Дыёды - стабилитроны - адзінкавыя

BZT52B3V0S RRG

BZT52B3V0S RRG

частка акцыі: 227

Напружанне - стабілітрон (Nom) (Vz): 3V, Талерантнасць: ±2%, Магутнасць - Макс: 200mW, Імпеданс (макс.) (Zzt): 100 Ohms, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 9µA @ 1V, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1V @ 10mA,

BZT52C3V0K RKG

BZT52C3V0K RKG

частка акцыі: 204

Напружанне - стабілітрон (Nom) (Vz): 3V, Талерантнасць: ±5%, Магутнасць - Макс: 200mW, Імпеданс (макс.) (Zzt): 100 Ohms, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 50µA @ 1V,

BZT52B68S RRG

BZT52B68S RRG

частка акцыі: 195

Напружанне - стабілітрон (Nom) (Vz): 68V, Талерантнасць: ±2%, Магутнасць - Макс: 200mW, Імпеданс (макс.) (Zzt): 240 Ohms, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 45nA @ 47.6V, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1V @ 10mA,

BZT52C15-G RHG

BZT52C15-G RHG

частка акцыі: 183

Напружанне - стабілітрон (Nom) (Vz): 15V, Талерантнасць: ±5%, Магутнасць - Макс: 350mW, Імпеданс (макс.) (Zzt): 30 Ohms, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 100nA @ 10.5V, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 900mV @ 10mA,

BZT52B8V2-G RHG

BZT52B8V2-G RHG

частка акцыі: 252

Напружанне - стабілітрон (Nom) (Vz): 8.2V, Талерантнасць: ±2%, Магутнасць - Макс: 410mW, Імпеданс (макс.) (Zzt): 15 Ohms, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 700nA @ 5V, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 900mV @ 10mA,

BZT52C11S RRG

BZT52C11S RRG

частка акцыі: 255

Напружанне - стабілітрон (Nom) (Vz): 11V, Талерантнасць: ±5%, Магутнасць - Макс: 200mW, Імпеданс (макс.) (Zzt): 20 Ohms, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 90nA @ 8V, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1V @ 10mA,

BZX84C30 RFG

BZX84C30 RFG

частка акцыі: 250

Напружанне - стабілітрон (Nom) (Vz): 30V, Талерантнасць: ±5%, Магутнасць - Макс: 300mW, Імпеданс (макс.) (Zzt): 80 Ohms, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 100nA @ 21V, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 900mV @ 10mA,

BZT52B12S RRG

BZT52B12S RRG

частка акцыі: 216

Напружанне - стабілітрон (Nom) (Vz): 12V, Талерантнасць: ±2%, Магутнасць - Макс: 200mW, Імпеданс (макс.) (Zzt): 25 Ohms, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 90nA @ 8V, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1V @ 10mA,

BZT52C6V2S RRG

BZT52C6V2S RRG

частка акцыі: 183

Напружанне - стабілітрон (Nom) (Vz): 6.2V, Талерантнасць: ±5%, Магутнасць - Макс: 200mW, Імпеданс (макс.) (Zzt): 10 Ohms, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 2.7µA @ 4V, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1V @ 10mA,

BZX84C4V3 RFG

BZX84C4V3 RFG

частка акцыі: 222

Напружанне - стабілітрон (Nom) (Vz): 4.3V, Талерантнасць: ±5%, Магутнасць - Макс: 300mW, Імпеданс (макс.) (Zzt): 90 Ohms, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 3µA @ 1V, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 900mV @ 10mA,

BZX84C10 RFG

BZX84C10 RFG

частка акцыі: 205

Напружанне - стабілітрон (Nom) (Vz): 10V, Талерантнасць: ±5%, Магутнасць - Макс: 300mW, Імпеданс (макс.) (Zzt): 20 Ohms, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 200nA @ 7V, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 900mV @ 10mA,

BZT52B3V3S RRG

BZT52B3V3S RRG

частка акцыі: 173

Напружанне - стабілітрон (Nom) (Vz): 3.3V, Талерантнасць: ±2%, Магутнасць - Макс: 200mW, Імпеданс (макс.) (Zzt): 95 Ohms, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 4.5µA @ 1V, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1V @ 10mA,

BZT52B4V3S RRG

BZT52B4V3S RRG

частка акцыі: 247

Напружанне - стабілітрон (Nom) (Vz): 4.3V, Талерантнасць: ±2%, Магутнасць - Макс: 200mW, Імпеданс (макс.) (Zzt): 90 Ohms, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 2.7µA @ 1V, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1V @ 10mA,

BZT52B30-G RHG

BZT52B30-G RHG

частка акцыі: 253

Напружанне - стабілітрон (Nom) (Vz): 30V, Талерантнасць: ±2%, Магутнасць - Макс: 410mW, Імпеданс (макс.) (Zzt): 80 Ohms, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 100nA @ 21V, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 900mV @ 10mA,

BZT52C4V7K RKG

BZT52C4V7K RKG

частка акцыі: 264

Напружанне - стабілітрон (Nom) (Vz): 4.7V, Талерантнасць: ±5%, Магутнасць - Макс: 200mW, Імпеданс (макс.) (Zzt): 80 Ohms, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 2µA @ 1V,

BZT52B9V1 RHG

BZT52B9V1 RHG

частка акцыі: 173

Напружанне - стабілітрон (Nom) (Vz): 9.1V, Талерантнасць: ±2%, Магутнасць - Макс: 500mW, Імпеданс (макс.) (Zzt): 15 Ohms, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 450nA @ 6V, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1V @ 10mA,

BZT52C12K RKG

BZT52C12K RKG

частка акцыі: 229

Напружанне - стабілітрон (Nom) (Vz): 12V, Талерантнасць: ±5%, Магутнасць - Макс: 200mW, Імпеданс (макс.) (Zzt): 25 Ohms, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 100nA @ 9V,

BZT52B8V2 RHG

BZT52B8V2 RHG

частка акцыі: 169

Напружанне - стабілітрон (Nom) (Vz): 8.2V, Талерантнасць: ±2%, Магутнасць - Макс: 500mW, Імпеданс (макс.) (Zzt): 15 Ohms, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 630nA @ 5V, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1V @ 10mA,

BZT52B2V7-G RHG

BZT52B2V7-G RHG

частка акцыі: 229

Напружанне - стабілітрон (Nom) (Vz): 2.7V, Талерантнасць: ±2%, Магутнасць - Макс: 410mW, Імпеданс (макс.) (Zzt): 100 Ohms, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 20µA @ 1V, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 900mV @ 10mA,

BZX84C6V8 RFG

BZX84C6V8 RFG

частка акцыі: 255

Напружанне - стабілітрон (Nom) (Vz): 6.8V, Талерантнасць: ±5%, Магутнасць - Макс: 300mW, Імпеданс (макс.) (Zzt): 15 Ohms, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 2µA @ 4V, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 900mV @ 10mA,

BZT52B24-G RHG

BZT52B24-G RHG

частка акцыі: 250

Напружанне - стабілітрон (Nom) (Vz): 24V, Талерантнасць: ±2%, Магутнасць - Макс: 410mW, Імпеданс (макс.) (Zzt): 70 Ohms, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 100nA @ 16.8V, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 900mV @ 10mA,

BZT52B18-G RHG

BZT52B18-G RHG

частка акцыі: 206

Напружанне - стабілітрон (Nom) (Vz): 18V, Талерантнасць: ±2%, Магутнасць - Макс: 410mW, Імпеданс (макс.) (Zzt): 45 Ohms, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 100nA @ 12.6V, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 900mV @ 10mA,

BZT52C18-G RHG

BZT52C18-G RHG

частка акцыі: 236

Напружанне - стабілітрон (Nom) (Vz): 18V, Талерантнасць: ±5%, Магутнасць - Макс: 350mW, Імпеданс (макс.) (Zzt): 45 Ohms, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 100nA @ 12.6V, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 900mV @ 10mA,

BZT52C7V5-G RHG

BZT52C7V5-G RHG

частка акцыі: 227

Напружанне - стабілітрон (Nom) (Vz): 7.5V, Талерантнасць: ±5%, Магутнасць - Макс: 350mW, Імпеданс (макс.) (Zzt): 15 Ohms, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 1µA @ 5V, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 900mV @ 10mA,

BZT52C33 RHG

BZT52C33 RHG

частка акцыі: 185

Напружанне - стабілітрон (Nom) (Vz): 33V, Талерантнасць: ±5%, Магутнасць - Макс: 500mW, Імпеданс (макс.) (Zzt): 80 Ohms, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 45nA @ 23V, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1V @ 10mA,

BZT52B9V1-G RHG

BZT52B9V1-G RHG

частка акцыі: 174

Напружанне - стабілітрон (Nom) (Vz): 9.1V, Талерантнасць: ±2%, Магутнасць - Макс: 410mW, Імпеданс (макс.) (Zzt): 15 Ohms, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 500nA @ 6V, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 900mV @ 10mA,

BZX584B7V5 RSG

BZX584B7V5 RSG

частка акцыі: 256

Напружанне - стабілітрон (Nom) (Vz): 7.5V, Талерантнасць: ±2%, Магутнасць - Макс: 150mW, Імпеданс (макс.) (Zzt): 15 Ohms, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 1µA @ 5V, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 900mV @ 10mA,

BZX84C12 RFG

BZX84C12 RFG

частка акцыі: 208

Напружанне - стабілітрон (Nom) (Vz): 12V, Талерантнасць: ±5%, Магутнасць - Макс: 300mW, Імпеданс (макс.) (Zzt): 25 Ohms, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 100nA @ 8V, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 900mV @ 10mA,

BZT52C68S RRG

BZT52C68S RRG

частка акцыі: 266

Напружанне - стабілітрон (Nom) (Vz): 68V, Талерантнасць: ±5%, Магутнасць - Макс: 200mW, Імпеданс (макс.) (Zzt): 240 Ohms, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 45nA @ 47.6V, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1V @ 10mA,

BZT52C6V8-G RHG

BZT52C6V8-G RHG

частка акцыі: 217

Напружанне - стабілітрон (Nom) (Vz): 6.8V, Талерантнасць: ±5%, Магутнасць - Макс: 350mW, Імпеданс (макс.) (Zzt): 15 Ohms, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 2µA @ 4V, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 900mV @ 10mA,

BZT52C10S RRG

BZT52C10S RRG

частка акцыі: 205

Напружанне - стабілітрон (Nom) (Vz): 10V, Талерантнасць: ±5%, Магутнасць - Макс: 200mW, Імпеданс (макс.) (Zzt): 20 Ohms, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 180nA @ 7V, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1V @ 10mA,

BZT52B20S RRG

BZT52B20S RRG

частка акцыі: 174

Напружанне - стабілітрон (Nom) (Vz): 20V, Талерантнасць: ±2%, Магутнасць - Макс: 200mW, Імпеданс (макс.) (Zzt): 55 Ohms, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 45nA @ 14V, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1V @ 10mA,

BZT52C51K RKG

BZT52C51K RKG

частка акцыі: 247

Напружанне - стабілітрон (Nom) (Vz): 51V, Талерантнасць: ±5%, Магутнасць - Макс: 200mW, Імпеданс (макс.) (Zzt): 180 Ohms, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 1µA @ 39V,

BZT52C30-G RHG

BZT52C30-G RHG

частка акцыі: 172

Напружанне - стабілітрон (Nom) (Vz): 30V, Талерантнасць: ±5%, Магутнасць - Макс: 350mW, Імпеданс (макс.) (Zzt): 80 Ohms, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 100nA @ 21V, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 900mV @ 10mA,

BZT52C4V3-G RHG

BZT52C4V3-G RHG

частка акцыі: 257

Напружанне - стабілітрон (Nom) (Vz): 4.3V, Талерантнасць: ±5%, Магутнасць - Макс: 350mW, Імпеданс (макс.) (Zzt): 90 Ohms, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 3µA @ 1V, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 900mV @ 10mA,

BZT52B16 RHG

BZT52B16 RHG

частка акцыі: 227

Напружанне - стабілітрон (Nom) (Vz): 16V, Талерантнасць: ±2%, Магутнасць - Макс: 500mW, Імпеданс (макс.) (Zzt): 40 Ohms, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 45nA @ 11.2V, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1V @ 10mA,