Дыёды - стабилитроны - адзінкавыя

1SMA4752 M2G

1SMA4752 M2G

частка акцыі: 52

Напружанне - стабілітрон (Nom) (Vz): 33V, Талерантнасць: ±5%, Магутнасць - Макс: 1.25W, Імпеданс (макс.) (Zzt): 45 Ohms, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 1µA @ 25.1V,

1SMA4746HM2G

1SMA4746HM2G

частка акцыі: 60

Напружанне - стабілітрон (Nom) (Vz): 18V, Талерантнасць: ±5%, Магутнасць - Макс: 1.25W, Імпеданс (макс.) (Zzt): 20 Ohms, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 1µA @ 13.7V,

1SMA4745 M2G

1SMA4745 M2G

частка акцыі: 50

Напружанне - стабілітрон (Nom) (Vz): 16V, Талерантнасць: ±5%, Магутнасць - Макс: 1.25W, Імпеданс (макс.) (Zzt): 16 Ohms, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 1µA @ 12.2V,

1SMB5954HR5G

1SMB5954HR5G

частка акцыі: 61

Напружанне - стабілітрон (Nom) (Vz): 160V, Талерантнасць: ±5%, Магутнасць - Макс: 3W, Імпеданс (макс.) (Zzt): 700 Ohms, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 1µA @ 121.6V,

1SMB5928 M4G

1SMB5928 M4G

частка акцыі: 131

Напружанне - стабілітрон (Nom) (Vz): 13V, Талерантнасць: ±5%, Магутнасць - Макс: 3W, Імпеданс (макс.) (Zzt): 7 Ohms, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 1µA @ 9.9V,

1SMA5939HM2G

1SMA5939HM2G

частка акцыі: 129

Напружанне - стабілітрон (Nom) (Vz): 39V, Талерантнасць: ±5%, Магутнасць - Макс: 1.5W, Імпеданс (макс.) (Zzt): 45 Ohms, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 500nA @ 29.7V,

1SMA5941HM2G

1SMA5941HM2G

частка акцыі: 102

Напружанне - стабілітрон (Nom) (Vz): 47V, Талерантнасць: ±5%, Магутнасць - Макс: 1.5W, Імпеданс (макс.) (Zzt): 67 Ohms, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 500nA @ 35.8V,

1SMA4744HM2G

1SMA4744HM2G

частка акцыі: 142

Напружанне - стабілітрон (Nom) (Vz): 15V, Талерантнасць: ±5%, Магутнасць - Макс: 1.25W, Імпеданс (макс.) (Zzt): 14 Ohms, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 1µA @ 11.4V,

1SMB5936 M4G

1SMB5936 M4G

частка акцыі: 121

Напружанне - стабілітрон (Nom) (Vz): 30V, Талерантнасць: ±5%, Магутнасць - Макс: 3W, Імпеданс (макс.) (Zzt): 26 Ohms, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 1µA @ 22.8V,

1SMA4761HR3G

1SMA4761HR3G

частка акцыі: 133

Напружанне - стабілітрон (Nom) (Vz): 75V, Талерантнасць: ±5%, Магутнасць - Макс: 1.25W, Імпеданс (макс.) (Zzt): 175 Ohms, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 1µA @ 56V,

1SMB5930HM4G

1SMB5930HM4G

частка акцыі: 94

Напружанне - стабілітрон (Nom) (Vz): 16V, Талерантнасць: ±5%, Магутнасць - Макс: 3W, Імпеданс (макс.) (Zzt): 10 Ohms, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 1µA @ 12.2V,

1SMA5929HR3G

1SMA5929HR3G

частка акцыі: 117

Напружанне - стабілітрон (Nom) (Vz): 15V, Талерантнасць: ±5%, Магутнасць - Макс: 1.5W, Імпеданс (макс.) (Zzt): 9 Ohms, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 500nA @ 11.4V,

1SMA5953HR3G

1SMA5953HR3G

частка акцыі: 71

Напружанне - стабілітрон (Nom) (Vz): 150V, Талерантнасць: ±5%, Магутнасць - Макс: 1.5W, Імпеданс (макс.) (Zzt): 600 Ohms, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 500nA @ 114V,

1SMB5950 M4G

1SMB5950 M4G

частка акцыі: 82

Напружанне - стабілітрон (Nom) (Vz): 110V, Талерантнасць: ±5%, Магутнасць - Макс: 3W, Імпеданс (макс.) (Zzt): 300 Ohms, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 1µA @ 83.6V,

1SMB5932HR5G

1SMB5932HR5G

частка акцыі: 119

Напружанне - стабілітрон (Nom) (Vz): 20V, Талерантнасць: ±5%, Магутнасць - Макс: 3W, Імпеданс (макс.) (Zzt): 14 Ohms, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 1µA @ 15.2V,

1SMA5950 R3G

1SMA5950 R3G

частка акцыі: 130

Напружанне - стабілітрон (Nom) (Vz): 110V, Талерантнасць: ±5%, Магутнасць - Макс: 1.5W, Імпеданс (макс.) (Zzt): 300 Ohms, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 500nA @ 83.6V,

1SMB5941 M4G

1SMB5941 M4G

частка акцыі: 62

Напружанне - стабілітрон (Nom) (Vz): 47V, Талерантнасць: ±5%, Магутнасць - Макс: 3W, Імпеданс (макс.) (Zzt): 67 Ohms, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 1µA @ 35.8V,

1SMA5943HR3G

1SMA5943HR3G

частка акцыі: 119

Напружанне - стабілітрон (Nom) (Vz): 56V, Талерантнасць: ±5%, Магутнасць - Макс: 1.5W, Імпеданс (макс.) (Zzt): 86 Ohms, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 500nA @ 42.6V,

1SMB5938HR5G

1SMB5938HR5G

частка акцыі: 83

Напружанне - стабілітрон (Nom) (Vz): 36V, Талерантнасць: ±5%, Магутнасць - Макс: 3W, Імпеданс (макс.) (Zzt): 38 Ohms, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 1µA @ 27.4V,

1SMB5948 M4G

1SMB5948 M4G

частка акцыі: 103

Напружанне - стабілітрон (Nom) (Vz): 91V, Талерантнасць: ±5%, Магутнасць - Макс: 3W, Імпеданс (макс.) (Zzt): 200 Ohms, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 1µA @ 69.2V,

1SMA5954HM2G

1SMA5954HM2G

частка акцыі: 62

Напружанне - стабілітрон (Nom) (Vz): 160V, Талерантнасць: ±5%, Магутнасць - Макс: 1.5W, Імпеданс (макс.) (Zzt): 700 Ohms, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 500nA @ 121.6V,

1SMA5926HR3G

1SMA5926HR3G

частка акцыі: 50

Напружанне - стабілітрон (Nom) (Vz): 11V, Талерантнасць: ±5%, Магутнасць - Макс: 1.5W, Імпеданс (макс.) (Zzt): 5.5 Ohms, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 500nA @ 8.4V,

1SMA4758HR3G

1SMA4758HR3G

частка акцыі: 136

Напружанне - стабілітрон (Nom) (Vz): 56V, Талерантнасць: ±5%, Магутнасць - Макс: 1.25W, Імпеданс (макс.) (Zzt): 110 Ohms, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 1µA @ 42.6V,

1SMA4761 M2G

1SMA4761 M2G

частка акцыі: 71

Напружанне - стабілітрон (Nom) (Vz): 75V, Талерантнасць: ±5%, Магутнасць - Макс: 1.25W, Імпеданс (макс.) (Zzt): 175 Ohms, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 1µA @ 56V,

1SMA5952 R3G

1SMA5952 R3G

частка акцыі: 124

Напружанне - стабілітрон (Nom) (Vz): 130V, Талерантнасць: ±5%, Магутнасць - Макс: 1.5W, Імпеданс (макс.) (Zzt): 450 Ohms, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 500nA @ 98.8V,

1SMB5942HR5G

1SMB5942HR5G

частка акцыі: 84

Напружанне - стабілітрон (Nom) (Vz): 51V, Талерантнасць: ±5%, Магутнасць - Макс: 3W, Імпеданс (макс.) (Zzt): 70 Ohms, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 1µA @ 38.8V,

1SMA120ZHR3G

1SMA120ZHR3G

частка акцыі: 53

Напружанне - стабілітрон (Nom) (Vz): 120V, Талерантнасць: ±5%, Магутнасць - Макс: 1.25W, Імпеданс (макс.) (Zzt): 550 Ohms, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 1µA @ 91.2V,

1SMB5943HM4G

1SMB5943HM4G

частка акцыі: 64

Напружанне - стабілітрон (Nom) (Vz): 56V, Талерантнасць: ±5%, Магутнасць - Макс: 3W, Імпеданс (макс.) (Zzt): 86 Ohms, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 1µA @ 42.6V,

1SMB5955 M4G

1SMB5955 M4G

частка акцыі: 116

Напружанне - стабілітрон (Nom) (Vz): 180V, Талерантнасць: ±5%, Магутнасць - Макс: 3W, Імпеданс (макс.) (Zzt): 900 Ohms, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 1µA @ 136.8V,

1SMA5944 M2G

1SMA5944 M2G

частка акцыі: 123

Напружанне - стабілітрон (Nom) (Vz): 62V, Талерантнасць: ±5%, Магутнасць - Макс: 1.5W, Імпеданс (макс.) (Zzt): 100 Ohms, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 500nA @ 47.1V,

1SMB5946HM4G

1SMB5946HM4G

частка акцыі: 121

Напружанне - стабілітрон (Nom) (Vz): 75V, Талерантнасць: ±5%, Магутнасць - Макс: 3W, Імпеданс (макс.) (Zzt): 140 Ohms, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 1µA @ 56V,

1SMA5956HR3G

1SMA5956HR3G

частка акцыі: 66

Напружанне - стабілітрон (Nom) (Vz): 200V, Талерантнасць: ±5%, Магутнасць - Макс: 1.5W, Імпеданс (макс.) (Zzt): 1200 Ohms, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 500nA @ 152V,

1SMA4751 M2G

1SMA4751 M2G

частка акцыі: 136

Напружанне - стабілітрон (Nom) (Vz): 30V, Талерантнасць: ±5%, Магутнасць - Макс: 1.25W, Імпеданс (макс.) (Zzt): 40 Ohms, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 1µA @ 22.8V,

1SMA4756HM2G

1SMA4756HM2G

частка акцыі: 73

Напружанне - стабілітрон (Nom) (Vz): 47V, Талерантнасць: ±5%, Магутнасць - Макс: 1.25W, Імпеданс (макс.) (Zzt): 80 Ohms, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 1µA @ 35.8V,

1SMB5928HM4G

1SMB5928HM4G

частка акцыі: 52

Напружанне - стабілітрон (Nom) (Vz): 13V, Талерантнасць: ±5%, Магутнасць - Макс: 3W, Імпеданс (макс.) (Zzt): 7 Ohms, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 1µA @ 9.9V,

1SMA4746 M2G

1SMA4746 M2G

частка акцыі: 55

Напружанне - стабілітрон (Nom) (Vz): 18V, Талерантнасць: ±5%, Магутнасць - Макс: 1.25W, Імпеданс (макс.) (Zzt): 20 Ohms, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 1µA @ 13.7V,