Чып-рэзістар - павярхоўнае мацаванне

RN73C1E1K0BTG

RN73C1E1K0BTG

частка акцыі: 68066

Супраціўленне: 1 kOhms, Талерантнасць: ±0.1%, Магутнасць (Вт): 0.063W, 1/16W, Склад: Thin Film, Тэмпературны каэфіцыент: ±10ppm/°C,

RH73W2A500MNTN

RH73W2A500MNTN

частка акцыі: 85636

Супраціўленне: 500 MOhms, Талерантнасць: ±30%, Магутнасць (Вт): 0.125W, 1/8W, Склад: Thick Film, Тэмпературны каэфіцыент: ±500ppm/°C,

RN73C1E750RBTG

RN73C1E750RBTG

частка акцыі: 68112

Супраціўленне: 750 Ohms, Талерантнасць: ±0.1%, Магутнасць (Вт): 0.063W, 1/16W, Склад: Thin Film, Тэмпературны каэфіцыент: ±10ppm/°C,

RN73C1E1K1BTG

RN73C1E1K1BTG

частка акцыі: 68094

Супраціўленне: 1.1 kOhms, Талерантнасць: ±0.1%, Магутнасць (Вт): 0.063W, 1/16W, Склад: Thin Film, Тэмпературны каэфіцыент: ±10ppm/°C,

RN73C1E365RBTG

RN73C1E365RBTG

частка акцыі: 68056

Супраціўленне: 365 Ohms, Талерантнасць: ±0.1%, Магутнасць (Вт): 0.063W, 1/16W, Склад: Thin Film, Тэмпературны каэфіцыент: ±10ppm/°C,

RN73C1E499RBTG

RN73C1E499RBTG

частка акцыі: 68094

Супраціўленне: 499 Ohms, Талерантнасць: ±0.1%, Магутнасць (Вт): 0.063W, 1/16W, Склад: Thin Film, Тэмпературны каэфіцыент: ±10ppm/°C,

RN73C1E4K02BTG

RN73C1E4K02BTG

частка акцыі: 68108

Супраціўленне: 4.02 kOhms, Талерантнасць: ±0.1%, Магутнасць (Вт): 0.063W, 1/16W, Склад: Thin Film, Тэмпературны каэфіцыент: ±10ppm/°C,

RN73C1E5K62BTG

RN73C1E5K62BTG

частка акцыі: 68045

Супраціўленне: 5.62 kOhms, Талерантнасць: ±0.1%, Магутнасць (Вт): 0.063W, 1/16W, Склад: Thin Film, Тэмпературны каэфіцыент: ±10ppm/°C,

RN73C1E4K75BTG

RN73C1E4K75BTG

частка акцыі: 68137

Супраціўленне: 4.75 kOhms, Талерантнасць: ±0.1%, Магутнасць (Вт): 0.063W, 1/16W, Склад: Thin Film, Тэмпературны каэфіцыент: ±10ppm/°C,

RN73C1E2K26BTG

RN73C1E2K26BTG

частка акцыі: 68122

Супраціўленне: 2.26 kOhms, Талерантнасць: ±0.1%, Магутнасць (Вт): 0.063W, 1/16W, Склад: Thin Film, Тэмпературны каэфіцыент: ±10ppm/°C,

RN73C1E4K12BTG

RN73C1E4K12BTG

частка акцыі: 68126

Супраціўленне: 4.12 kOhms, Талерантнасць: ±0.1%, Магутнасць (Вт): 0.063W, 1/16W, Склад: Thin Film, Тэмпературны каэфіцыент: ±10ppm/°C,

RN73C1E5K49BTG

RN73C1E5K49BTG

частка акцыі: 68124

Супраціўленне: 5.49 kOhms, Талерантнасць: ±0.1%, Магутнасць (Вт): 0.063W, 1/16W, Склад: Thin Film, Тэмпературны каэфіцыент: ±10ppm/°C,

RN73C1E1K91BTG

RN73C1E1K91BTG

частка акцыі: 68038

Супраціўленне: 1.91 kOhms, Талерантнасць: ±0.1%, Магутнасць (Вт): 0.063W, 1/16W, Склад: Thin Film, Тэмпературны каэфіцыент: ±10ppm/°C,

RN73C2A665RBTDF

RN73C2A665RBTDF

частка акцыі: 193122

Супраціўленне: 665 Ohms, Талерантнасць: ±0.1%, Магутнасць (Вт): 0.1W, 1/10W, Склад: Thin Film, Тэмпературны каэфіцыент: ±10ppm/°C,

RN73C2B102KATD

RN73C2B102KATD

частка акцыі: 104213

Супраціўленне: 102 kOhms, Талерантнасць: ±0.05%, Магутнасць (Вт): 0.125W, 1/8W, Склад: Thin Film, Тэмпературны каэфіцыент: ±10ppm/°C,

SMF520KJT

SMF520KJT

частка акцыі: 149771

Супраціўленне: 20 kOhms, Талерантнасць: ±5%, Магутнасць (Вт): 5W, Склад: Metal Film, Асаблівасці: Flame Retardant Coating, Safety, Тэмпературны каэфіцыент: ±100ppm/°C,

RN73C2B40K2BTG

RN73C2B40K2BTG

частка акцыі: 71667

Супраціўленне: 40.2 kOhms, Талерантнасць: ±0.1%, Магутнасць (Вт): 0.125W, 1/8W, Склад: Thin Film, Тэмпературны каэфіцыент: ±10ppm/°C,

CRGCQ0805F390K

CRGCQ0805F390K

частка акцыі: 162212

Супраціўленне: 390 kOhms, Талерантнасць: ±1%, Магутнасць (Вт): 0.125W, 1/8W, Склад: Thick Film, Асаблівасці: Automotive AEC-Q200, Moisture Resistant, Тэмпературны каэфіцыент: ±100ppm/°C,

RN73C2B16KBTG

RN73C2B16KBTG

частка акцыі: 71664

Супраціўленне: 16 kOhms, Талерантнасць: ±0.1%, Магутнасць (Вт): 0.125W, 1/8W, Склад: Thin Film, Тэмпературны каэфіцыент: ±10ppm/°C,

RN73C2B5K49BTG

RN73C2B5K49BTG

частка акцыі: 71631

Супраціўленне: 5.49 kOhms, Талерантнасць: ±0.1%, Магутнасць (Вт): 0.125W, 1/8W, Склад: Thin Film, Тэмпературны каэфіцыент: ±10ppm/°C,

RN73C2B34KATD

RN73C2B34KATD

частка акцыі: 104168

Супраціўленне: 34 kOhms, Талерантнасць: ±0.05%, Магутнасць (Вт): 0.125W, 1/8W, Склад: Thin Film, Тэмпературны каэфіцыент: ±10ppm/°C,

RN73C2B210KATD

RN73C2B210KATD

частка акцыі: 104215

Супраціўленне: 210 kOhms, Талерантнасць: ±0.05%, Магутнасць (Вт): 0.125W, 1/8W, Склад: Thin Film, Тэмпературны каэфіцыент: ±10ppm/°C,

RN73C1J267RBTG

RN73C1J267RBTG

частка акцыі: 78893

Супраціўленне: 267 Ohms, Талерантнасць: ±0.1%, Магутнасць (Вт): 0.063W, 1/16W, Склад: Thin Film, Тэмпературны каэфіцыент: ±10ppm/°C,

RN73C1J15RBTG

RN73C1J15RBTG

частка акцыі: 78907

Супраціўленне: 15 Ohms, Талерантнасць: ±0.1%, Магутнасць (Вт): 0.063W, 1/16W, Склад: Thin Film, Тэмпературны каэфіцыент: ±10ppm/°C,

RN73C1J2K21BTG

RN73C1J2K21BTG

частка акцыі: 78925

Супраціўленне: 2.21 kOhms, Талерантнасць: ±0.1%, Магутнасць (Вт): 0.063W, 1/16W, Склад: Thin Film, Тэмпературны каэфіцыент: ±10ppm/°C,

RN73C1J20K5BTG

RN73C1J20K5BTG

частка акцыі: 75154

Супраціўленне: 20.5 kOhms, Талерантнасць: ±0.1%, Магутнасць (Вт): 0.063W, 1/16W, Склад: Thin Film, Тэмпературны каэфіцыент: ±10ppm/°C,

RN73C1J15K8BTG

RN73C1J15K8BTG

частка акцыі: 78913

Супраціўленне: 15.8 kOhms, Талерантнасць: ±0.1%, Магутнасць (Вт): 0.063W, 1/16W, Склад: Thin Film, Тэмпературны каэфіцыент: ±10ppm/°C,

RN73C1J18K2BTG

RN73C1J18K2BTG

частка акцыі: 78908

Супраціўленне: 18.2 kOhms, Талерантнасць: ±0.1%, Магутнасць (Вт): 0.063W, 1/16W, Склад: Thin Film, Тэмпературны каэфіцыент: ±10ppm/°C,

RN73C1J25K5BTG

RN73C1J25K5BTG

частка акцыі: 75166

Супраціўленне: 25.5 kOhms, Талерантнасць: ±0.1%, Магутнасць (Вт): 0.063W, 1/16W, Склад: Thin Film, Тэмпературны каэфіцыент: ±10ppm/°C,

RN73C1J1K5BTG

RN73C1J1K5BTG

частка акцыі: 78983

Супраціўленне: 1.5 kOhms, Талерантнасць: ±0.1%, Магутнасць (Вт): 0.063W, 1/16W, Склад: Thin Film, Тэмпературны каэфіцыент: ±10ppm/°C,

RN73C1J374RBTG

RN73C1J374RBTG

частка акцыі: 78948

Супраціўленне: 374 Ohms, Талерантнасць: ±0.1%, Магутнасць (Вт): 0.063W, 1/16W, Склад: Thin Film, Тэмпературны каэфіцыент: ±10ppm/°C,

RN73C1J45K3BTG

RN73C1J45K3BTG

частка акцыі: 78890

Супраціўленне: 45.3 kOhms, Талерантнасць: ±0.1%, Магутнасць (Вт): 0.063W, 1/16W, Склад: Thin Film, Тэмпературны каэфіцыент: ±10ppm/°C,

RN73C1J8K45BTG

RN73C1J8K45BTG

частка акцыі: 75151

Супраціўленне: 8.45 kOhms, Талерантнасць: ±0.1%, Магутнасць (Вт): 0.063W, 1/16W, Склад: Thin Film, Тэмпературны каэфіцыент: ±10ppm/°C,

RN73C1J3K32BTG

RN73C1J3K32BTG

частка акцыі: 75201

Супраціўленне: 3.32 kOhms, Талерантнасць: ±0.1%, Магутнасць (Вт): 0.063W, 1/16W, Склад: Thin Film, Тэмпературны каэфіцыент: ±10ppm/°C,

RN73C2A35K7ATD

RN73C2A35K7ATD

частка акцыі: 112050

Супраціўленне: 35.7 kOhms, Талерантнасць: ±0.05%, Магутнасць (Вт): 0.1W, 1/10W, Склад: Thin Film, Тэмпературны каэфіцыент: ±10ppm/°C,

RN73C1J2K1BTG

RN73C1J2K1BTG

частка акцыі: 78900

Супраціўленне: 2.1 kOhms, Талерантнасць: ±0.1%, Магутнасць (Вт): 0.063W, 1/16W, Склад: Thin Film, Тэмпературны каэфіцыент: ±10ppm/°C,