Дыёды - стабилитроны - адзінкавыя

1N4754A R0G

1N4754A R0G

частка акцыі: 77

Напружанне - стабілітрон (Nom) (Vz): 39V, Талерантнасць: ±5%, Магутнасць - Макс: 1W, Імпеданс (макс.) (Zzt): 60 Ohms, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 5µA @ 29.7V,

1M180ZHR0G

1M180ZHR0G

частка акцыі: 100

Напружанне - стабілітрон (Nom) (Vz): 180V, Талерантнасць: ±5%, Магутнасць - Макс: 1W, Імпеданс (макс.) (Zzt): 1200 Ohms, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 5µA @ 136.8V,

1N4764A R0G

1N4764A R0G

частка акцыі: 91

Напружанне - стабілітрон (Nom) (Vz): 100V, Талерантнасць: ±5%, Магутнасць - Макс: 1W, Імпеданс (макс.) (Zzt): 350 Ohms, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 5µA @ 76V,

1N4741AHR0G

1N4741AHR0G

частка акцыі: 59

Напружанне - стабілітрон (Nom) (Vz): 11V, Талерантнасць: ±5%, Магутнасць - Макс: 1W, Імпеданс (макс.) (Zzt): 22 Ohms, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 5µA @ 15.2V,

1N4760AHR0G

1N4760AHR0G

частка акцыі: 136

Напружанне - стабілітрон (Nom) (Vz): 68V, Талерантнасць: ±5%, Магутнасць - Макс: 1W, Імпеданс (макс.) (Zzt): 150 Ohms, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 5µA @ 51.7V,

1N4760A R0G

1N4760A R0G

частка акцыі: 121

Напружанне - стабілітрон (Nom) (Vz): 68V, Талерантнасць: ±5%, Магутнасць - Макс: 1W, Імпеданс (макс.) (Zzt): 150 Ohms, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 5µA @ 51.7V,

1N4744AHR0G

1N4744AHR0G

частка акцыі: 74

Напружанне - стабілітрон (Nom) (Vz): 15V, Талерантнасць: ±5%, Магутнасць - Макс: 1W, Імпеданс (макс.) (Zzt): 14 Ohms, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 5µA @ 11.4V,

1M110ZHR0G

1M110ZHR0G

частка акцыі: 144

Напружанне - стабілітрон (Nom) (Vz): 110V, Талерантнасць: ±5%, Магутнасць - Макс: 1W, Імпеданс (макс.) (Zzt): 450 Ohms, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 5µA @ 83.6V,

1N4740A R0G

1N4740A R0G

частка акцыі: 133

Напружанне - стабілітрон (Nom) (Vz): 10V, Талерантнасць: ±5%, Магутнасць - Макс: 1W, Імпеданс (макс.) (Zzt): 7 Ohms, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 10µA @ 7.6V,

1N4746A R0G

1N4746A R0G

частка акцыі: 117

Напружанне - стабілітрон (Nom) (Vz): 18V, Талерантнасць: ±5%, Магутнасць - Макс: 1W, Імпеданс (макс.) (Zzt): 40 Ohms, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 5µA @ 13.7V,

1N4748AHR0G

1N4748AHR0G

частка акцыі: 94

Напружанне - стабілітрон (Nom) (Vz): 22V, Талерантнасць: ±5%, Магутнасць - Макс: 1W, Імпеданс (макс.) (Zzt): 23 Ohms, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 5µA @ 16.7V,

1N4749A R0G

1N4749A R0G

частка акцыі: 126

Напружанне - стабілітрон (Nom) (Vz): 24V, Талерантнасць: ±5%, Магутнасць - Макс: 1W, Імпеданс (макс.) (Zzt): 25 Ohms, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 5µA @ 18.2V,

1N4764AHR0G

1N4764AHR0G

частка акцыі: 110

Напружанне - стабілітрон (Nom) (Vz): 100V, Талерантнасць: ±5%, Магутнасць - Макс: 1W, Імпеданс (макс.) (Zzt): 350 Ohms, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 5µA @ 76V,

1N4750A R0G

1N4750A R0G

частка акцыі: 126

Напружанне - стабілітрон (Nom) (Vz): 27V, Талерантнасць: ±5%, Магутнасць - Макс: 1W, Імпеданс (макс.) (Zzt): 35 Ohms, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 5µA @ 20.6V,

1N4743A R0G

1N4743A R0G

частка акцыі: 83

Напружанне - стабілітрон (Nom) (Vz): 13V, Талерантнасць: ±5%, Магутнасць - Макс: 1W, Імпеданс (макс.) (Zzt): 70 Ohms, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 5µA @ 32.7V,

1N4758A R0G

1N4758A R0G

частка акцыі: 103

Напружанне - стабілітрон (Nom) (Vz): 56V, Талерантнасць: ±5%, Магутнасць - Макс: 1W, Імпеданс (макс.) (Zzt): 110 Ohms, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 5µA @ 42.6V,

1N4744A R0G

1N4744A R0G

частка акцыі: 136

Напружанне - стабілітрон (Nom) (Vz): 15V, Талерантнасць: ±5%, Магутнасць - Макс: 1W, Імпеданс (макс.) (Zzt): 14 Ohms, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 5µA @ 11.4V,

1N4758AHR0G

1N4758AHR0G

частка акцыі: 88

Напружанне - стабілітрон (Nom) (Vz): 56V, Талерантнасць: ±5%, Магутнасць - Макс: 1W, Імпеданс (макс.) (Zzt): 110 Ohms, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 5µA @ 42.6V,

1N4747A R0G

1N4747A R0G

частка акцыі: 61

Напружанне - стабілітрон (Nom) (Vz): 20V, Талерантнасць: ±5%, Магутнасць - Макс: 1W, Імпеданс (макс.) (Zzt): 70 Ohms, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 5µA @ 15.2V,

1N4763AHR0G

1N4763AHR0G

частка акцыі: 60

Напружанне - стабілітрон (Nom) (Vz): 91V, Талерантнасць: ±5%, Магутнасць - Макс: 1W, Імпеданс (макс.) (Zzt): 250 Ohms, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 5µA @ 69.2V,

1N4741A R0G

1N4741A R0G

частка акцыі: 58

Напружанне - стабілітрон (Nom) (Vz): 11V, Талерантнасць: ±5%, Магутнасць - Макс: 1W, Імпеданс (макс.) (Zzt): 16 Ohms, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 5µA @ 12.2V,

1N4742G R1G

1N4742G R1G

частка акцыі: 112

Напружанне - стабілітрон (Nom) (Vz): 12V, Талерантнасць: ±5%, Магутнасць - Макс: 1W, Імпеданс (макс.) (Zzt): 50 Ohms, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 5µA @ 27.4V, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.2V @ 200mA,

1N4742G A0G

1N4742G A0G

частка акцыі: 163

Напружанне - стабілітрон (Nom) (Vz): 12V, Талерантнасць: ±5%, Магутнасць - Макс: 1W, Імпеданс (макс.) (Zzt): 50 Ohms, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 5µA @ 27.4V, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.2V @ 200mA,

1M180ZHR1G

1M180ZHR1G

частка акцыі: 139

Напружанне - стабілітрон (Nom) (Vz): 180V, Талерантнасць: ±5%, Магутнасць - Макс: 1W, Імпеданс (макс.) (Zzt): 1200 Ohms, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 5µA @ 136.8V,

1N4740G R1G

1N4740G R1G

частка акцыі: 109

Напружанне - стабілітрон (Nom) (Vz): 10V, Талерантнасць: ±5%, Магутнасць - Макс: 1W, Імпеданс (макс.) (Zzt): 10 Ohms, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 5µA @ 9.9V, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.2V @ 200mA,

1N4740G B0G

1N4740G B0G

частка акцыі: 78

Напружанне - стабілітрон (Nom) (Vz): 10V, Талерантнасць: ±5%, Магутнасць - Макс: 1W, Імпеданс (макс.) (Zzt): 9 Ohms, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 5µA @ 9.1V, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.2V @ 200mA,

1N4742G B0G

1N4742G B0G

частка акцыі: 127

Напружанне - стабілітрон (Nom) (Vz): 12V, Талерантнасць: ±5%, Магутнасць - Макс: 1W, Імпеданс (макс.) (Zzt): 50 Ohms, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 5µA @ 27.4V, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.2V @ 200mA,

1N4740G A0G

1N4740G A0G

частка акцыі: 165

Напружанне - стабілітрон (Nom) (Vz): 10V, Талерантнасць: ±5%, Магутнасць - Макс: 1W, Імпеданс (макс.) (Zzt): 9 Ohms, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 5µA @ 9.1V, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.2V @ 200mA,

1PGSMC5351 R7G

1PGSMC5351 R7G

частка акцыі: 130

Напружанне - стабілітрон (Nom) (Vz): 14V, Талерантнасць: ±5%, Магутнасць - Макс: 5W, Імпеданс (макс.) (Zzt): 3 Ohms, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 1µA @ 10.6V,

1PGSMC5357 R7G

1PGSMC5357 R7G

частка акцыі: 178

Напружанне - стабілітрон (Nom) (Vz): 20V, Талерантнасць: ±5%, Магутнасць - Макс: 5W, Імпеданс (макс.) (Zzt): 3 Ohms, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 500nA @ 15.2V,

1PGSMC5354 R7G

1PGSMC5354 R7G

частка акцыі: 158

Напружанне - стабілітрон (Nom) (Vz): 17V, Талерантнасць: ±5%, Магутнасць - Макс: 5W, Імпеданс (макс.) (Zzt): 3 Ohms, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 500nA @ 12.9V,

1PGSMC5355 R7G

1PGSMC5355 R7G

частка акцыі: 102

Напружанне - стабілітрон (Nom) (Vz): 18V, Талерантнасць: ±5%, Магутнасць - Макс: 5W, Імпеданс (макс.) (Zzt): 3 Ohms, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 500nA @ 13.7V,

1PGSMC5366 R7G

1PGSMC5366 R7G

частка акцыі: 151

Напружанне - стабілітрон (Nom) (Vz): 39V, Талерантнасць: ±5%, Магутнасць - Макс: 5W, Імпеданс (макс.) (Zzt): 14 Ohms, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 500nA @ 29.7V,

1PGSMC5354HR7G

1PGSMC5354HR7G

частка акцыі: 112

Напружанне - стабілітрон (Nom) (Vz): 17V, Талерантнасць: ±5%, Магутнасць - Макс: 5W, Імпеданс (макс.) (Zzt): 3 Ohms, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 500nA @ 12.9V,

1PGSMC5360 R7G

1PGSMC5360 R7G

частка акцыі: 195

Напружанне - стабілітрон (Nom) (Vz): 25V, Талерантнасць: ±5%, Магутнасць - Макс: 5W, Імпеданс (макс.) (Zzt): 4 Ohms, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 500nA @ 19V,

1PGSMC5360HR7G

1PGSMC5360HR7G

частка акцыі: 99

Напружанне - стабілітрон (Nom) (Vz): 25V, Талерантнасць: ±5%, Магутнасць - Макс: 5W, Імпеданс (макс.) (Zzt): 4 Ohms, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 500nA @ 19V,