Фіксаваныя індуктыўнасці

CIL21N68NKNE

CIL21N68NKNE

частка акцыі: 127043

Матэрыял - стрыжань: Ferrite, Індуктыўнасць: 68nH, Талерантнасць: ±10%, Бягучы рэйтынг: 300mA,

CIL10N47NKNC

CIL10N47NKNC

частка акцыі: 160864

Матэрыял - стрыжань: Ferrite, Індуктыўнасць: 47nH, Талерантнасць: ±10%, Бягучы рэйтынг: 50mA,

CIL21NR12KNE

CIL21NR12KNE

частка акцыі: 142450

Матэрыял - стрыжань: Ferrite, Індуктыўнасць: 120nH, Талерантнасць: ±10%, Бягучы рэйтынг: 250mA,

CIGW404012GM1R0MLE

CIGW404012GM1R0MLE

частка акцыі: 8353

Тып: Wirewound, Матэрыял - стрыжань: Metal Composite, Індуктыўнасць: 1µH, Талерантнасць: ±20%, Бягучы рэйтынг: 4.8A, Ток - насычэнне: 6A,

CIL21Y6R8KNE

CIL21Y6R8KNE

частка акцыі: 142021

Матэрыял - стрыжань: Ferrite, Індуктыўнасць: 6.8µH, Талерантнасць: ±10%, Бягучы рэйтынг: 15mA,

CIL21J3R9KNE

CIL21J3R9KNE

частка акцыі: 176924

Матэрыял - стрыжань: Ferrite, Індуктыўнасць: 3.9µH, Талерантнасць: ±10%, Бягучы рэйтынг: 30mA,

CIL21N68NMNE

CIL21N68NMNE

частка акцыі: 192188

Матэрыял - стрыжань: Ferrite, Індуктыўнасць: 68nH, Талерантнасць: ±20%, Бягучы рэйтынг: 300mA,

CIG10W1R5MNC

CIG10W1R5MNC

частка акцыі: 119070

Тып: Multilayer, Індуктыўнасць: 1.5µH, Талерантнасць: ±20%, Бягучы рэйтынг: 800mA,

CIG21F2R2MNC

CIG21F2R2MNC

частка акцыі: 191633

Тып: Multilayer, Індуктыўнасць: 2.2µH, Талерантнасць: ±20%, Бягучы рэйтынг: 600mA,

CIGT252007LM1R0MNC

CIGT252007LM1R0MNC

частка акцыі: 152268

Тып: Thin Film, Матэрыял - стрыжань: Metal Composite, Індуктыўнасць: 1µH, Талерантнасць: ±20%, Бягучы рэйтынг: 2.5A, Ток - насычэнне: 3A,

CIG21FR47MNC

CIG21FR47MNC

частка акцыі: 135853

Тып: Multilayer, Індуктыўнасць: 470nH, Талерантнасць: ±20%, Бягучы рэйтынг: 1.1A,

CIG32H2R2MNE

CIG32H2R2MNE

частка акцыі: 164844

Тып: Multilayer, Індуктыўнасць: 2.2µH, Талерантнасць: ±20%, Бягучы рэйтынг: 1.6A, Ток - насычэнне: 2.9A,

CIG21F1R0MNC

CIG21F1R0MNC

частка акцыі: 165100

Тып: Multilayer, Індуктыўнасць: 1µH, Талерантнасць: ±20%, Бягучы рэйтынг: 800mA,

CIG10F1R5MNC

CIG10F1R5MNC

частка акцыі: 157475

Тып: Multilayer, Індуктыўнасць: 1.5µH, Талерантнасць: ±20%, Бягучы рэйтынг: 600mA,

CIG22B2R2MLE

CIG22B2R2MLE

частка акцыі: 196551

Тып: Multilayer, Індуктыўнасць: 2.2µH, Талерантнасць: ±20%, Бягучы рэйтынг: 900mA, Ток - насычэнне: 1.3A,

CIG21W1R5MNE

CIG21W1R5MNE

частка акцыі: 105018

Тып: Multilayer, Індуктыўнасць: 1.5µH, Талерантнасць: ±25%, Бягучы рэйтынг: 960mA,

CIG22L6R8MNE

CIG22L6R8MNE

частка акцыі: 124299

Тып: Multilayer, Індуктыўнасць: 6.8µH, Талерантнасць: ±20%, Бягучы рэйтынг: 800mA,

CIG10W3R3MNC

CIG10W3R3MNC

частка акцыі: 152581

Тып: Multilayer, Індуктыўнасць: 3.3µH, Талерантнасць: ±20%, Бягучы рэйтынг: 700mA,

CIH10T1N2SNC

CIH10T1N2SNC

частка акцыі: 115085

Тып: Multilayer, Індуктыўнасць: 1.2nH, Талерантнасць: ±0.3nH, Бягучы рэйтынг: 800mA,

CIG10F1R0MNC

CIG10F1R0MNC

частка акцыі: 152916

Тып: Multilayer, Індуктыўнасць: 1µH, Талерантнасць: ±20%, Бягучы рэйтынг: 700mA,

CIG22E1R0MAE

CIG22E1R0MAE

частка акцыі: 162748

Тып: Multilayer, Індуктыўнасць: 1µH, Талерантнасць: ±20%, Бягучы рэйтынг: 1.9A, Ток - насычэнне: 2.3A,

CIG21F1R5MNC

CIG21F1R5MNC

частка акцыі: 112676

Тып: Multilayer, Індуктыўнасць: 1.5µH, Талерантнасць: ±20%, Бягучы рэйтынг: 700mA,

CIG32W1R0MNE

CIG32W1R0MNE

частка акцыі: 119440

Тып: Multilayer, Індуктыўнасць: 1µH, Талерантнасць: ±20%, Бягучы рэйтынг: 1.5A, Ток - насычэнне: 2.7A,

CIG10FR47MNC

CIG10FR47MNC

частка акцыі: 107893

Тып: Multilayer, Індуктыўнасць: 470nH, Талерантнасць: ±20%, Бягучы рэйтынг: 800mA,

CIG10F2R2MNC

CIG10F2R2MNC

частка акцыі: 154201

Тып: Multilayer, Індуктыўнасць: 2.2µH, Талерантнасць: ±20%, Бягучы рэйтынг: 500mA,

CIGT252010LM2R2MNE

CIGT252010LM2R2MNE

частка акцыі: 109768

Тып: Thin Film, Матэрыял - стрыжань: Metal Composite, Індуктыўнасць: 2.2µH, Талерантнасць: ±20%, Бягучы рэйтынг: 2.1A, Ток - насычэнне: 2.8A,

CIGW160808XMR47MLC

CIGW160808XMR47MLC

частка акцыі: 147284

Тып: Wirewound, Матэрыял - стрыжань: Metal Composite, Індуктыўнасць: 470nH, Талерантнасць: ±20%, Бягучы рэйтынг: 3A,

CIGW404012GMR47MLE

CIGW404012GMR47MLE

частка акцыі: 146106

Тып: Wirewound, Матэрыял - стрыжань: Metal Composite, Індуктыўнасць: 470nH, Талерантнасць: ±20%, Бягучы рэйтынг: 6A, Ток - насычэнне: 9.4A,

CIGT2016R6MH100MNE

CIGT2016R6MH100MNE

частка акцыі: 143666

Тып: Thin Film, Матэрыял - стрыжань: Metal Composite, Індуктыўнасць: 10µH, Талерантнасць: ±20%, Бягучы рэйтынг: 450mA, Ток - насычэнне: 600mA,

CIGT201208UM1R0MNE

CIGT201208UM1R0MNE

частка акцыі: 127084

Тып: Thin Film, Матэрыял - стрыжань: Metal Composite, Індуктыўнасць: 1µH, Талерантнасць: ±20%,

CIGT201208UM1R5MNE

CIGT201208UM1R5MNE

частка акцыі: 169123

Тып: Thin Film, Матэрыял - стрыжань: Metal Composite, Індуктыўнасць: 1.5µH, Талерантнасць: ±20%,

CIGT201208EMR47MNE

CIGT201208EMR47MNE

частка акцыі: 128487

Тып: Thin Film, Матэрыял - стрыжань: Metal Composite, Індуктыўнасць: 470nH, Талерантнасць: ±20%, Бягучы рэйтынг: 3.2A, Ток - насычэнне: 4A,

CIGT201206EH1R0MNE

CIGT201206EH1R0MNE

частка акцыі: 117395

Тып: Thin Film, Матэрыял - стрыжань: Metal Composite, Індуктыўнасць: 1µH, Талерантнасць: ±20%, Бягучы рэйтынг: 1.8A, Ток - насычэнне: 2.4A,

CIGT1608R6EH1R0MNC

CIGT1608R6EH1R0MNC

частка акцыі: 196872

Тып: Thin Film, Матэрыял - стрыжань: Metal Composite, Індуктыўнасць: 1µH, Талерантнасць: ±20%, Бягучы рэйтынг: 1.7A, Ток - насычэнне: 1.7A,

CIGT201208EHR47MNE

CIGT201208EHR47MNE

частка акцыі: 143259

Тып: Thin Film, Матэрыял - стрыжань: Metal Composite, Індуктыўнасць: 470nH, Талерантнасць: ±20%, Бягучы рэйтынг: 3.7A, Ток - насычэнне: 4.1A,

CIGT201608EHR47SNE

CIGT201608EHR47SNE

частка акцыі: 116860

Тып: Thin Film, Матэрыял - стрыжань: Metal Composite, Індуктыўнасць: 470nH, Талерантнасць: ±0.3nH,