Фіксаваныя індуктыўнасці

CIGW252010GLR47MNE

CIGW252010GLR47MNE

частка акцыі: 172714

Тып: Wirewound, Матэрыял - стрыжань: Metal Composite, Індуктыўнасць: 470nH, Талерантнасць: ±20%, Бягучы рэйтынг: 5.9A, Ток - насычэнне: 5.5A,

CIGT252010LMR47MNE

CIGT252010LMR47MNE

частка акцыі: 113976

Тып: Thin Film, Матэрыял - стрыжань: Metal Composite, Індуктыўнасць: 470nH, Талерантнасць: ±20%, Бягучы рэйтынг: 4.2A, Ток - насычэнне: 6A,

CIGT252008LM1R0MNE

CIGT252008LM1R0MNE

частка акцыі: 137345

Тып: Thin Film, Матэрыял - стрыжань: Metal Composite, Індуктыўнасць: 1µH, Талерантнасць: ±20%, Бягучы рэйтынг: 3.1A, Ток - насычэнне: 3.8A,

CIGT252008LMR24MNE

CIGT252008LMR24MNE

частка акцыі: 130521

Тып: Thin Film, Матэрыял - стрыжань: Metal Composite, Індуктыўнасць: 240nH, Талерантнасць: ±20%, Бягучы рэйтынг: 6A, Ток - насычэнне: 7A,

CIGT252010LMR33MNE

CIGT252010LMR33MNE

частка акцыі: 105085

Тып: Thin Film, Матэрыял - стрыжань: Metal Composite, Індуктыўнасць: 330nH, Талерантнасць: ±20%, Бягучы рэйтынг: 5A, Ток - насычэнне: 7.3A,

CIGT201610LM1R0MNE

CIGT201610LM1R0MNE

частка акцыі: 158435

Тып: Thin Film, Матэрыял - стрыжань: Metal Composite, Індуктыўнасць: 1µH, Талерантнасць: ±20%, Бягучы рэйтынг: 2.4A, Ток - насычэнне: 3.3A,

CIGT252010LM1R5MNE

CIGT252010LM1R5MNE

частка акцыі: 150135

Тып: Thin Film, Матэрыял - стрыжань: Metal Composite, Індуктыўнасць: 1.5µH, Талерантнасць: ±20%, Бягучы рэйтынг: 2.6A, Ток - насычэнне: 3.5A,

CIGT201610LM2R2MNE

CIGT201610LM2R2MNE

частка акцыі: 125665

Тып: Thin Film, Матэрыял - стрыжань: Metal Composite, Індуктыўнасць: 2.2µH, Талерантнасць: ±20%, Бягучы рэйтынг: 1.6A, Ток - насычэнне: 1.7A,

CIGT252008LMR47MNE

CIGT252008LMR47MNE

частка акцыі: 108179

Тып: Thin Film, Матэрыял - стрыжань: Metal Composite, Індуктыўнасць: 470nH, Талерантнасць: ±20%, Бягучы рэйтынг: 4.2A, Ток - насычэнне: 5.5A,

CIGT252010LMR24MNE

CIGT252010LMR24MNE

частка акцыі: 135361

Тып: Thin Film, Матэрыял - стрыжань: Metal Composite, Індуктыўнасць: 240nH, Талерантнасць: ±20%, Бягучы рэйтынг: 6A, Ток - насычэнне: 8.5A,

CIGT252008LMR33MNE

CIGT252008LMR33MNE

частка акцыі: 125306

Тып: Thin Film, Матэрыял - стрыжань: Metal Composite, Індуктыўнасць: 330nH, Талерантнасць: ±20%, Бягучы рэйтынг: 4.3A, Ток - насычэнне: 5.8A,

CIGT252008LM2R2MNE

CIGT252008LM2R2MNE

частка акцыі: 135528

Тып: Thin Film, Матэрыял - стрыжань: Metal Composite, Індуктыўнасць: 2.2µH, Талерантнасць: ±20%, Бягучы рэйтынг: 2A, Ток - насычэнне: 2.1A,

CIGT252010LM1R0MNE

CIGT252010LM1R0MNE

частка акцыі: 197367

Тып: Thin Film, Матэрыял - стрыжань: Metal Composite, Індуктыўнасць: 1µH, Талерантнасць: ±20%, Бягучы рэйтынг: 3.1A, Ток - насычэнне: 4.2A,

CIGT201610LMR68MNE

CIGT201610LMR68MNE

частка акцыі: 185567

Тып: Thin Film, Матэрыял - стрыжань: Metal Composite, Індуктыўнасць: 680nH, Талерантнасць: ±20%, Бягучы рэйтынг: 2.7A, Ток - насычэнне: 3.8A,

CIGT201610LMR24MNE

CIGT201610LMR24MNE

частка акцыі: 161508

Тып: Thin Film, Матэрыял - стрыжань: Metal Composite, Індуктыўнасць: 240nH, Талерантнасць: ±20%, Бягучы рэйтынг: 4A, Ток - насычэнне: 5.3A,

CIGT201610LH1R0MNE

CIGT201610LH1R0MNE

частка акцыі: 181072

Тып: Thin Film, Матэрыял - стрыжань: Metal Composite, Індуктыўнасць: 1µH, Талерантнасць: ±20%, Бягучы рэйтынг: 2.8A, Ток - насычэнне: 3.9A,

CIGW252010GL1R5MNE

CIGW252010GL1R5MNE

частка акцыі: 126797

Тып: Wirewound, Матэрыял - стрыжань: Metal Composite, Індуктыўнасць: 1.5µH, Талерантнасць: ±20%, Бягучы рэйтынг: 3.2A, Ток - насычэнне: 3.1A,

CIG22L100MNE

CIG22L100MNE

частка акцыі: 119682

Тып: Multilayer, Індуктыўнасць: 10µH, Талерантнасць: ±20%, Бягучы рэйтынг: 600mA,

CIG22BR56MAE

CIG22BR56MAE

частка акцыі: 125303

Тып: Multilayer, Індуктыўнасць: 560nH, Талерантнасць: ±20%, Бягучы рэйтынг: 1.4A,

CIG22E1R0MNE

CIG22E1R0MNE

частка акцыі: 199499

Тып: Multilayer, Індуктыўнасць: 1µH, Талерантнасць: ±20%, Бягучы рэйтынг: 2.9A, Ток - насычэнне: 2.2A,

CIG21W4R7MNE

CIG21W4R7MNE

частка акцыі: 161578

Тып: Multilayer, Індуктыўнасць: 4.7µH, Талерантнасць: ±20%, Бягучы рэйтынг: 650mA,

CIG21L4R7MNE

CIG21L4R7MNE

частка акцыі: 114226

Тып: Multilayer, Індуктыўнасць: 4.7µH, Талерантнасць: ±20%, Бягучы рэйтынг: 750mA,

CIG22B3R3MAE

CIG22B3R3MAE

частка акцыі: 187476

Тып: Multilayer, Індуктыўнасць: 3.3µH, Талерантнасць: ±20%, Бягучы рэйтынг: 1A,

CIG21L1R2MNE

CIG21L1R2MNE

частка акцыі: 151444

Тып: Multilayer, Індуктыўнасць: 1.2µH, Талерантнасць: ±20%, Бягучы рэйтынг: 1.1A,

CIG22BR27MNE

CIG22BR27MNE

частка акцыі: 188111

Тып: Multilayer, Індуктыўнасць: 270nH, Талерантнасць: ±20%, Бягучы рэйтынг: 1.8A,

CIG22BR56MNE

CIG22BR56MNE

частка акцыі: 107147

Тып: Multilayer, Індуктыўнасць: 560nH, Талерантнасць: ±20%, Бягучы рэйтынг: 1.3A,

CIG22L2R2MNE

CIG22L2R2MNE

частка акцыі: 189381

Тып: Multilayer, Індуктыўнасць: 2.2µH, Талерантнасць: ±20%, Бягучы рэйтынг: 1.3A,

CIG21L2R2MNE

CIG21L2R2MNE

частка акцыі: 136714

Тып: Multilayer, Індуктыўнасць: 2.2µH, Талерантнасць: ±20%, Бягучы рэйтынг: 950mA,

CIG22L4R7MNE

CIG22L4R7MNE

частка акцыі: 182727

Тып: Multilayer, Індуктыўнасць: 4.7µH, Талерантнасць: ±20%, Бягучы рэйтынг: 1.1A,

CIG10W1R0MNC

CIG10W1R0MNC

частка акцыі: 197782

Тып: Multilayer, Індуктыўнасць: 1µH, Талерантнасць: ±20%, Бягучы рэйтынг: 950mA,

CIG22BR33MNE

CIG22BR33MNE

частка акцыі: 184391

Тып: Multilayer, Індуктыўнасць: 330nH, Талерантнасць: ±20%, Бягучы рэйтынг: 1.7A,

CIG10W4R7MNC

CIG10W4R7MNC

частка акцыі: 161749

Тып: Multilayer, Індуктыўнасць: 4.7µH, Талерантнасць: ±20%, Бягучы рэйтынг: 620mA,

CIG22BR47MNE

CIG22BR47MNE

частка акцыі: 144590

Тып: Multilayer, Індуктыўнасць: 470nH, Талерантнасць: ±20%, Бягучы рэйтынг: 1.6A,

CIG22B4R7MAE

CIG22B4R7MAE

частка акцыі: 113186

Тып: Multilayer, Індуктыўнасць: 4.7µH, Талерантнасць: ±20%, Бягучы рэйтынг: 800mA,

CIG22L1R0MNE

CIG22L1R0MNE

частка акцыі: 198166

Тып: Multilayer, Індуктыўнасць: 1µH, Талерантнасць: ±20%, Бягучы рэйтынг: 1.6A,

CIG10W2R2MNC

CIG10W2R2MNC

частка акцыі: 189796

Тып: Multilayer, Індуктыўнасць: 2.2µH, Талерантнасць: ±20%, Бягучы рэйтынг: 750mA,