Фіксаваныя індуктыўнасці

CIGT201208EH1R0MNE

CIGT201208EH1R0MNE

частка акцыі: 119474

Тып: Thin Film, Матэрыял - стрыжань: Metal Composite, Індуктыўнасць: 1µH, Талерантнасць: ±20%, Бягучы рэйтынг: 3.1A, Ток - насычэнне: 3.2A,

CIGW252010EH4R7MNE

CIGW252010EH4R7MNE

частка акцыі: 118892

Тып: Wirewound, Матэрыял - стрыжань: Metal Composite, Індуктыўнасць: 4.7µH, Талерантнасць: ±20%, Бягучы рэйтынг: 1.4A, Ток - насычэнне: 2.2A,

CIGT2016R6MH100SNE

CIGT2016R6MH100SNE

частка акцыі: 155703

Тып: Thin Film, Матэрыял - стрыжань: Metal Composite, Індуктыўнасць: 10µH, Талерантнасць: ±0.3nH,

CIG22H2R2MNE

CIG22H2R2MNE

частка акцыі: 171743

Тып: Multilayer, Індуктыўнасць: 2.2µH, Талерантнасць: ±20%, Бягучы рэйтынг: 1.2A, Ток - насычэнне: 1.8A,

CIGT201210EM1R0MNE

CIGT201210EM1R0MNE

частка акцыі: 158188

Тып: Thin Film, Матэрыял - стрыжань: Metal Composite, Індуктыўнасць: 1µH, Талерантнасць: ±20%, Бягучы рэйтынг: 2.3A, Ток - насычэнне: 2.7A,

CIGT201608EM1R0MNE

CIGT201608EM1R0MNE

частка акцыі: 187093

Тып: Thin Film, Матэрыял - стрыжань: Metal Composite, Індуктыўнасць: 1µH, Талерантнасць: ±20%,

CIGT201610EH2R2MNE

CIGT201610EH2R2MNE

частка акцыі: 108002

Тып: Thin Film, Матэрыял - стрыжань: Metal Composite, Індуктыўнасць: 2.2µH, Талерантнасць: ±20%, Бягучы рэйтынг: 2.5A, Ток - насычэнне: 2.9A,

CIG22H4R7MNE

CIG22H4R7MNE

частка акцыі: 179075

Тып: Multilayer, Індуктыўнасць: 4.7µH, Талерантнасць: ±20%, Бягучы рэйтынг: 800mA, Ток - насычэнне: 950mA,

CIGT201610EHR47MNE

CIGT201610EHR47MNE

частка акцыі: 133651

Тып: Thin Film, Матэрыял - стрыжань: Metal Composite, Індуктыўнасць: 470nH, Талерантнасць: ±20%, Бягучы рэйтынг: 4.8A, Ток - насычэнне: 5.9A,

CIGT201610EH1R0MNE

CIGT201610EH1R0MNE

частка акцыі: 103680

Тып: Thin Film, Матэрыял - стрыжань: Metal Composite, Індуктыўнасць: 1µH, Талерантнасць: ±20%, Бягучы рэйтынг: 4.1A, Ток - насычэнне: 4.5A,

CIGT160808XMR24MNC

CIGT160808XMR24MNC

частка акцыі: 182456

Тып: Thin Film, Матэрыял - стрыжань: Metal Composite, Індуктыўнасць: 240nH, Талерантнасць: ±20%, Бягучы рэйтынг: 4.9A, Ток - насычэнне: 4.1A,

CIGT201608EHR47MNE

CIGT201608EHR47MNE

частка акцыі: 106601

Тып: Thin Film, Матэрыял - стрыжань: Metal Composite, Індуктыўнасць: 470nH, Талерантнасць: ±20%, Бягучы рэйтынг: 4.3A, Ток - насычэнне: 4.6A,

CIGW160808XMR47SLC

CIGW160808XMR47SLC

частка акцыі: 177839

Тып: Wirewound, Матэрыял - стрыжань: Metal Composite, Індуктыўнасць: 470nH, Талерантнасць: ±0.3nH,

CIG22H1R0MNE

CIG22H1R0MNE

частка акцыі: 116530

Тып: Multilayer, Індуктыўнасць: 1µH, Талерантнасць: ±20%, Бягучы рэйтынг: 1.5A, Ток - насычэнне: 3.3A,

CIGW201610GH2R2MLE

CIGW201610GH2R2MLE

частка акцыі: 104649

Тып: Wirewound, Матэрыял - стрыжань: Metal Composite, Індуктыўнасць: 2.2µH, Талерантнасць: ±20%, Бягучы рэйтынг: 1.8A, Ток - насычэнне: 2.8A,

CIGW201610GHR68MLE

CIGW201610GHR68MLE

частка акцыі: 123375

Тып: Wirewound, Матэрыял - стрыжань: Metal Composite, Індуктыўнасць: 680nH, Талерантнасць: ±20%, Бягучы рэйтынг: 3.2A, Ток - насычэнне: 5.1A,

CIGT201610UH2R2MNE

CIGT201610UH2R2MNE

частка акцыі: 101711

Тып: Thin Film, Матэрыял - стрыжань: Metal Composite, Індуктыўнасць: 2.2µH, Талерантнасць: ±20%, Бягучы рэйтынг: 2.2A, Ток - насычэнне: 2.6A,

CIGT201208EM1R0MNE

CIGT201208EM1R0MNE

частка акцыі: 171174

Тып: Thin Film, Матэрыял - стрыжань: Metal Composite, Індуктыўнасць: 1µH, Талерантнасць: ±20%, Бягучы рэйтынг: 2.9A, Ток - насычэнне: 2.5A,

CIGT201210UHR47SNE

CIGT201210UHR47SNE

частка акцыі: 159756

Тып: Thin Film, Матэрыял - стрыжань: Metal Composite, Індуктыўнасць: 470nH, Талерантнасць: ±0.3nH,

CIGT201210UMR47MNE

CIGT201210UMR47MNE

частка акцыі: 122432

Тып: Thin Film, Матэрыял - стрыжань: Metal Composite, Індуктыўнасць: 470nH, Талерантнасць: ±20%, Бягучы рэйтынг: 3.3A, Ток - насычэнне: 3A,

CIGT201208EM1R0SNE

CIGT201208EM1R0SNE

частка акцыі: 191944

Тып: Thin Film, Матэрыял - стрыжань: Metal Composite, Індуктыўнасць: 1µH, Талерантнасць: ±0.3nH,

CIGT201206UM1R0MNE

CIGT201206UM1R0MNE

частка акцыі: 131894

Тып: Thin Film, Матэрыял - стрыжань: Metal Composite, Індуктыўнасць: 1µH, Талерантнасць: ±20%, Бягучы рэйтынг: 1.5A, Ток - насычэнне: 2.2A,

CIGW201610GH1R0MLE

CIGW201610GH1R0MLE

частка акцыі: 170324

Тып: Wirewound, Матэрыял - стрыжань: Metal Composite, Індуктыўнасць: 1µH, Талерантнасць: ±20%, Бягучы рэйтынг: 2.7A, Ток - насычэнне: 4.2A,

CIGW252010EH4R7SNE

CIGW252010EH4R7SNE

частка акцыі: 199374

Тып: Wirewound, Матэрыял - стрыжань: Metal Composite, Індуктыўнасць: 4.7µH, Талерантнасць: ±0.3nH,

CIGT201210UM1R5MNE

CIGT201210UM1R5MNE

частка акцыі: 162942

Тып: Thin Film, Матэрыял - стрыжань: Metal Composite, Індуктыўнасць: 1.5µH, Талерантнасць: ±20%,

CIG22E4R7MNE

CIG22E4R7MNE

частка акцыі: 183061

Тып: Multilayer, Індуктыўнасць: 4.7µH, Талерантнасць: ±20%, Бягучы рэйтынг: 1A,

CIG22B4R7MNE

CIG22B4R7MNE

частка акцыі: 191007

Тып: Multilayer, Індуктыўнасць: 4.7µH, Талерантнасць: ±20%, Бягучы рэйтынг: 1A, Ток - насычэнне: 650mA,

CIG22B2R2MNE

CIG22B2R2MNE

частка акцыі: 138906

Тып: Multilayer, Індуктыўнасць: 2.2µH, Талерантнасць: ±20%, Бягучы рэйтынг: 1.1A, Ток - насычэнне: 1.2A,

CIGT201210UM1R0MNE

CIGT201210UM1R0MNE

частка акцыі: 160710

Тып: Thin Film, Матэрыял - стрыжань: Metal Composite, Індуктыўнасць: 1µH, Талерантнасць: ±20%,

CIGT201210UMR24MNE

CIGT201210UMR24MNE

частка акцыі: 106823

Тып: Thin Film, Матэрыял - стрыжань: Metal Composite, Індуктыўнасць: 240nH, Талерантнасць: ±20%,

CIGT201210UMR68MNE

CIGT201210UMR68MNE

частка акцыі: 183754

Тып: Thin Film, Матэрыял - стрыжань: Metal Composite, Індуктыўнасць: 680nH, Талерантнасць: ±20%,

CIGW201610GHR47MLE

CIGW201610GHR47MLE

частка акцыі: 142024

Тып: Wirewound, Матэрыял - стрыжань: Metal Composite, Індуктыўнасць: 470nH, Талерантнасць: ±20%, Бягучы рэйтынг: 3.6A, Ток - насычэнне: 5.5A,

CIGT201210UH2R2MNE

CIGT201210UH2R2MNE

частка акцыі: 174774

Тып: Thin Film, Матэрыял - стрыжань: Metal Composite, Індуктыўнасць: 2.2µH, Талерантнасць: ±20%,

CIGW201610GH1R5MLE

CIGW201610GH1R5MLE

частка акцыі: 149248

Тып: Wirewound, Матэрыял - стрыжань: Metal Composite, Індуктыўнасць: 1.5µH, Талерантнасць: ±20%, Бягучы рэйтынг: 2.1A, Ток - насычэнне: 3.5A,

CIGT201210UMR16MNE

CIGT201210UMR16MNE

частка акцыі: 179164

Тып: Thin Film, Матэрыял - стрыжань: Metal Composite, Індуктыўнасць: 160nH, Талерантнасць: ±20%,

CIGW201610GHR33MLE

CIGW201610GHR33MLE

частка акцыі: 192378

Тып: Wirewound, Матэрыял - стрыжань: Metal Composite, Індуктыўнасць: 330nH, Талерантнасць: ±20%, Бягучы рэйтынг: 4A,