV91/16

частка акцыі: 1732

Будова: Common Anode - All SCRs, Колькасць SCR, дыёдаў: 2 SCRs, Напружанне - выключанае: 1.6kV, Бягучы - у стане (It (AV)) (макс.): 95A, Бягучы - у стане (It (RMS)) (макс.): 150A, Напружанне - спускавы механізм засаўкі (Vgt) (макс.): 2.5V,

Ліст з жаданняў

Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-VSKL91/16

частка акцыі: 1752

Будова: Series Connection - SCR/Diode, Колькасць SCR, дыёдаў: 1 SCR, 1 Diode, Напружанне - выключанае: 1.6kV, Бягучы - у стане (It (AV)) (макс.): 95A, Бягучы - у стане (It (RMS)) (макс.): 210A, Напружанне - спускавы механізм засаўкі (Vgt) (макс.): 2.5V,

Ліст з жаданняў

Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-VSKV41/12

частка акцыі: 2022

Будова: Common Cathode - All SCRs, Колькасць SCR, дыёдаў: 2 SCRs, Напружанне - выключанае: 1.2kV, Бягучы - у стане (It (AV)) (макс.): 45A, Бягучы - у стане (It (RMS)) (макс.): 70A, Напружанне - спускавы механізм засаўкі (Vgt) (макс.): 2.5V,

Ліст з жаданняў

VS-VSKH500-16PBF

Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-VSKH500-16PBF

частка акцыі: 214

Будова: Series Connection - SCR/Diode, Колькасць SCR, дыёдаў: 1 SCR, 1 Diode, Напружанне - выключанае: 1.6kV, Бягучы - у стане (It (AV)) (макс.): 500A, Бягучы - у стане (It (RMS)) (макс.): 785A, Напружанне - спускавы механізм засаўкі (Vgt) (макс.): 3V,

Ліст з жаданняў

Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-VSKL56/14

частка акцыі: 2032

Будова: Series Connection - SCR/Diode, Колькасць SCR, дыёдаў: 1 SCR, 1 Diode, Напружанне - выключанае: 1.4kV, Бягучы - у стане (It (AV)) (макс.): 60A, Бягучы - у стане (It (RMS)) (макс.): 135A, Напружанне - спускавы механізм засаўкі (Vgt) (макс.): 2.5V,

Ліст з жаданняў

VS-VSKT230-20PBF

Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-VSKT230-20PBF

частка акцыі: 397

Будова: Series Connection - All SCRs, Колькасць SCR, дыёдаў: 2 SCRs, Напружанне - выключанае: 2kV, Бягучы - у стане (It (AV)) (макс.): 230A, Бягучы - у стане (It (RMS)) (макс.): 510A, Напружанне - спускавы механізм засаўкі (Vgt) (макс.): 3V,

Ліст з жаданняў

Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-VSKV71/10

частка акцыі: 1820

Будова: Common Anode - All SCRs, Колькасць SCR, дыёдаў: 2 SCRs, Напружанне - выключанае: 1kV, Бягучы - у стане (It (AV)) (макс.): 75A, Бягучы - у стане (It (RMS)) (макс.): 115A, Напружанне - спускавы механізм засаўкі (Vgt) (макс.): 2.5V,

Ліст з жаданняў

Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-VSKU91/14

частка акцыі: 1760

Будова: Common Cathode - All SCRs, Колькасць SCR, дыёдаў: 2 SCRs, Напружанне - выключанае: 1.4kV, Бягучы - у стане (It (AV)) (макс.): 95A, Бягучы - у стане (It (RMS)) (макс.): 150A, Напружанне - спускавы механізм засаўкі (Vgt) (макс.): 2.5V,

Ліст з жаданняў

Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-VSKU26/08

частка акцыі: 2097

Будова: Common Cathode - All SCRs, Колькасць SCR, дыёдаў: 2 SCRs, Напружанне - выключанае: 800V, Бягучы - у стане (It (AV)) (макс.): 27A, Бягучы - у стане (It (RMS)) (макс.): 60A, Напружанне - спускавы механізм засаўкі (Vgt) (макс.): 2.5V,

Ліст з жаданняў

VS-VSKLF200-12HJP

Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-VSKLF200-12HJP

частка акцыі: 371

Будова: Series Connection - SCR/Diode, Колькасць SCR, дыёдаў: 1 SCR, 1 Diode, Напружанне - выключанае: 1.2kV, Бягучы - у стане (It (AV)) (макс.): 200A, Бягучы - у стане (It (RMS)) (макс.): 444A, Напружанне - спускавы механізм засаўкі (Vgt) (макс.): 3V,

Ліст з жаданняў

Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-VSKL91/12

частка акцыі: 1859

Будова: Series Connection - SCR/Diode, Колькасць SCR, дыёдаў: 1 SCR, 1 Diode, Напружанне - выключанае: 1.2kV, Бягучы - у стане (It (AV)) (макс.): 95A, Бягучы - у стане (It (RMS)) (макс.): 210A, Напружанне - спускавы механізм засаўкі (Vgt) (макс.): 2.5V,

Ліст з жаданняў

VS-VSKK230-12PBF

Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-VSKK230-12PBF

частка акцыі: 494

Будова: Common Cathode - All SCRs, Колькасць SCR, дыёдаў: 2 SCRs, Напружанне - выключанае: 1.2kV, Бягучы - у стане (It (AV)) (макс.): 230A, Бягучы - у стане (It (RMS)) (макс.): 510A, Напружанне - спускавы механізм засаўкі (Vgt) (макс.): 3V,

Ліст з жаданняў

VS-VSKV162/12PBF

Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-VSKV162/12PBF

частка акцыі: 248

Будова: Common Cathode - All SCRs, Колькасць SCR, дыёдаў: 1 SCR, Напружанне - выключанае: 1.2kV, Бягучы - у стане (It (AV)) (макс.): 160A, Бягучы - у стане (It (RMS)) (макс.): 355A, Напружанне - спускавы механізм засаўкі (Vgt) (макс.): 2.5V,

Ліст з жаданняў

Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-VSKT56/06

частка акцыі: 1986

Будова: Series Connection - All SCRs, Колькасць SCR, дыёдаў: 2 SCRs, Напружанне - выключанае: 600V, Бягучы - у стане (It (AV)) (макс.): 60A, Бягучы - у стане (It (RMS)) (макс.): 135A, Напружанне - спускавы механізм засаўкі (Vgt) (макс.): 2.5V,

Ліст з жаданняў

VS-VSKT136/08PBF

Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-VSKT136/08PBF

частка акцыі: 1076

Будова: Series Connection - All SCRs, Колькасць SCR, дыёдаў: 2 SCRs, Напружанне - выключанае: 800V, Бягучы - у стане (It (AV)) (макс.): 135A, Бягучы - у стане (It (RMS)) (макс.): 300A, Напружанне - спускавы механізм засаўкі (Vgt) (макс.): 2.5V,

Ліст з жаданняў

Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-P102

частка акцыі: 2211

Будова: Bridge, Single Phase - SCRs/Diodes (Layout 1), Колькасць SCR, дыёдаў: 2 SCRs, 2 Diodes, Напружанне - выключанае: 600V, Напружанне - спускавы механізм засаўкі (Vgt) (макс.): 2V,

Ліст з жаданняў

VS-VSKT136/14PBF

Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-VSKT136/14PBF

частка акцыі: 1241

Будова: Series Connection - All SCRs, Колькасць SCR, дыёдаў: 2 SCRs, Напружанне - выключанае: 1.4kV, Бягучы - у стане (It (AV)) (макс.): 135A, Бягучы - у стане (It (RMS)) (макс.): 300A, Напружанне - спускавы механізм засаўкі (Vgt) (макс.): 2.5V,

Ліст з жаданняў

Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-VSKT105/16

частка акцыі: 1728

Будова: Series Connection - All SCRs, Колькасць SCR, дыёдаў: 2 SCRs, Напружанне - выключанае: 1.6kV, Бягучы - у стане (It (AV)) (макс.): 105A, Бягучы - у стане (It (RMS)) (макс.): 235A, Напружанне - спускавы механізм засаўкі (Vgt) (макс.): 2.5V,

Ліст з жаданняў

VS-VSKH230-16PBF

Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-VSKH230-16PBF

частка акцыі: 474

Будова: Series Connection - SCR/Diode, Колькасць SCR, дыёдаў: 1 SCR, 1 Diode, Напружанне - выключанае: 1.6kV, Бягучы - у стане (It (AV)) (макс.): 230A, Бягучы - у стане (It (RMS)) (макс.): 510A, Напружанне - спускавы механізм засаўкі (Vgt) (макс.): 3V,

Ліст з жаданняў

Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-VSKT105/12

частка акцыі: 1709

Будова: Series Connection - All SCRs, Колькасць SCR, дыёдаў: 2 SCRs, Напружанне - выключанае: 1.2kV, Бягучы - у стане (It (AV)) (макс.): 105A, Бягучы - у стане (It (RMS)) (макс.): 235A, Напружанне - спускавы механізм засаўкі (Vgt) (макс.): 2.5V,

Ліст з жаданняў

Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-T90RIA20

частка акцыі: 2134

Будова: Single, Колькасць SCR, дыёдаў: 1 SCR, Напружанне - выключанае: 200V, Бягучы - у стане (It (AV)) (макс.): 90A, Бягучы - у стане (It (RMS)) (макс.): 141A, Напружанне - спускавы механізм засаўкі (Vgt) (макс.): 2.5V,

Ліст з жаданняў

Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-VSKT105/10

частка акцыі: 1777

Будова: Series Connection - All SCRs, Колькасць SCR, дыёдаў: 2 SCRs, Напружанне - выключанае: 1kV, Бягучы - у стане (It (AV)) (макс.): 105A, Бягучы - у стане (It (RMS)) (макс.): 235A, Напружанне - спускавы механізм засаўкі (Vgt) (макс.): 2.5V,

Ліст з жаданняў

Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-P121

частка акцыі: 2104

Будова: Bridge, Single Phase - SCRs/Diodes (Layout 3), Колькасць SCR, дыёдаў: 2 SCRs, 2 Diodes, Напружанне - выключанае: 400V, Напружанне - спускавы механізм засаўкі (Vgt) (макс.): 2V,

Ліст з жаданняў

Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-VSKU71/04

частка акцыі: 1815

Будова: Common Cathode - All SCRs, Колькасць SCR, дыёдаў: 2 SCRs, Напружанне - выключанае: 400V, Бягучы - у стане (It (AV)) (макс.): 75A, Бягучы - у стане (It (RMS)) (макс.): 115A, Напружанне - спускавы механізм засаўкі (Vgt) (макс.): 2.5V,

Ліст з жаданняў

Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-P105W

частка акцыі: 1864

Будова: Bridge, Single Phase - SCRs/Diodes (Layout 1), Колькасць SCR, дыёдаў: 2 SCRs, 2 Diodes, Напружанне - выключанае: 1.2kV, Напружанне - спускавы механізм засаўкі (Vgt) (макс.): 2V,

Ліст з жаданняў

Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-VSKN26/16

частка акцыі: 2053

Будова: Series Connection - SCR/Diode, Колькасць SCR, дыёдаў: 1 SCR, 1 Diode, Напружанне - выключанае: 1.6kV, Бягучы - у стане (It (AV)) (макс.): 27A, Бягучы - у стане (It (RMS)) (макс.): 60A, Напружанне - спускавы механізм засаўкі (Vgt) (макс.): 2.5V,

Ліст з жаданняў

Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-P425

частка акцыі: 1977

Будова: Bridge, Single Phase - SCRs/Diodes (Layout 3), Колькасць SCR, дыёдаў: 2 SCRs, 2 Diodes, Напружанне - выключанае: 1.2kV, Бягучы - у стане (It (RMS)) (макс.): 40A, Напружанне - спускавы механізм засаўкі (Vgt) (макс.): 2V,

Ліст з жаданняў

756

«
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
»