Чып-рэзістар - павярхоўнае мацаванне

RN73C1J200RBTG

RN73C1J200RBTG

частка акцыі: 43630

Супраціўленне: 200 Ohms, Талерантнасць: ±0.1%, Магутнасць (Вт): 0.063W, 1/16W, Склад: Thin Film, Тэмпературны каэфіцыент: ±10ppm/°C,

RN73C2A1K13BTG

RN73C2A1K13BTG

частка акцыі: 43592

Супраціўленне: 1.13 kOhms, Талерантнасць: ±0.1%, Магутнасць (Вт): 0.1W, 1/10W, Склад: Thin Film, Тэмпературны каэфіцыент: ±10ppm/°C,

RN73C2A12K7BTG

RN73C2A12K7BTG

частка акцыі: 43662

Супраціўленне: 12.7 kOhms, Талерантнасць: ±0.1%, Магутнасць (Вт): 0.1W, 1/10W, Склад: Thin Film, Тэмпературны каэфіцыент: ±10ppm/°C,

RN73C1J75KBTG

RN73C1J75KBTG

частка акцыі: 78892

Супраціўленне: 75 kOhms, Талерантнасць: ±0.1%, Магутнасць (Вт): 0.063W, 1/16W, Склад: Thin Film, Тэмпературны каэфіцыент: ±10ppm/°C,

RN73C1J511RBTG

RN73C1J511RBTG

частка акцыі: 43636

Супраціўленне: 511 Ohms, Талерантнасць: ±0.1%, Магутнасць (Вт): 0.063W, 1/16W, Склад: Thin Film, Тэмпературны каэфіцыент: ±10ppm/°C,

RN73C2A10KBTG

RN73C2A10KBTG

частка акцыі: 43685

Супраціўленне: 10 kOhms, Талерантнасць: ±0.1%, Магутнасць (Вт): 0.1W, 1/10W, Склад: Thin Film, Тэмпературны каэфіцыент: ±10ppm/°C,

RN73C1J2K0BTG

RN73C1J2K0BTG

частка акцыі: 43629

Супраціўленне: 2 kOhms, Талерантнасць: ±0.1%, Магутнасць (Вт): 0.063W, 1/16W, Склад: Thin Film, Тэмпературны каэфіцыент: ±10ppm/°C,

RN73C2A2K49BTG

RN73C2A2K49BTG

частка акцыі: 43636

Супраціўленне: 2.49 kOhms, Талерантнасць: ±0.1%, Магутнасць (Вт): 0.1W, 1/10W, Склад: Thin Film, Тэмпературны каэфіцыент: ±10ppm/°C,

RN73C2A619RBTG

RN73C2A619RBTG

частка акцыі: 43661

Супраціўленне: 619 Ohms, Талерантнасць: ±0.1%, Магутнасць (Вт): 0.1W, 1/10W, Склад: Thin Film, Тэмпературны каэфіцыент: ±10ppm/°C,

RN73C2A28KBTG

RN73C2A28KBTG

частка акцыі: 43684

Супраціўленне: 28 kOhms, Талерантнасць: ±0.1%, Магутнасць (Вт): 0.1W, 1/10W, Склад: Thin Film, Тэмпературны каэфіцыент: ±10ppm/°C,

RN73C1J61R9BTG

RN73C1J61R9BTG

частка акцыі: 43664

Супраціўленне: 61.9 Ohms, Талерантнасць: ±0.1%, Магутнасць (Вт): 0.063W, 1/16W, Склад: Thin Film, Тэмпературны каэфіцыент: ±10ppm/°C,

RH73U1E10MJTN

RH73U1E10MJTN

частка акцыі: 49662

Супраціўленне: 10 MOhms, Талерантнасць: ±5%, Магутнасць (Вт): 0.05W, 1/20W, Склад: Thick Film, Тэмпературны каэфіцыент: ±250ppm/°C,

RN73C2A86K6BTG

RN73C2A86K6BTG

частка акцыі: 43638

Супраціўленне: 86.6 kOhms, Талерантнасць: ±0.1%, Магутнасць (Вт): 0.1W, 1/10W, Склад: Thin Film, Тэмпературны каэфіцыент: ±10ppm/°C,

RN73C2A237RBTG

RN73C2A237RBTG

частка акцыі: 43646

Супраціўленне: 237 Ohms, Талерантнасць: ±0.1%, Магутнасць (Вт): 0.1W, 1/10W, Склад: Thin Film, Тэмпературны каэфіцыент: ±10ppm/°C,

RN73C1J2K15BTG

RN73C1J2K15BTG

частка акцыі: 43596

Супраціўленне: 2.15 kOhms, Талерантнасць: ±0.1%, Магутнасць (Вт): 0.063W, 1/16W, Склад: Thin Film, Тэмпературны каэфіцыент: ±10ppm/°C,

RN73C2A10RBTG

RN73C2A10RBTG

частка акцыі: 43603

Супраціўленне: 10 Ohms, Талерантнасць: ±0.1%, Магутнасць (Вт): 0.1W, 1/10W, Склад: Thin Film, Тэмпературны каэфіцыент: ±10ppm/°C,

RN73C1J56R2BTG

RN73C1J56R2BTG

частка акцыі: 43624

Супраціўленне: 56.2 Ohms, Талерантнасць: ±0.1%, Магутнасць (Вт): 0.063W, 1/16W, Склад: Thin Film, Тэмпературны каэфіцыент: ±10ppm/°C,

RN73C1J15KBTG

RN73C1J15KBTG

частка акцыі: 43633

Супраціўленне: 15 kOhms, Талерантнасць: ±0.1%, Магутнасць (Вт): 0.063W, 1/16W, Склад: Thin Film, Тэмпературны каэфіцыент: ±10ppm/°C,

RN73C2A34K8BTG

RN73C2A34K8BTG

частка акцыі: 43679

Супраціўленне: 34.8 kOhms, Талерантнасць: ±0.1%, Магутнасць (Вт): 0.1W, 1/10W, Склад: Thin Film, Тэмпературны каэфіцыент: ±10ppm/°C,

RN73C2A47KBTG

RN73C2A47KBTG

частка акцыі: 78903

Супраціўленне: 47 kOhms, Талерантнасць: ±0.1%, Магутнасць (Вт): 0.1W, 1/10W, Склад: Thin Film, Тэмпературны каэфіцыент: ±10ppm/°C,

RN73C1J3K01BTG

RN73C1J3K01BTG

частка акцыі: 43651

Супраціўленне: 3.01 kOhms, Талерантнасць: ±0.1%, Магутнасць (Вт): 0.063W, 1/16W, Склад: Thin Film, Тэмпературны каэфіцыент: ±10ppm/°C,

RH73U2B1G0JTN

RH73U2B1G0JTN

частка акцыі: 47684

Супраціўленне: 1 GOhms, Талерантнасць: ±5%, Магутнасць (Вт): 0.25W, 1/4W, Склад: Thick Film, Тэмпературны каэфіцыент: ±250ppm/°C,

RN73C2A49R9BTG

RN73C2A49R9BTG

частка акцыі: 43604

Супраціўленне: 49.9 Ohms, Талерантнасць: ±0.1%, Магутнасць (Вт): 0.1W, 1/10W, Склад: Thin Film, Тэмпературны каэфіцыент: ±10ppm/°C,

RN73C1J75RBTG

RN73C1J75RBTG

частка акцыі: 43687

Супраціўленне: 75 Ohms, Талерантнасць: ±0.1%, Магутнасць (Вт): 0.063W, 1/16W, Склад: Thin Film, Тэмпературны каэфіцыент: ±10ppm/°C,

RN73C2A340RBTG

RN73C2A340RBTG

частка акцыі: 43659

Супраціўленне: 340 Ohms, Талерантнасць: ±0.1%, Магутнасць (Вт): 0.1W, 1/10W, Склад: Thin Film, Тэмпературны каэфіцыент: ±10ppm/°C,

RN73C1J33K2BTG

RN73C1J33K2BTG

частка акцыі: 43627

Супраціўленне: 33.2 kOhms, Талерантнасць: ±0.1%, Магутнасць (Вт): 0.063W, 1/16W, Склад: Thin Film, Тэмпературны каэфіцыент: ±10ppm/°C,

RN73C2A806RBTG

RN73C2A806RBTG

частка акцыі: 43607

Супраціўленне: 806 Ohms, Талерантнасць: ±0.1%, Магутнасць (Вт): 0.1W, 1/10W, Склад: Thin Film, Тэмпературны каэфіцыент: ±10ppm/°C,

RN73C2A30K9BTG

RN73C2A30K9BTG

частка акцыі: 43657

Супраціўленне: 30.9 kOhms, Талерантнасць: ±0.1%, Магутнасць (Вт): 0.1W, 1/10W, Склад: Thin Film, Тэмпературны каэфіцыент: ±10ppm/°C,

RN73C2A15KBTG

RN73C2A15KBTG

частка акцыі: 43665

Супраціўленне: 15 kOhms, Талерантнасць: ±0.1%, Магутнасць (Вт): 0.1W, 1/10W, Склад: Thin Film, Тэмпературны каэфіцыент: ±10ppm/°C,

RH73X2B10GKTN

RH73X2B10GKTN

частка акцыі: 51021

Супраціўленне: 10 GOhms, Талерантнасць: ±10%, Магутнасць (Вт): 0.25W, 1/4W, Склад: Thick Film, Тэмпературны каэфіцыент: ±1000ppm/°C,

RN73A2B24KBTG

RN73A2B24KBTG

частка акцыі: 41119

Супраціўленне: 24 kOhms, Талерантнасць: ±0.1%, Магутнасць (Вт): 0.125W, 1/8W, Склад: Thin Film, Тэмпературны каэфіцыент: ±5ppm/°C,

RN73A2B3K01BTG

RN73A2B3K01BTG

частка акцыі: 41180

Супраціўленне: 3.01 kOhms, Талерантнасць: ±0.1%, Магутнасць (Вт): 0.125W, 1/8W, Склад: Thin Film, Тэмпературны каэфіцыент: ±5ppm/°C,

RN73A2B825RBTG

RN73A2B825RBTG

частка акцыі: 41206

Супраціўленне: 825 Ohms, Талерантнасць: ±0.1%, Магутнасць (Вт): 0.125W, 1/8W, Склад: Thin Film, Тэмпературны каэфіцыент: ±5ppm/°C,

RN73A2B499RBTG

RN73A2B499RBTG

частка акцыі: 41175

Супраціўленне: 499 Ohms, Талерантнасць: ±0.1%, Магутнасць (Вт): 0.125W, 1/8W, Склад: Thin Film, Тэмпературны каэфіцыент: ±5ppm/°C,

RN73A1J1K24BTG

RN73A1J1K24BTG

частка акцыі: 47128

Супраціўленне: 1.24 kOhms, Талерантнасць: ±0.1%, Магутнасць (Вт): 0.063W, 1/16W, Склад: Thin Film, Тэмпературны каэфіцыент: ±5ppm/°C,

RN73A2B3?09BTG

RN73A2B3?09BTG

частка акцыі: 41192

Супраціўленне: 3.09 kOhms, Талерантнасць: ±0.1%, Магутнасць (Вт): 0.125W, 1/8W, Склад: Thin Film, Тэмпературны каэфіцыент: ±5ppm/°C,