Menu
БеларусьБеларусь
RFQS / Заказ
0RFQS / Заказ

Транзістары - IGBT - адзінкавыя

  • Дом
  •  
  • Транзістары - IGBT - адзінкавыя
RGTV00TK65DGC11
Rohm Semiconductor

RGTV00TK65DGC11

частка акцыі: 2789

Тып IGBT: Trench Field Stop, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 650V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 45A, Ток - Імпульсны калектар (Icm): 200A, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 50A, Магутнасць - Макс: 94W,

Ліст з жаданняў
RGTV60TS65DGC11
Rohm Semiconductor

RGTV60TS65DGC11

частка акцыі: 2739

Тып IGBT: Trench Field Stop, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 650V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 60A, Ток - Імпульсны калектар (Icm): 120A, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 30A, Магутнасць - Макс: 194W,

Ліст з жаданняў
RGT50TS65DGC11
Rohm Semiconductor

RGT50TS65DGC11

частка акцыі: 20970

Тып IGBT: Trench Field Stop, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 650V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 48A, Ток - Імпульсны калектар (Icm): 75A, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 25A, Магутнасць - Макс: 174W,

Ліст з жаданняў
RGTV00TS65DGC11
Rohm Semiconductor

RGTV00TS65DGC11

частка акцыі: 2823

Тып IGBT: Trench Field Stop, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 650V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 95A, Ток - Імпульсны калектар (Icm): 200A, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 50A, Магутнасць - Макс: 276W,

Ліст з жаданняў
RGT60TS65DGC11
Rohm Semiconductor

RGT60TS65DGC11

частка акцыі: 22178

Тып IGBT: Trench Field Stop, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 650V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 55A, Ток - Імпульсны калектар (Icm): 90A, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 30A, Магутнасць - Макс: 194W,

Ліст з жаданняў
RGW80TS65GC11
Rohm Semiconductor

RGW80TS65GC11

частка акцыі: 2956

Тып IGBT: Trench Field Stop, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 650V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 78A, Ток - Імпульсны калектар (Icm): 160A, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 40A, Магутнасць - Макс: 214W,

Ліст з жаданняў
RGT30NS65DGTL
Rohm Semiconductor

RGT30NS65DGTL

частка акцыі: 76981

Тып IGBT: Trench Field Stop, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 650V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 30A, Ток - Імпульсны калектар (Icm): 45A, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 15A, Магутнасць - Макс: 133W,

Ліст з жаданняў
RGPR30BM40HRTL
Rohm Semiconductor

RGPR30BM40HRTL

частка акцыі: 10769

Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 430V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 30A, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 2.0V @ 5V, 10A, Магутнасць - Макс: 125W,

Ліст з жаданняў
RGPR10BM40FHTL
Rohm Semiconductor

RGPR10BM40FHTL

частка акцыі: 10770

Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 460V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 20A, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 2.0V @ 5V, 10A, Магутнасць - Макс: 107W,

Ліст з жаданняў
RGT40NS65DGTL
Rohm Semiconductor

RGT40NS65DGTL

частка акцыі: 64766

Тып IGBT: Trench Field Stop, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 650V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 40A, Ток - Імпульсны калектар (Icm): 60A, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 20A, Магутнасць - Макс: 161W,

Ліст з жаданняў
RGPZ10BM40FHTL
Rohm Semiconductor

RGPZ10BM40FHTL

частка акцыі: 10827

Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 460V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 20A, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 2.0V @ 5V, 10A, Магутнасць - Макс: 107W,

Ліст з жаданняў