Транзістары - FET, MOSFET - масівы | Дыскрэтныя паўправадніковыя вырабы | 2

STS4DNF30L

частка акцыі: 2904

Тып FET: 2 N-Channel (Dual), Функцыя FET: Logic Level Gate, Адток да крыніцы напружання (Vdss): 30V, Ток - бесперапынны сцёк (Id) пры тэмпературы 25 ° C: 4A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50 mOhm @ 2A, 10V, Vgs (й) (макс.) @ Ідэнтыфікатар: 1V @ 250µA,

Ліст з жаданняў

STMicroelectronics

STC5DNF30V

частка акцыі: 2708

Тып FET: 2 N-Channel (Dual), Функцыя FET: Logic Level Gate, Адток да крыніцы напружання (Vdss): 30V, Ток - бесперапынны сцёк (Id) пры тэмпературы 25 ° C: 4.5A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35 mOhm @ 2.3A, 4.5V, Vgs (й) (макс.) @ Ідэнтыфікатар: 600mV @ 250µA,

Ліст з жаданняў

STMicroelectronics

STC5NF30V

частка акцыі: 2697

Тып FET: 2 N-Channel (Dual), Функцыя FET: Logic Level Gate, Адток да крыніцы напружання (Vdss): 30V, Ток - бесперапынны сцёк (Id) пры тэмпературы 25 ° C: 5A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 31 mOhm @ 2.5A, 4.5V, Vgs (й) (макс.) @ Ідэнтыфікатар: 600mV @ 250µA,

Ліст з жаданняў

STMicroelectronics

STS8DNH3LL

частка акцыі: 2618

Тып FET: 2 N-Channel (Dual), Функцыя FET: Logic Level Gate, Адток да крыніцы напружання (Vdss): 30V, Ток - бесперапынны сцёк (Id) пры тэмпературы 25 ° C: 8A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22 mOhm @ 4A, 10V, Vgs (й) (макс.) @ Ідэнтыфікатар: 1V @ 250µA,

Ліст з жаданняў

STMicroelectronics

STS4DPF30L

частка акцыі: 107386

Тып FET: 2 P-Channel (Dual), Функцыя FET: Standard, Адток да крыніцы напружання (Vdss): 30V, Ток - бесперапынны сцёк (Id) пры тэмпературы 25 ° C: 4A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80 mOhm @ 2A, 10V, Vgs (й) (макс.) @ Ідэнтыфікатар: 1V @ 250µA,

Ліст з жаданняў

STMicroelectronics

STS3DPF60L

частка акцыі: 2674

Тып FET: 2 P-Channel (Dual), Функцыя FET: Logic Level Gate, Адток да крыніцы напружання (Vdss): 60V, Ток - бесперапынны сцёк (Id) пры тэмпературы 25 ° C: 3A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120 mOhm @ 1.5A, 10V, Vgs (й) (макс.) @ Ідэнтыфікатар: 1.5V @ 250µA,

Ліст з жаданняў

STMicroelectronics

STS1DNC45

частка акцыі: 85375

Тып FET: 2 N-Channel (Dual), Функцыя FET: Standard, Адток да крыніцы напружання (Vdss): 450V, Ток - бесперапынны сцёк (Id) пры тэмпературы 25 ° C: 400mA, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5 Ohm @ 500mA, 10V, Vgs (й) (макс.) @ Ідэнтыфікатар: 3.7V @ 250µA,

Ліст з жаданняў

STMicroelectronics

STS8DNF3LL

частка акцыі: 136676

Тып FET: 2 N-Channel (Dual), Функцыя FET: Logic Level Gate, Адток да крыніцы напружання (Vdss): 30V, Ток - бесперапынны сцёк (Id) пры тэмпературы 25 ° C: 8A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20 mOhm @ 4A, 10V, Vgs (й) (макс.) @ Ідэнтыфікатар: 1V @ 250µA,

Ліст з жаданняў