Транзістары - FET, MOSFET - адзінкавыя

STD170N4F7AG

частка акцыі: 102309

Тып FET: N-Channel, Тэхналогія: MOSFET (Metal Oxide), Адток да крыніцы напружання (Vdss): 40V, Ток - бесперапынны сцёк (Id) пры тэмпературы 25 ° C: 80A (Tc), Прываднае напружанне (максімальная чырвоная сігналізацыя ўключана, мінімальная чырвоная сігналізацыя ўключана): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8 mOhm @ 40A, 10V,

STD2NK90Z-1

частка акцыі: 93952

Тып FET: N-Channel, Тэхналогія: MOSFET (Metal Oxide), Адток да крыніцы напружання (Vdss): 900V, Ток - бесперапынны сцёк (Id) пры тэмпературы 25 ° C: 2.1A (Tc), Прываднае напружанне (максімальная чырвоная сігналізацыя ўключана, мінімальная чырвоная сігналізацыя ўключана): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5 Ohm @ 1.05A, 10V,

STD60NF55LAT4

частка акцыі: 110629

STD64N4F6AG

частка акцыі: 153431

Тып FET: N-Channel, Тэхналогія: MOSFET (Metal Oxide), Адток да крыніцы напружання (Vdss): 40V, Ток - бесперапынны сцёк (Id) пры тэмпературы 25 ° C: 54A (Tc), Прываднае напружанне (максімальная чырвоная сігналізацыя ўключана, мінімальная чырвоная сігналізацыя ўключана): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.2 mOhm @ 27A, 10V,

STD10NF10T4

частка акцыі: 169275

Тып FET: N-Channel, Тэхналогія: MOSFET (Metal Oxide), Адток да крыніцы напружання (Vdss): 100V, Ток - бесперапынны сцёк (Id) пры тэмпературы 25 ° C: 13A (Tc), Прываднае напружанне (максімальная чырвоная сігналізацыя ўключана, мінімальная чырвоная сігналізацыя ўключана): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130 mOhm @ 5A, 10V,

STD5N62K3

частка акцыі: 94864

Тып FET: N-Channel, Тэхналогія: MOSFET (Metal Oxide), Адток да крыніцы напружання (Vdss): 620V, Ток - бесперапынны сцёк (Id) пры тэмпературы 25 ° C: 4.2A (Tc), Прываднае напружанне (максімальная чырвоная сігналізацыя ўключана, мінімальная чырвоная сігналізацыя ўключана): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6 Ohm @ 2.1A, 10V,

STD5NK50ZT4

частка акцыі: 113295

Тып FET: N-Channel, Тэхналогія: MOSFET (Metal Oxide), Адток да крыніцы напружання (Vdss): 500V, Ток - бесперапынны сцёк (Id) пры тэмпературы 25 ° C: 4.4A (Tc), Прываднае напружанне (максімальная чырвоная сігналізацыя ўключана, мінімальная чырвоная сігналізацыя ўключана): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5 Ohm @ 2.2A, 10V,

STULED625

частка акцыі: 94866

Тып FET: N-Channel, Тэхналогія: MOSFET (Metal Oxide), Адток да крыніцы напружання (Vdss): 620V, Ток - бесперапынны сцёк (Id) пры тэмпературы 25 ° C: 5A (Tc), Прываднае напружанне (максімальная чырвоная сігналізацыя ўключана, мінімальная чырвоная сігналізацыя ўключана): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6 Ohm @ 2.1A, 10V,

STD4NK50ZT4

частка акцыі: 173001

Тып FET: N-Channel, Тэхналогія: MOSFET (Metal Oxide), Адток да крыніцы напружання (Vdss): 500V, Ток - бесперапынны сцёк (Id) пры тэмпературы 25 ° C: 3A (Tc), Прываднае напружанне (максімальная чырвоная сігналізацыя ўключана, мінімальная чырвоная сігналізацыя ўключана): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.7 Ohm @ 1.5A, 10V,

STD20NF06LAG

частка акцыі: 190223

Тып FET: N-Channel, Тэхналогія: MOSFET (Metal Oxide), Адток да крыніцы напружання (Vdss): 60V, Ток - бесперапынны сцёк (Id) пры тэмпературы 25 ° C: 24A (Tc), Прываднае напружанне (максімальная чырвоная сігналізацыя ўключана, мінімальная чырвоная сігналізацыя ўключана): 5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40 mOhm @ 12A, 10V,

STD25NF10LT4

частка акцыі: 102928

Тып FET: N-Channel, Тэхналогія: MOSFET (Metal Oxide), Адток да крыніцы напружання (Vdss): 100V, Ток - бесперапынны сцёк (Id) пры тэмпературы 25 ° C: 25A (Tc), Прываднае напружанне (максімальная чырвоная сігналізацыя ўключана, мінімальная чырвоная сігналізацыя ўключана): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35 mOhm @ 12.5A, 10V,

STD3NK90ZT4

частка акцыі: 95383

Тып FET: N-Channel, Тэхналогія: MOSFET (Metal Oxide), Адток да крыніцы напружання (Vdss): 900V, Ток - бесперапынны сцёк (Id) пры тэмпературы 25 ° C: 3A (Tc), Прываднае напружанне (максімальная чырвоная сігналізацыя ўключана, мінімальная чырвоная сігналізацыя ўключана): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.8 Ohm @ 1.5A, 10V,

STL200N45LF7

частка акцыі: 98652

Тып FET: N-Channel, Тэхналогія: MOSFET (Metal Oxide), Адток да крыніцы напружання (Vdss): 45V, Ток - бесперапынны сцёк (Id) пры тэмпературы 25 ° C: 120A (Tc), Прываднае напружанне (максімальная чырвоная сігналізацыя ўключана, мінімальная чырвоная сігналізацыя ўключана): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8 mOhm @ 18A, 10V,

STD7N52K3

частка акцыі: 88948

Тып FET: N-Channel, Тэхналогія: MOSFET (Metal Oxide), Адток да крыніцы напружання (Vdss): 525V, Ток - бесперапынны сцёк (Id) пры тэмпературы 25 ° C: 6A (Tc), Прываднае напружанне (максімальная чырвоная сігналізацыя ўключана, мінімальная чырвоная сігналізацыя ўключана): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 980 mOhm @ 3.1A, 10V,

STD26P3LLH6

частка акцыі: 144181

Тып FET: P-Channel, Тэхналогія: MOSFET (Metal Oxide), Адток да крыніцы напружання (Vdss): 30V, Ток - бесперапынны сцёк (Id) пры тэмпературы 25 ° C: 12A (Tc), Прываднае напружанне (максімальная чырвоная сігналізацыя ўключана, мінімальная чырвоная сігналізацыя ўключана): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30 mOhm @ 6A, 10V,

STD70NS04ZL

частка акцыі: 158543

Тып FET: N-Channel, Тэхналогія: MOSFET (Metal Oxide), Адток да крыніцы напружання (Vdss): 33V, Ток - бесперапынны сцёк (Id) пры тэмпературы 25 ° C: 70A (Tc), Прываднае напружанне (максімальная чырвоная сігналізацыя ўключана, мінімальная чырвоная сігналізацыя ўключана): 5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.5 mOhm @ 30A, 10V,

STD36P4LLF6

частка акцыі: 148650

Тып FET: P-Channel, Тэхналогія: MOSFET (Metal Oxide), Адток да крыніцы напружання (Vdss): 40V, Ток - бесперапынны сцёк (Id) пры тэмпературы 25 ° C: 36A (Tc), Прываднае напружанне (максімальная чырвоная сігналізацыя ўключана, мінімальная чырвоная сігналізацыя ўключана): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20.5 mOhm @ 18A, 10V,

STD5NK60ZT4

частка акцыі: 113581

Тып FET: N-Channel, Тэхналогія: MOSFET (Metal Oxide), Адток да крыніцы напружання (Vdss): 600V, Ток - бесперапынны сцёк (Id) пры тэмпературы 25 ° C: 5A (Tc), Прываднае напружанне (максімальная чырвоная сігналізацыя ўключана, мінімальная чырвоная сігналізацыя ўключана): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6 Ohm @ 2.5A, 10V,

STPLED524

частка акцыі: 108162

Тып FET: N-Channel, Тэхналогія: MOSFET (Metal Oxide), Адток да крыніцы напружання (Vdss): 525V, Ток - бесперапынны сцёк (Id) пры тэмпературы 25 ° C: 4A (Tc), Прываднае напружанне (максімальная чырвоная сігналізацыя ўключана, мінімальная чырвоная сігналізацыя ўключана): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.6 Ohm @ 2.2A, 10V,

STU85N3LH5

частка акцыі: 45211

Тып FET: N-Channel, Тэхналогія: MOSFET (Metal Oxide), Адток да крыніцы напружання (Vdss): 30V, Ток - бесперапынны сцёк (Id) пры тэмпературы 25 ° C: 80A (Tc), Прываднае напружанне (максімальная чырвоная сігналізацыя ўключана, мінімальная чырвоная сігналізацыя ўключана): 5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.4 mOhm @ 40A, 10V,

STD6N65M2

частка акцыі: 104554

Тып FET: N-Channel, Тэхналогія: MOSFET (Metal Oxide), Адток да крыніцы напружання (Vdss): 650V, Ток - бесперапынны сцёк (Id) пры тэмпературы 25 ° C: 4A (Tc), Прываднае напружанне (максімальная чырвоная сігналізацыя ўключана, мінімальная чырвоная сігналізацыя ўключана): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.35 Ohm @ 2A, 10V,

STD40P3LLH6

частка акцыі: 135939

Тып FET: P-Channel, Тэхналогія: MOSFET (Metal Oxide), Адток да крыніцы напружання (Vdss): 30V, Ток - бесперапынны сцёк (Id) пры тэмпературы 25 ° C: 40A (Tc), Прываднае напружанне (максімальная чырвоная сігналізацыя ўключана, мінімальная чырвоная сігналізацыя ўключана): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15 mOhm @ 20A, 10V,

STD47N10F7AG

частка акцыі: 125190

Тып FET: N-Channel, Тэхналогія: MOSFET (Metal Oxide), Адток да крыніцы напружання (Vdss): 100V, Ток - бесперапынны сцёк (Id) пры тэмпературы 25 ° C: 45A (Tc), Прываднае напружанне (максімальная чырвоная сігналізацыя ўключана, мінімальная чырвоная сігналізацыя ўключана): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18 mOhm @ 22.5A, 10V,

STU25N10F7

частка акцыі: 118935

Тып FET: N-Channel, Тэхналогія: MOSFET (Metal Oxide), Адток да крыніцы напружання (Vdss): 100V, Ток - бесперапынны сцёк (Id) пры тэмпературы 25 ° C: 25A, Прываднае напружанне (максімальная чырвоная сігналізацыя ўключана, мінімальная чырвоная сігналізацыя ўключана): 4.5V, 10V,

STD37P3H6AG

частка акцыі: 97070

Тып FET: P-Channel, Тэхналогія: MOSFET (Metal Oxide), Адток да крыніцы напружання (Vdss): 30V, Ток - бесперапынны сцёк (Id) пры тэмпературы 25 ° C: 49A (Tc), Прываднае напружанне (максімальная чырвоная сігналізацыя ўключана, мінімальная чырвоная сігналізацыя ўключана): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15 mOhm @ 25A, 10V,

STD3N95K5AG

частка акцыі: 7716

Тып FET: N-Channel, Тэхналогія: MOSFET (Metal Oxide), Адток да крыніцы напружання (Vdss): 950V, Ток - бесперапынны сцёк (Id) пры тэмпературы 25 ° C: 2A (Tc), Прываднае напружанне (максімальная чырвоная сігналізацыя ўключана, мінімальная чырвоная сігналізацыя ўключана): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5 Ohm @ 1A, 10V,

STP6NK60ZFP

частка акцыі: 95562

Тып FET: N-Channel, Тэхналогія: MOSFET (Metal Oxide), Адток да крыніцы напружання (Vdss): 600V, Ток - бесперапынны сцёк (Id) пры тэмпературы 25 ° C: 6A (Tc), Прываднае напружанне (максімальная чырвоная сігналізацыя ўключана, мінімальная чырвоная сігналізацыя ўключана): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2 Ohm @ 3A, 10V,

STD65N3LLH5

частка акцыі: 153427

Тып FET: N-Channel, Тэхналогія: MOSFET (Metal Oxide), Адток да крыніцы напружання (Vdss): 30V, Ток - бесперапынны сцёк (Id) пры тэмпературы 25 ° C: 65A (Tc), Прываднае напружанне (максімальная чырвоная сігналізацыя ўключана, мінімальная чырвоная сігналізацыя ўключана): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.9 mOhm @ 32.5A, 10V,

STD3N40K3

частка акцыі: 166321

Тып FET: N-Channel, Тэхналогія: MOSFET (Metal Oxide), Адток да крыніцы напружання (Vdss): 400V, Ток - бесперапынны сцёк (Id) пры тэмпературы 25 ° C: 2A (Tc), Прываднае напружанне (максімальная чырвоная сігналізацыя ўключана, мінімальная чырвоная сігналізацыя ўключана): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.4 Ohm @ 900mA, 10V,

STULED524

частка акцыі: 128604

Тып FET: N-Channel, Тэхналогія: MOSFET (Metal Oxide), Адток да крыніцы напружання (Vdss): 525V, Ток - бесперапынны сцёк (Id) пры тэмпературы 25 ° C: 4A (Tc), Прываднае напружанне (максімальная чырвоная сігналізацыя ўключана, мінімальная чырвоная сігналізацыя ўключана): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.6 Ohm @ 2.2A, 10V,

STD13N50DM2AG

частка акцыі: 7861

STD5N60M2

частка акцыі: 108115

Тып FET: N-Channel, Тэхналогія: MOSFET (Metal Oxide), Адток да крыніцы напружання (Vdss): 600V, Ток - бесперапынны сцёк (Id) пры тэмпературы 25 ° C: 3.5A (Tc), Прываднае напружанне (максімальная чырвоная сігналізацыя ўключана, мінімальная чырвоная сігналізацыя ўключана): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4 Ohm @ 1.7A, 10V,

STP6N62K3

частка акцыі: 41444

Тып FET: N-Channel, Тэхналогія: MOSFET (Metal Oxide), Адток да крыніцы напружання (Vdss): 620V, Ток - бесперапынны сцёк (Id) пры тэмпературы 25 ° C: 5.5A (Tc), Прываднае напружанне (максімальная чырвоная сігналізацыя ўключана, мінімальная чырвоная сігналізацыя ўключана): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2 Ohm @ 2.8A, 10V,

STB3NK60ZT4

частка акцыі: 107890

Тып FET: N-Channel, Тэхналогія: MOSFET (Metal Oxide), Адток да крыніцы напружання (Vdss): 600V, Ток - бесперапынны сцёк (Id) пры тэмпературы 25 ° C: 2.4A (Tc), Прываднае напружанне (максімальная чырвоная сігналізацыя ўключана, мінімальная чырвоная сігналізацыя ўключана): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.6 Ohm @ 1.2A, 10V,

STD20NF06LT4

частка акцыі: 151036

Тып FET: N-Channel, Тэхналогія: MOSFET (Metal Oxide), Адток да крыніцы напружання (Vdss): 60V, Ток - бесперапынны сцёк (Id) пры тэмпературы 25 ° C: 24A (Tc), Прываднае напружанне (максімальная чырвоная сігналізацыя ўключана, мінімальная чырвоная сігналізацыя ўключана): 5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40 mOhm @ 12A, 10V,

STU9N60M2

частка акцыі: 104822

Тып FET: N-Channel, Тэхналогія: MOSFET (Metal Oxide), Адток да крыніцы напружання (Vdss): 600V, Ток - бесперапынны сцёк (Id) пры тэмпературы 25 ° C: 5.5A (Tc), Прываднае напружанне (максімальная чырвоная сігналізацыя ўключана, мінімальная чырвоная сігналізацыя ўключана): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 780 mOhm @ 3A, 10V,