Транзістары - біпалярныя (BJT) - масівы | Дыскрэтныя паўправадніковыя вырабы | 2

STD830CP40

частка акцыі: 57285

Тып транзістара: NPN, PNP, Ток - калектар (Ic) (макс.): 3A, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 400V, Насычанасць Vce (макс.) @ Ib, Ic: 500mV @ 200mA, 1A, Ток - адсек калектара (макс.): 100µA, Каэфіцыент узмацнення пастаяннага току (hFE) (мін.) @ Ic, Vce: 18 @ 700mA, 5V,

Ліст з жаданняў

STMicroelectronics

ULN2801A

частка акцыі: 67831

Тып транзістара: 8 NPN Darlington, Ток - калектар (Ic) (макс.): 500mA, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 50V, Насычанасць Vce (макс.) @ Ib, Ic: 1.6V @ 500µA, 350mA, Каэфіцыент узмацнення пастаяннага току (hFE) (мін.) @ Ic, Vce: 1000 @ 350mA, 2V,

Ліст з жаданняў

STMicroelectronics

ULQ2003A

частка акцыі: 116274

Тып транзістара: 7 NPN Darlington, Ток - калектар (Ic) (макс.): 500mA, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 50V, Насычанасць Vce (макс.) @ Ib, Ic: 1.6V @ 500µA, 350mA, Каэфіцыент узмацнення пастаяннага току (hFE) (мін.) @ Ic, Vce: 1000 @ 350mA, 2V,

Ліст з жаданняў

STMicroelectronics

ULN2003D1

частка акцыі: 4541

Тып транзістара: 7 NPN Darlington, Ток - калектар (Ic) (макс.): 500mA, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 50V, Насычанасць Vce (макс.) @ Ib, Ic: 1.6V @ 500µA, 350mA, Ток - адсек калектара (макс.): 50µA,

Ліст з жаданняў

STMicroelectronics

STD840DN40

частка акцыі: 4478

Тып транзістара: 2 NPN (Dual), Ток - калектар (Ic) (макс.): 4A, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 400V, Насычанасць Vce (макс.) @ Ib, Ic: 1V @ 400mA, 2A, Ток - адсек калектара (макс.): 250µA, Каэфіцыент узмацнення пастаяннага току (hFE) (мін.) @ Ic, Vce: 8 @ 2A, 5V,

Ліст з жаданняў

STMicroelectronics

ULN2066B

частка акцыі: 27641

Тып транзістара: 4 NPN Darlington (Quad), Ток - калектар (Ic) (макс.): 1.75A, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 50V, Насычанасць Vce (макс.) @ Ib, Ic: 1.4V @ 2mA, 1.25A,

Ліст з жаданняў

STMicroelectronics

ULQ2004A

частка акцыі: 77999

Тып транзістара: 7 NPN Darlington, Ток - калектар (Ic) (макс.): 500mA, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 50V, Насычанасць Vce (макс.) @ Ib, Ic: 1.7V @ 500µA, 350mA, Каэфіцыент узмацнення пастаяннага току (hFE) (мін.) @ Ic, Vce: 1000 @ 350mA, 2V,

Ліст з жаданняў

STMicroelectronics

ULN2003A

частка акцыі: 130810

Тып транзістара: 7 NPN Darlington, Ток - калектар (Ic) (макс.): 500mA, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 50V, Насычанасць Vce (макс.) @ Ib, Ic: 1.6V @ 500µA, 350mA, Ток - адсек калектара (макс.): 50µA, Каэфіцыент узмацнення пастаяннага току (hFE) (мін.) @ Ic, Vce: 1000 @ 350mA, 2V,

Ліст з жаданняў

STMicroelectronics

L6221AS

частка акцыі: 4388

Тып транзістара: 4 NPN Darlington (Quad), Ток - калектар (Ic) (макс.): 1.8A, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 50V, Насычанасць Vce (макс.) @ Ib, Ic: 1.6V @ 1.8A,

Ліст з жаданняў

STMicroelectronics

L603C

частка акцыі: 4457

Тып транзістара: 8 NPN Darlington, Ток - калектар (Ic) (макс.): 400mA, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 90V, Насычанасць Vce (макс.) @ Ib, Ic: 2V @ 500µA, 300mA,

Ліст з жаданняў

STMicroelectronics

E-L6221AD

частка акцыі: 4427

Тып транзістара: 4 NPN Darlington (Quad), Ток - калектар (Ic) (макс.): 1.8A, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 50V, Насычанасць Vce (макс.) @ Ib, Ic: 1.6V @ 1.8A,

Ліст з жаданняў

STMicroelectronics

E-ULQ2003A

частка акцыі: 4459

Тып транзістара: 7 NPN Darlington, Ток - калектар (Ic) (макс.): 500mA, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 50V, Насычанасць Vce (макс.) @ Ib, Ic: 1.6V @ 500µA, 350mA, Каэфіцыент узмацнення пастаяннага току (hFE) (мін.) @ Ic, Vce: 1000 @ 350mA, 2V,

Ліст з жаданняў

STMicroelectronics

ULQ2803A

частка акцыі: 52694

Тып транзістара: 8 NPN Darlington, Ток - калектар (Ic) (макс.): 500mA, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 50V, Насычанасць Vce (макс.) @ Ib, Ic: 1.6V @ 500µA, 350mA, Каэфіцыент узмацнення пастаяннага току (hFE) (мін.) @ Ic, Vce: 1000 @ 350mA, 2V,

Ліст з жаданняў

STMicroelectronics

L6221AD

частка акцыі: 4433

Тып транзістара: 4 NPN Darlington (Quad), Ток - калектар (Ic) (макс.): 1.8A, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 50V, Насычанасць Vce (макс.) @ Ib, Ic: 1.6V @ 1.8A,

Ліст з жаданняў

STMicroelectronics

ULN2803A

частка акцыі: 67261

Тып транзістара: 8 NPN Darlington, Ток - калектар (Ic) (макс.): 500mA, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 50V, Насычанасць Vce (макс.) @ Ib, Ic: 1.6V @ 500µA, 350mA, Каэфіцыент узмацнення пастаяннага току (hFE) (мін.) @ Ic, Vce: 1000 @ 350mA, 2V,

Ліст з жаданняў

STMicroelectronics

ULN2004D1013TR

частка акцыі: 192796

Тып транзістара: 7 NPN Darlington, Ток - калектар (Ic) (макс.): 500mA, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 50V, Насычанасць Vce (макс.) @ Ib, Ic: 1.6V @ 500µA, 350mA, Ток - адсек калектара (макс.): 50µA, Каэфіцыент узмацнення пастаяннага току (hFE) (мін.) @ Ic, Vce: 1000 @ 350mA, 2V,

Ліст з жаданняў