Дыёды - стабилитроны - адзінкавыя

BZV55B6V2 L0G

BZV55B6V2 L0G

частка акцыі: 208

Напружанне - стабілітрон (Nom) (Vz): 6.2V, Талерантнасць: ±2%, Магутнасць - Макс: 500mW, Імпеданс (макс.) (Zzt): 10 Ohms, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 100nA @ 2V, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1V @ 100mA,

BZT55B9V1 L1G

BZT55B9V1 L1G

частка акцыі: 210

Напружанне - стабілітрон (Nom) (Vz): 9.1V, Талерантнасць: ±2%, Магутнасць - Макс: 500mW, Імпеданс (макс.) (Zzt): 10 Ohms, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 100nA @ 6.8V, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1V @ 10mA,

BZV55C33 L0G

BZV55C33 L0G

частка акцыі: 154

Напружанне - стабілітрон (Nom) (Vz): 33V, Талерантнасць: ±5%, Магутнасць - Макс: 500mW, Імпеданс (макс.) (Zzt): 80 Ohms, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 100nA @ 24V, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1V @ 10mA,

BZT55B10 L1G

BZT55B10 L1G

частка акцыі: 253

Напружанне - стабілітрон (Nom) (Vz): 10V, Талерантнасць: ±2%, Магутнасць - Макс: 500mW, Імпеданс (макс.) (Zzt): 15 Ohms, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 100nA @ 7.5V, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1V @ 10mA,

BZT55B33 L1G

BZT55B33 L1G

частка акцыі: 157

Напружанне - стабілітрон (Nom) (Vz): 33V, Талерантнасць: ±2%, Магутнасць - Макс: 500mW, Імпеданс (макс.) (Zzt): 80 Ohms, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 100nA @ 24V, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1V @ 10mA,

BZT55C6V8 L0G

BZT55C6V8 L0G

частка акцыі: 225

Напружанне - стабілітрон (Nom) (Vz): 6.8V, Талерантнасць: ±5%, Магутнасць - Макс: 500mW, Імпеданс (макс.) (Zzt): 8 Ohms, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 100nA @ 3V, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1V @ 10mA,

BZX84C27 RFG

BZX84C27 RFG

частка акцыі: 202

Напружанне - стабілітрон (Nom) (Vz): 27V, Талерантнасць: ±5%, Магутнасць - Макс: 300mW, Імпеданс (макс.) (Zzt): 80 Ohms, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 100nA @ 18.9V, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 900mV @ 10mA,

BZT52B2V7S RRG

BZT52B2V7S RRG

частка акцыі: 234

Напружанне - стабілітрон (Nom) (Vz): 2.7V, Талерантнасць: ±2%, Магутнасць - Макс: 200mW, Імпеданс (макс.) (Zzt): 100 Ohms, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 18µA @ 1V, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1V @ 10mA,

BZT52C62 RHG

BZT52C62 RHG

частка акцыі: 224

Напружанне - стабілітрон (Nom) (Vz): 62V, Талерантнасць: ±5%, Магутнасць - Макс: 500mW, Імпеданс (макс.) (Zzt): 215 Ohms, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 45nA @ 43.4V, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1V @ 10mA,

BZX84C36 RFG

BZX84C36 RFG

частка акцыі: 200

Напружанне - стабілітрон (Nom) (Vz): 36V, Талерантнасць: ±5%, Магутнасць - Макс: 300mW, Імпеданс (макс.) (Zzt): 90 Ohms, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 100nA @ 25.2V, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 900mV @ 10mA,

BZT52C3V3S RRG

BZT52C3V3S RRG

частка акцыі: 238

Напружанне - стабілітрон (Nom) (Vz): 3.3V, Талерантнасць: ±5%, Магутнасць - Макс: 200mW, Імпеданс (макс.) (Zzt): 95 Ohms, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 4.5µA @ 1V, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1V @ 10mA,

BZX84C5V1 RFG

BZX84C5V1 RFG

частка акцыі: 181

Напружанне - стабілітрон (Nom) (Vz): 5.1V, Талерантнасць: ±5%, Магутнасць - Макс: 300mW, Імпеданс (макс.) (Zzt): 60 Ohms, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 2µA @ 2V, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 900mV @ 10mA,

BZT52C16-G RHG

BZT52C16-G RHG

частка акцыі: 197

Напружанне - стабілітрон (Nom) (Vz): 16V, Талерантнасць: ±5%, Магутнасць - Макс: 350mW, Імпеданс (макс.) (Zzt): 40 Ohms, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 100nA @ 11.2V, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 900mV @ 10mA,

BZT52B75 RHG

BZT52B75 RHG

частка акцыі: 204

Напружанне - стабілітрон (Nom) (Vz): 75V, Талерантнасць: ±2%, Магутнасць - Макс: 500mW, Імпеданс (макс.) (Zzt): 255 Ohms, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 45nA @ 52.5V, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1V @ 10mA,

BZT52B36-G RHG

BZT52B36-G RHG

частка акцыі: 245

Напружанне - стабілітрон (Nom) (Vz): 36V, Талерантнасць: ±2%, Магутнасць - Макс: 410mW, Імпеданс (макс.) (Zzt): 90 Ohms, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 100nA @ 25.2V, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 900mV @ 10mA,

BZT52C36S RRG

BZT52C36S RRG

частка акцыі: 215

Напружанне - стабілітрон (Nom) (Vz): 36V, Талерантнасць: ±5%, Магутнасць - Макс: 200mW, Імпеданс (макс.) (Zzt): 90 Ohms, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 45nA @ 25.2V, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1V @ 10mA,

BZT52B75S RRG

BZT52B75S RRG

частка акцыі: 230

Напружанне - стабілітрон (Nom) (Vz): 75V, Талерантнасць: ±2%, Магутнасць - Макс: 200mW, Імпеданс (макс.) (Zzt): 255 Ohms, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 45nA @ 52.5V, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1V @ 10mA,

BZX84C13 RFG

BZX84C13 RFG

частка акцыі: 167

Напружанне - стабілітрон (Nom) (Vz): 13V, Талерантнасць: ±5%, Магутнасць - Макс: 300mW, Імпеданс (макс.) (Zzt): 30 Ohms, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 100nA @ 8V, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 900mV @ 10mA,

BZT52B10S RRG

BZT52B10S RRG

частка акцыі: 254

Напружанне - стабілітрон (Nom) (Vz): 10V, Талерантнасць: ±2%, Магутнасць - Макс: 200mW, Імпеданс (макс.) (Zzt): 20 Ohms, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 180nA @ 7V, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1V @ 10mA,

BZT52B6V2S RRG

BZT52B6V2S RRG

частка акцыі: 190

Напружанне - стабілітрон (Nom) (Vz): 6.2V, Талерантнасць: ±2%, Магутнасць - Макс: 200mW, Імпеданс (макс.) (Zzt): 10 Ohms, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 2.7µA @ 4V, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1V @ 10mA,

BZT52C43-G RHG

BZT52C43-G RHG

частка акцыі: 222

Напружанне - стабілітрон (Nom) (Vz): 43V, Талерантнасць: ±5%, Магутнасць - Макс: 350mW, Імпеданс (макс.) (Zzt): 100 Ohms, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 100nA @ 32V, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 900mV @ 10mA,

BZT52C7V5S RRG

BZT52C7V5S RRG

частка акцыі: 189

Напружанне - стабілітрон (Nom) (Vz): 7.5V, Талерантнасць: ±5%, Магутнасць - Макс: 200mW, Імпеданс (макс.) (Zzt): 15 Ohms, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 900nA @ 5V, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1V @ 10mA,

BZT52C4V7-G RHG

BZT52C4V7-G RHG

частка акцыі: 235

Напружанне - стабілітрон (Nom) (Vz): 4.7V, Талерантнасць: ±5%, Магутнасць - Макс: 350mW, Імпеданс (макс.) (Zzt): 80 Ohms, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 3µA @ 2V, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 900mV @ 10mA,

BZX84C20 RFG

BZX84C20 RFG

частка акцыі: 187

Напружанне - стабілітрон (Nom) (Vz): 20V, Талерантнасць: ±5%, Магутнасць - Макс: 300mW, Імпеданс (макс.) (Zzt): 55 Ohms, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 100nA @ 14V, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 900mV @ 10mA,

BZT52C4V7S RRG

BZT52C4V7S RRG

частка акцыі: 182

Напружанне - стабілітрон (Nom) (Vz): 4.7V, Талерантнасць: ±5%, Магутнасць - Макс: 200mW, Імпеданс (макс.) (Zzt): 80 Ohms, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 2.7µA @ 2V, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1V @ 10mA,

BZT52B5V6S RRG

BZT52B5V6S RRG

частка акцыі: 173

Напружанне - стабілітрон (Nom) (Vz): 5.6V, Талерантнасць: ±2%, Магутнасць - Макс: 200mW, Імпеданс (макс.) (Zzt): 40 Ohms, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 900nA @ 2V, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1V @ 10mA,

BZT52B11S RRG

BZT52B11S RRG

частка акцыі: 229

Напружанне - стабілітрон (Nom) (Vz): 11V, Талерантнасць: ±2%, Магутнасць - Макс: 200mW, Імпеданс (макс.) (Zzt): 20 Ohms, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 90nA @ 8V, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1V @ 10mA,

BZT52C68 RHG

BZT52C68 RHG

частка акцыі: 192

Напружанне - стабілітрон (Nom) (Vz): 68V, Талерантнасць: ±5%, Магутнасць - Макс: 500mW, Імпеданс (макс.) (Zzt): 240 Ohms, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 45nA @ 47.6V, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1V @ 10mA,

BZT52C30K RKG

BZT52C30K RKG

частка акцыі: 172

Напружанне - стабілітрон (Nom) (Vz): 30V, Талерантнасць: ±5%, Магутнасць - Макс: 200mW, Імпеданс (макс.) (Zzt): 80 Ohms, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 100nA @ 23V,

BZX584B6V8 RSG

BZX584B6V8 RSG

частка акцыі: 237

Напружанне - стабілітрон (Nom) (Vz): 6.8V, Талерантнасць: ±2%, Магутнасць - Макс: 150mW, Імпеданс (макс.) (Zzt): 15 Ohms, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 2µA @ 4V, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 900mV @ 10mA,

BZX84C3V6 RFG

BZX84C3V6 RFG

частка акцыі: 190

Напружанне - стабілітрон (Nom) (Vz): 3.6V, Талерантнасць: ±5%, Магутнасць - Макс: 300mW, Імпеданс (макс.) (Zzt): 90 Ohms, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 5µA @ 1V, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 900mV @ 10mA,

BZT52C11-G RHG

BZT52C11-G RHG

частка акцыі: 192

Напружанне - стабілітрон (Nom) (Vz): 11V, Талерантнасць: ±5%, Магутнасць - Макс: 350mW, Імпеданс (макс.) (Zzt): 20 Ohms, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 100nA @ 8V, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 900mV @ 10mA,

BZT52C4V3K RKG

BZT52C4V3K RKG

частка акцыі: 243

Напружанне - стабілітрон (Nom) (Vz): 4.3V, Талерантнасць: ±5%, Магутнасць - Макс: 200mW, Імпеданс (макс.) (Zzt): 90 Ohms, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 5µA @ 1V,

BZT52C56S RRG

BZT52C56S RRG

частка акцыі: 230

Напружанне - стабілітрон (Nom) (Vz): 56V, Талерантнасць: ±5%, Магутнасць - Макс: 200mW, Імпеданс (макс.) (Zzt): 200 Ohms, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 45nA @ 39.2V, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1V @ 10mA,

BZT52B3V9S RRG

BZT52B3V9S RRG

частка акцыі: 222

Напружанне - стабілітрон (Nom) (Vz): 3.9V, Талерантнасць: ±2%, Магутнасць - Макс: 200mW, Імпеданс (макс.) (Zzt): 90 Ohms, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 2.7µA @ 1V, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1V @ 10mA,

BZT52C11 RHG

BZT52C11 RHG

частка акцыі: 191

Напружанне - стабілітрон (Nom) (Vz): 11V, Талерантнасць: ±5%, Магутнасць - Макс: 500mW, Імпеданс (макс.) (Zzt): 20 Ohms, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 90nA @ 8V, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1V @ 10mA,