Чып-рэзістар - павярхоўнае мацаванне

RN73C2A78K7BTG

RN73C2A78K7BTG

частка акцыі: 78924

Супраціўленне: 78.7 kOhms, Талерантнасць: ±0.1%, Магутнасць (Вт): 0.1W, 1/10W, Склад: Thin Film, Тэмпературны каэфіцыент: ±10ppm/°C,

RN73C1J26R7BTG

RN73C1J26R7BTG

частка акцыі: 78974

Супраціўленне: 26.7 Ohms, Талерантнасць: ±0.1%, Магутнасць (Вт): 0.063W, 1/16W, Склад: Thin Film, Тэмпературны каэфіцыент: ±10ppm/°C,

RN73C2A64K9BTG

RN73C2A64K9BTG

частка акцыі: 78964

Супраціўленне: 64.9 kOhms, Талерантнасць: ±0.1%, Магутнасць (Вт): 0.1W, 1/10W, Склад: Thin Film, Тэмпературны каэфіцыент: ±10ppm/°C,

RN73C2A13R3BTG

RN73C2A13R3BTG

частка акцыі: 78951

Супраціўленне: 13.3 Ohms, Талерантнасць: ±0.1%, Магутнасць (Вт): 0.1W, 1/10W, Склад: Thin Film, Тэмпературны каэфіцыент: ±10ppm/°C,

RN73C2A30R1BTG

RN73C2A30R1BTG

частка акцыі: 78891

Супраціўленне: 30.1 Ohms, Талерантнасць: ±0.1%, Магутнасць (Вт): 0.1W, 1/10W, Склад: Thin Film, Тэмпературны каэфіцыент: ±10ppm/°C,

RN73C2A124KBTG

RN73C2A124KBTG

частка акцыі: 78974

Супраціўленне: 124 kOhms, Талерантнасць: ±0.1%, Магутнасць (Вт): 0.1W, 1/10W, Склад: Thin Film, Тэмпературны каэфіцыент: ±10ppm/°C,

RN73C1J11R8BTG

RN73C1J11R8BTG

частка акцыі: 78886

Супраціўленне: 11.8 Ohms, Талерантнасць: ±0.1%, Магутнасць (Вт): 0.063W, 1/16W, Склад: Thin Film, Тэмпературны каэфіцыент: ±10ppm/°C,

TLRS105040PR001FTDG

TLRS105040PR001FTDG

частка акцыі: 77665

Супраціўленне: 1 mOhms, Талерантнасць: ±1%, Магутнасць (Вт): 4W, Склад: Metal Element, Асаблівасці: Current Sense, Moisture Resistant, Тэмпературны каэфіцыент: ±60ppm/°C,

RN73C2A26K7BTG

RN73C2A26K7BTG

частка акцыі: 75136

Супраціўленне: 26.7 kOhms, Талерантнасць: ±0.1%, Магутнасць (Вт): 0.1W, 1/10W, Склад: Thin Film, Тэмпературны каэфіцыент: ±10ppm/°C,

RN73C2A44R2BTG

RN73C2A44R2BTG

частка акцыі: 78950

Супраціўленне: 44.2 Ohms, Талерантнасць: ±0.1%, Магутнасць (Вт): 0.1W, 1/10W, Склад: Thin Film, Тэмпературны каэфіцыент: ±10ppm/°C,

RN73C1J130RBTG

RN73C1J130RBTG

частка акцыі: 78934

Супраціўленне: 130 Ohms, Талерантнасць: ±0.1%, Магутнасць (Вт): 0.063W, 1/16W, Склад: Thin Film, Тэмпературны каэфіцыент: ±10ppm/°C,

RN73C2A1K91BTG

RN73C2A1K91BTG

частка акцыі: 78941

Супраціўленне: 1.91 kOhms, Талерантнасць: ±0.1%, Магутнасць (Вт): 0.1W, 1/10W, Склад: Thin Film, Тэмпературны каэфіцыент: ±10ppm/°C,

RN73C2A16R5BTG

RN73C2A16R5BTG

частка акцыі: 78897

Супраціўленне: 16.5 Ohms, Талерантнасць: ±0.1%, Магутнасць (Вт): 0.1W, 1/10W, Склад: Thin Film, Тэмпературны каэфіцыент: ±10ppm/°C,

RN73C1J24R3BTG

RN73C1J24R3BTG

частка акцыі: 78903

Супраціўленне: 24.3 Ohms, Талерантнасць: ±0.1%, Магутнасць (Вт): 0.063W, 1/16W, Склад: Thin Film, Тэмпературны каэфіцыент: ±10ppm/°C,

RN73C1J5K49BTG

RN73C1J5K49BTG

частка акцыі: 78888

Супраціўленне: 5.49 kOhms, Талерантнасць: ±0.1%, Магутнасць (Вт): 0.063W, 1/16W, Склад: Thin Film, Тэмпературны каэфіцыент: ±10ppm/°C,

RN73C1J133KBTG

RN73C1J133KBTG

частка акцыі: 78941

Супраціўленне: 133 kOhms, Талерантнасць: ±0.1%, Магутнасць (Вт): 0.063W, 1/16W, Склад: Thin Film, Тэмпературны каэфіцыент: ±10ppm/°C,

RN73C2A11KBTG

RN73C2A11KBTG

частка акцыі: 78944

Супраціўленне: 11 kOhms, Талерантнасць: ±0.1%, Магутнасць (Вт): 0.1W, 1/10W, Склад: Thin Film, Тэмпературны каэфіцыент: ±10ppm/°C,

RN73C2A127RBTG

RN73C2A127RBTG

частка акцыі: 78975

Супраціўленне: 127 Ohms, Талерантнасць: ±0.1%, Магутнасць (Вт): 0.1W, 1/10W, Склад: Thin Film, Тэмпературны каэфіцыент: ±10ppm/°C,

RN73C2A60K4BTG

RN73C2A60K4BTG

частка акцыі: 78923

Супраціўленне: 60.4 kOhms, Талерантнасць: ±0.1%, Магутнасць (Вт): 0.1W, 1/10W, Склад: Thin Film, Тэмпературны каэфіцыент: ±10ppm/°C,

RN73C2A499RBTDG

RN73C2A499RBTDG

частка акцыі: 78910

Супраціўленне: 499 Ohms, Талерантнасць: ±0.1%, Магутнасць (Вт): 0.1W, 1/10W, Склад: Thin Film, Тэмпературны каэфіцыент: ±10ppm/°C,

RN73C1J2K61BTG

RN73C1J2K61BTG

частка акцыі: 78916

Супраціўленне: 2.61 kOhms, Талерантнасць: ±0.1%, Магутнасць (Вт): 0.063W, 1/16W, Склад: Thin Film, Тэмпературны каэфіцыент: ±10ppm/°C,

RN73C2A470KBTG

RN73C2A470KBTG

частка акцыі: 78938

Супраціўленне: 470 kOhms, Талерантнасць: ±0.1%, Магутнасць (Вт): 0.1W, 1/10W, Склад: Thin Film, Тэмпературны каэфіцыент: ±10ppm/°C,

RN73C1J42R2BTG

RN73C1J42R2BTG

частка акцыі: 78902

Супраціўленне: 42.2 Ohms, Талерантнасць: ±0.1%, Магутнасць (Вт): 0.063W, 1/16W, Склад: Thin Film, Тэмпературны каэфіцыент: ±10ppm/°C,

RN73C2A3K92BTG

RN73C2A3K92BTG

частка акцыі: 78940

Супраціўленне: 3.92 kOhms, Талерантнасць: ±0.1%, Магутнасць (Вт): 0.1W, 1/10W, Склад: Thin Film, Тэмпературны каэфіцыент: ±10ppm/°C,

RN73C2A1K43BTG

RN73C2A1K43BTG

частка акцыі: 78938

Супраціўленне: 1.43 kOhms, Талерантнасць: ±0.1%, Магутнасць (Вт): 0.1W, 1/10W, Склад: Thin Film, Тэмпературны каэфіцыент: ±10ppm/°C,

RN73C2A93R1BTG

RN73C2A93R1BTG

частка акцыі: 78983

Супраціўленне: 93.1 Ohms, Талерантнасць: ±0.1%, Магутнасць (Вт): 0.1W, 1/10W, Склад: Thin Film, Тэмпературны каэфіцыент: ±10ppm/°C,

RN73C2A110KBTG

RN73C2A110KBTG

частка акцыі: 78915

Супраціўленне: 110 kOhms, Талерантнасць: ±0.1%, Магутнасць (Вт): 0.1W, 1/10W, Склад: Thin Film, Тэмпературны каэфіцыент: ±10ppm/°C,

RN73C1J2K74BTG

RN73C1J2K74BTG

частка акцыі: 78972

Супраціўленне: 2.74 kOhms, Талерантнасць: ±0.1%, Магутнасць (Вт): 0.063W, 1/16W, Склад: Thin Film, Тэмпературны каэфіцыент: ±10ppm/°C,

RN73C2A5K1BTG

RN73C2A5K1BTG

частка акцыі: 78956

Супраціўленне: 5.1 kOhms, Талерантнасць: ±0.1%, Магутнасць (Вт): 0.1W, 1/10W, Склад: Thin Film, Тэмпературны каэфіцыент: ±10ppm/°C,

RN73C2A5K62BTG

RN73C2A5K62BTG

частка акцыі: 78923

Супраціўленне: 5.62 kOhms, Талерантнасць: ±0.1%, Магутнасць (Вт): 0.1W, 1/10W, Склад: Thin Film, Тэмпературны каэфіцыент: ±10ppm/°C,

RN73C2A3K16BTG

RN73C2A3K16BTG

частка акцыі: 78961

Супраціўленне: 3.16 kOhms, Талерантнасць: ±0.1%, Магутнасць (Вт): 0.1W, 1/10W, Склад: Thin Film, Тэмпературны каэфіцыент: ±10ppm/°C,

RN73C2A1K78BTG

RN73C2A1K78BTG

частка акцыі: 97987

Супраціўленне: 1.78 kOhms, Талерантнасць: ±0.1%, Магутнасць (Вт): 0.1W, 1/10W, Склад: Thin Film, Тэмпературны каэфіцыент: ±10ppm/°C,

RN73C1J84R5BTG

RN73C1J84R5BTG

частка акцыі: 78942

Супраціўленне: 84.5 Ohms, Талерантнасць: ±0.1%, Магутнасць (Вт): 0.063W, 1/16W, Склад: Thin Film, Тэмпературны каэфіцыент: ±10ppm/°C,

RN73C2A18K2BTG

RN73C2A18K2BTG

частка акцыі: 78964

Супраціўленне: 18.2 kOhms, Талерантнасць: ±0.1%, Магутнасць (Вт): 0.1W, 1/10W, Склад: Thin Film, Тэмпературны каэфіцыент: ±10ppm/°C,

RN73C1J137RBTG

RN73C1J137RBTG

частка акцыі: 78950

Супраціўленне: 137 Ohms, Талерантнасць: ±0.1%, Магутнасць (Вт): 0.063W, 1/16W, Склад: Thin Film, Тэмпературны каэфіцыент: ±10ppm/°C,

RN73C2A17K4BTG

RN73C2A17K4BTG

частка акцыі: 78923

Супраціўленне: 17.4 kOhms, Талерантнасць: ±0.1%, Магутнасць (Вт): 0.1W, 1/10W, Склад: Thin Film, Тэмпературны каэфіцыент: ±10ppm/°C,