Чып-рэзістар - павярхоўнае мацаванне

RN73A2A10KBTG

RN73A2A10KBTG

частка акцыі: 30619

Супраціўленне: 10 kOhms, Талерантнасць: ±0.1%, Магутнасць (Вт): 0.1W, 1/10W, Склад: Thin Film, Тэмпературны каэфіцыент: ±5ppm/°C,

CGSSL2R068J

CGSSL2R068J

частка акцыі: 34999

Супраціўленне: 68 mOhms, Талерантнасць: ±5%, Магутнасць (Вт): 2W, Склад: Metal Foil, Асаблівасці: Current Sense, Moisture Resistant, Тэмпературны каэфіцыент: ±100ppm/°C,

SL1R01JT

SL1R01JT

частка акцыі: 31971

Супраціўленне: 10 mOhms, Талерантнасць: ±5%, Магутнасць (Вт): 1W, Склад: Metal Foil, Асаблівасці: Current Sense, Moisture Resistant, Тэмпературны каэфіцыент: ±100ppm/°C,

SL2R005JT

SL2R005JT

частка акцыі: 35043

Супраціўленне: 5 mOhms, Талерантнасць: ±5%, Магутнасць (Вт): 2W, Склад: Metal Foil, Асаблівасці: Current Sense, Moisture Resistant, Тэмпературны каэфіцыент: ±100ppm/°C,

CGSSL2R051J

CGSSL2R051J

частка акцыі: 35014

Супраціўленне: 51 mOhms, Талерантнасць: ±5%, Магутнасць (Вт): 2W, Склад: Metal Foil, Асаблівасці: Current Sense, Moisture Resistant, Тэмпературны каэфіцыент: ±100ppm/°C,

SL1R05JT

SL1R05JT

частка акцыі: 32025

Супраціўленне: 50 mOhms, Талерантнасць: ±5%, Магутнасць (Вт): 1W, Склад: Metal Foil, Асаблівасці: Current Sense, Moisture Resistant, Тэмпературны каэфіцыент: ±100ppm/°C,

RN73A2A390RBTG

RN73A2A390RBTG

частка акцыі: 30620

Супраціўленне: 390 Ohms, Талерантнасць: ±0.1%, Магутнасць (Вт): 0.1W, 1/10W, Склад: Thin Film, Тэмпературны каэфіцыент: ±5ppm/°C,

RN73C2B150RATG

RN73C2B150RATG

частка акцыі: 31386

Супраціўленне: 150 Ohms, Талерантнасць: ±0.05%, Магутнасць (Вт): 0.125W, 1/8W, Склад: Thin Film, Тэмпературны каэфіцыент: ±10ppm/°C,

SL1R082JT

SL1R082JT

частка акцыі: 25922

CGSSL2R015J

CGSSL2R015J

частка акцыі: 35016

Супраціўленне: 15 mOhms, Талерантнасць: ±5%, Магутнасць (Вт): 2W, Склад: Metal Foil, Асаблівасці: Current Sense, Moisture Resistant, Тэмпературны каэфіцыент: ±100ppm/°C,

CGSSL2R033J

CGSSL2R033J

частка акцыі: 34984

Супраціўленне: 33 mOhms, Талерантнасць: ±5%, Магутнасць (Вт): 2W, Склад: Metal Foil, Асаблівасці: Current Sense, Moisture Resistant, Тэмпературны каэфіцыент: ±100ppm/°C,

CGSSL1R047J

CGSSL1R047J

частка акцыі: 31976

Супраціўленне: 47 mOhms, Талерантнасць: ±5%, Магутнасць (Вт): 1W, Склад: Metal Foil, Асаблівасці: Current Sense, Moisture Resistant, Тэмпературны каэфіцыент: ±100ppm/°C,

SL1R051JT

SL1R051JT

частка акцыі: 32027

Супраціўленне: 51 mOhms, Талерантнасць: ±5%, Магутнасць (Вт): 1W, Склад: Metal Foil, Асаблівасці: Current Sense, Moisture Resistant, Тэмпературны каэфіцыент: ±100ppm/°C,

CGSSL1R01J

CGSSL1R01J

частка акцыі: 31991

Супраціўленне: 10 mOhms, Талерантнасць: ±5%, Магутнасць (Вт): 1W, Склад: Metal Foil, Асаблівасці: Current Sense, Moisture Resistant, Тэмпературны каэфіцыент: ±100ppm/°C,

RH73W2A1G0JTN

RH73W2A1G0JTN

частка акцыі: 42417

Супраціўленне: 1 GOhms, Талерантнасць: ±5%, Магутнасць (Вт): 0.125W, 1/8W, Склад: Thick Film, Тэмпературны каэфіцыент: ±500ppm/°C,

RH73U1J1G0KTN

RH73U1J1G0KTN

частка акцыі: 45315

Супраціўленне: 1 GOhms, Талерантнасць: ±10%, Магутнасць (Вт): 0.075W, Склад: Thick Film, Тэмпературны каэфіцыент: ±250ppm/°C,

RN73C2A10KLTDF

RN73C2A10KLTDF

частка акцыі: 39989

Супраціўленне: 10 kOhms, Талерантнасць: ±0.01%, Магутнасць (Вт): 0.1W, 1/10W, Склад: Thin Film, Тэмпературны каэфіцыент: ±10ppm/°C,

RN73C2A2K0LTDF

RN73C2A2K0LTDF

частка акцыі: 35194

Супраціўленне: 2 kOhms, Талерантнасць: ±0.01%, Магутнасць (Вт): 0.1W, 1/10W, Склад: Thin Film, Тэмпературны каэфіцыент: ±10ppm/°C,

RN73C2A1K27LTDF

RN73C2A1K27LTDF

частка акцыі: 39940

Супраціўленне: 1.27 kOhms, Талерантнасць: ±0.01%, Магутнасць (Вт): 0.1W, 1/10W, Склад: Thin Film, Тэмпературны каэфіцыент: ±10ppm/°C,

RN73C2A5K9LTDF

RN73C2A5K9LTDF

частка акцыі: 40023

Супраціўленне: 5.9 kOhms, Талерантнасць: ±0.01%, Магутнасць (Вт): 0.1W, 1/10W, Склад: Thin Film, Тэмпературны каэфіцыент: ±10ppm/°C,

RN73C2A1K0LTDF

RN73C2A1K0LTDF

частка акцыі: 40011

Супраціўленне: 1 kOhms, Талерантнасць: ±0.01%, Магутнасць (Вт): 0.1W, 1/10W, Склад: Thin Film, Тэмпературны каэфіцыент: ±10ppm/°C,

RN73C1J10KLTDF

RN73C1J10KLTDF

частка акцыі: 39980

Супраціўленне: 10 kOhms, Талерантнасць: ±0.01%, Магутнасць (Вт): 0.063W, 1/16W, Склад: Thin Film, Тэмпературны каэфіцыент: ±10ppm/°C,

RN73C2A100KLTDF

RN73C2A100KLTDF

частка акцыі: 39945

Супраціўленне: 100 kOhms, Талерантнасць: ±0.01%, Магутнасць (Вт): 0.1W, 1/10W, Склад: Thin Film, Тэмпературны каэфіцыент: ±10ppm/°C,

RH73X2A20GNTN

RH73X2A20GNTN

частка акцыі: 44359

Супраціўленне: 20 GOhms, Талерантнасць: ±30%, Магутнасць (Вт): 0.125W, 1/8W, Склад: Thick Film, Тэмпературны каэфіцыент: ±1000ppm/°C,

RN73C2A102KLTDF

RN73C2A102KLTDF

частка акцыі: 40017

Супраціўленне: 102 kOhms, Талерантнасць: ±0.01%, Магутнасць (Вт): 0.1W, 1/10W, Склад: Thin Film, Тэмпературны каэфіцыент: ±10ppm/°C,

RN73C1J100RBTG

RN73C1J100RBTG

частка акцыі: 43646

Супраціўленне: 100 Ohms, Талерантнасць: ±0.1%, Магутнасць (Вт): 0.063W, 1/16W, Склад: Thin Film, Тэмпературны каэфіцыент: ±10ppm/°C,

RN73C1J4K99BTG

RN73C1J4K99BTG

частка акцыі: 43664

Супраціўленне: 4.99 kOhms, Талерантнасць: ±0.1%, Магутнасць (Вт): 0.063W, 1/16W, Склад: Thin Film, Тэмпературны каэфіцыент: ±10ppm/°C,

RN73C2A20KBTG

RN73C2A20KBTG

частка акцыі: 43641

Супраціўленне: 20 kOhms, Талерантнасць: ±0.1%, Магутнасць (Вт): 0.1W, 1/10W, Склад: Thin Film, Тэмпературны каэфіцыент: ±10ppm/°C,

RN73C1J49R9BTG

RN73C1J49R9BTG

частка акцыі: 43610

Супраціўленне: 49.9 Ohms, Талерантнасць: ±0.1%, Магутнасць (Вт): 0.063W, 1/16W, Склад: Thin Film, Тэмпературны каэфіцыент: ±10ppm/°C,

RN73C2A100RBTG

RN73C2A100RBTG

частка акцыі: 43626

Супраціўленне: 100 Ohms, Талерантнасць: ±0.1%, Магутнасць (Вт): 0.1W, 1/10W, Склад: Thin Film, Тэмпературны каэфіцыент: ±10ppm/°C,

RN73C2A2K0BTG

RN73C2A2K0BTG

частка акцыі: 43678

Супраціўленне: 2 kOhms, Талерантнасць: ±0.1%, Магутнасць (Вт): 0.1W, 1/10W, Склад: Thin Film, Тэмпературны каэфіцыент: ±10ppm/°C,

RN73C1J499RBTG

RN73C1J499RBTG

частка акцыі: 43668

Супраціўленне: 499 Ohms, Талерантнасць: ±0.1%, Магутнасць (Вт): 0.063W, 1/16W, Склад: Thin Film, Тэмпературны каэфіцыент: ±10ppm/°C,

RN73C2A953RBTG

RN73C2A953RBTG

частка акцыі: 43596

Супраціўленне: 953 Ohms, Талерантнасць: ±0.1%, Магутнасць (Вт): 0.1W, 1/10W, Склад: Thin Film, Тэмпературны каэфіцыент: ±10ppm/°C,

RN73C2A2K37BTG

RN73C2A2K37BTG

частка акцыі: 78926

Супраціўленне: 2.37 kOhms, Талерантнасць: ±0.1%, Магутнасць (Вт): 0.1W, 1/10W, Склад: Thin Film, Тэмпературны каэфіцыент: ±10ppm/°C,

RN73C2A1K0BTG

RN73C2A1K0BTG

частка акцыі: 43655

Супраціўленне: 1 kOhms, Талерантнасць: ±0.1%, Магутнасць (Вт): 0.1W, 1/10W, Склад: Thin Film, Тэмпературны каэфіцыент: ±10ppm/°C,

RN73C2A20RBTG

RN73C2A20RBTG

частка акцыі: 43619

Супраціўленне: 20 Ohms, Талерантнасць: ±0.1%, Магутнасць (Вт): 0.1W, 1/10W, Склад: Thin Film, Тэмпературны каэфіцыент: ±10ppm/°C,