Транзістары - біпалярныя (BJT) - масівы | Дыскрэтныя паўправадніковыя вырабы | 3

BA12004BF-E2

частка акцыі: 184029

Тып транзістара: 7 NPN Darlington, Ток - калектар (Ic) (макс.): 500mA, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 60V, Насычанасць Vce (макс.) @ Ib, Ic: 1.6V @ 500µA, 350mA, Каэфіцыент узмацнення пастаяннага току (hFE) (мін.) @ Ic, Vce: 1000 @ 350mA, 2V,

Ліст з жаданняў

Rohm Semiconductor

IMX25T110

частка акцыі: 176308

Тып транзістара: 2 NPN (Dual), Ток - калектар (Ic) (макс.): 300mA, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 20V, Насычанасць Vce (макс.) @ Ib, Ic: 100mV @ 3mA, 30mA, Ток - адсек калектара (макс.): 100nA (ICBO), Каэфіцыент узмацнення пастаяннага току (hFE) (мін.) @ Ic, Vce: 820 @ 4ma, 2V,

Ліст з жаданняў

Rohm Semiconductor

UMH3NFHATN

частка акцыі: 54

Тып транзістара: 2 NPN - Pre-Biased (Dual), Ток - калектар (Ic) (макс.): 100mA, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 50V, Насычанасць Vce (макс.) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA, Ток - адсек калектара (макс.): 500nA (ICBO), Каэфіцыент узмацнення пастаяннага току (hFE) (мін.) @ Ic, Vce: 100 @ 1mA, 5V,

Ліст з жаданняў

Rohm Semiconductor

EMX1FHAT2R

частка акцыі: 86

Тып транзістара: 2 NPN (Dual), Ток - калектар (Ic) (макс.): 150mA, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 50V, Насычанасць Vce (макс.) @ Ib, Ic: 400mV @ 5mA, 50mA, Ток - адсек калектара (макс.): 100nA (ICBO), Каэфіцыент узмацнення пастаяннага току (hFE) (мін.) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 6V,

Ліст з жаданняў

Rohm Semiconductor

UMB4NFHATN

частка акцыі: 65

Тып транзістара: 2 PNP Pre-Biased (Dual), Ток - калектар (Ic) (макс.): 100mA, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 50V, Насычанасць Vce (макс.) @ Ib, Ic: 300mV @ 1mA, 10mA, Ток - адсек калектара (макс.): 500nA (ICBO), Каэфіцыент узмацнення пастаяннага току (hFE) (мін.) @ Ic, Vce: 100 @ 1mA, 5V,

Ліст з жаданняў

Rohm Semiconductor

UMB10NFHATN

частка акцыі: 86

Тып транзістара: 2 PNP Pre-Biased (Dual), Ток - калектар (Ic) (макс.): 100mA, Насычанасць Vce (макс.) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA, Каэфіцыент узмацнення пастаяннага току (hFE) (мін.) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V,

Ліст з жаданняў

Rohm Semiconductor

IMT18T110

частка акцыі: 189248

Тып транзістара: 2 PNP (Dual), Ток - калектар (Ic) (макс.): 500mA, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 12V, Насычанасць Vce (макс.) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 200mA, Ток - адсек калектара (макс.): 100nA (ICBO), Каэфіцыент узмацнення пастаяннага току (hFE) (мін.) @ Ic, Vce: 270 @ 10mA, 2V,

Ліст з жаданняў

Rohm Semiconductor

UMY1NTR

частка акцыі: 105089

Тып транзістара: NPN, PNP (Emitter Coupled), Ток - калектар (Ic) (макс.): 150mA, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 50V, Насычанасць Vce (макс.) @ Ib, Ic: 400mV @ 5mA, 50mA / 500mV @ 5mA, 50mA, Ток - адсек калектара (макс.): 100nA (ICBO), Каэфіцыент узмацнення пастаяннага току (hFE) (мін.) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 6V,

Ліст з жаданняў

Rohm Semiconductor

UMB2NFHATN

частка акцыі: 120

Тып транзістара: 2 PNP Pre-Biased (Dual), Ток - калектар (Ic) (макс.): 100mA, Насычанасць Vce (макс.) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA, Каэфіцыент узмацнення пастаяннага току (hFE) (мін.) @ Ic, Vce: 68 @ 5mA, 5V,

Ліст з жаданняў

Rohm Semiconductor

UMB3NFHATN

частка акцыі: 123

Тып транзістара: 2 PNP Pre-Biased (Dual), Ток - калектар (Ic) (макс.): 100mA, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 50V, Насычанасць Vce (макс.) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA, Ток - адсек калектара (макс.): 500nA (ICBO), Каэфіцыент узмацнення пастаяннага току (hFE) (мін.) @ Ic, Vce: 100 @ 1mA, 5V,

Ліст з жаданняў

Rohm Semiconductor

EMX18T2R

частка акцыі: 102854

Тып транзістара: 2 NPN (Dual), Ток - калектар (Ic) (макс.): 500mA, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 12V, Насычанасць Vce (макс.) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 200mA, Ток - адсек калектара (макс.): 100nA (ICBO), Каэфіцыент узмацнення пастаяннага току (hFE) (мін.) @ Ic, Vce: 270 @ 10mA, 2V,

Ліст з жаданняў

Rohm Semiconductor

IMX9T110

частка акцыі: 121142

Тып транзістара: 2 NPN (Dual), Ток - калектар (Ic) (макс.): 500mA, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 20V, Насычанасць Vce (макс.) @ Ib, Ic: 400mV @ 20mA, 500mA, Ток - адсек калектара (макс.): 500nA (ICBO), Каэфіцыент узмацнення пастаяннага току (hFE) (мін.) @ Ic, Vce: 560 @ 10mA, 3V,

Ліст з жаданняў

Rohm Semiconductor

EMX1T2R

частка акцыі: 141083

Тып транзістара: 2 NPN (Dual), Ток - калектар (Ic) (макс.): 150mA, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 50V, Насычанасць Vce (макс.) @ Ib, Ic: 400mV @ 5mA, 50mA, Ток - адсек калектара (макс.): 100nA (ICBO), Каэфіцыент узмацнення пастаяннага току (hFE) (мін.) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 6V,

Ліст з жаданняў

Rohm Semiconductor

UMX18NTN

частка акцыі: 176996

Тып транзістара: 2 NPN (Dual), Ток - калектар (Ic) (макс.): 500mA, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 12V, Насычанасць Vce (макс.) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 200mA, Ток - адсек калектара (макс.): 100nA (ICBO), Каэфіцыент узмацнення пастаяннага току (hFE) (мін.) @ Ic, Vce: 270 @ 10mA, 2V,

Ліст з жаданняў

Rohm Semiconductor

UMZ7NTR

частка акцыі: 173450

Тып транзістара: NPN, PNP, Ток - калектар (Ic) (макс.): 500mA, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 12V, Насычанасць Vce (макс.) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 200mA, Ток - адсек калектара (макс.): 100nA (ICBO), Каэфіцыент узмацнення пастаяннага току (hFE) (мін.) @ Ic, Vce: 270 @ 10mA, 2V,

Ліст з жаданняў

Rohm Semiconductor

UMX3NTR

частка акцыі: 161100

Тып транзістара: 2 NPN (Dual), Ток - калектар (Ic) (макс.): 150mA, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 50V, Насычанасць Vce (макс.) @ Ib, Ic: 400mV @ 5mA, 50mA, Ток - адсек калектара (макс.): 100nA (ICBO), Каэфіцыент узмацнення пастаяннага току (hFE) (мін.) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 6V,

Ліст з жаданняў

Rohm Semiconductor

IMT4T108

частка акцыі: 120898

Тып транзістара: 2 PNP (Dual), Ток - калектар (Ic) (макс.): 50mA, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 120V, Насычанасць Vce (макс.) @ Ib, Ic: 500mV @ 1mA, 10mA, Ток - адсек калектара (макс.): 500nA (ICBO), Каэфіцыент узмацнення пастаяннага току (hFE) (мін.) @ Ic, Vce: 180 @ 2mA, 6V,

Ліст з жаданняў

Rohm Semiconductor

EMZ1T2R

частка акцыі: 159590

Тып транзістара: NPN, PNP, Ток - калектар (Ic) (макс.): 150mA, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 50V, Насычанасць Vce (макс.) @ Ib, Ic: 400mV @ 5mA, 50mA / 500mV @ 5mA, 50mA, Ток - адсек калектара (макс.): 100nA (ICBO), Каэфіцыент узмацнення пастаяннага току (hFE) (мін.) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 6V,

Ліст з жаданняў

Rohm Semiconductor

EMX2T2R

частка акцыі: 130305

Тып транзістара: 2 NPN (Dual), Ток - калектар (Ic) (макс.): 150mA, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 50V, Насычанасць Vce (макс.) @ Ib, Ic: 400mV @ 5mA, 50mA, Ток - адсек калектара (макс.): 100nA (ICBO), Каэфіцыент узмацнення пастаяннага току (hFE) (мін.) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 6V,

Ліст з жаданняў

Rohm Semiconductor

UMX5NTR

частка акцыі: 180998

Тып транзістара: 2 NPN (Dual), Ток - калектар (Ic) (макс.): 50mA, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 11V, Насычанасць Vce (макс.) @ Ib, Ic: 500mV @ 5mA, 10mA, Ток - адсек калектара (макс.): 500nA (ICBO), Каэфіцыент узмацнення пастаяннага току (hFE) (мін.) @ Ic, Vce: 56 @ 5mA, 10V,

Ліст з жаданняў

Rohm Semiconductor

IMZ1AT108

частка акцыі: 154056

Тып транзістара: NPN, PNP, Ток - калектар (Ic) (макс.): 150mA, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 50V, Насычанасць Vce (макс.) @ Ib, Ic: 400mV @ 5mA, 50mA / 500mV @ 5mA, 50mA, Ток - адсек калектара (макс.): 100nA (ICBO), Каэфіцыент узмацнення пастаяннага току (hFE) (мін.) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 6V,

Ліст з жаданняў

Rohm Semiconductor

IMT17T110

частка акцыі: 4489

Тып транзістара: 2 PNP (Dual), Ток - калектар (Ic) (макс.): 500mA, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 50V, Насычанасць Vce (макс.) @ Ib, Ic: 600mV @ 50mA, 500mA, Ток - адсек калектара (макс.): 100nA (ICBO), Каэфіцыент узмацнення пастаяннага току (hFE) (мін.) @ Ic, Vce: 120 @ 100mA, 3V,

Ліст з жаданняў

Rohm Semiconductor

IMX2T108

частка акцыі: 126207

Тып транзістара: 2 NPN (Dual), Ток - калектар (Ic) (макс.): 150mA, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 50V, Насычанасць Vce (макс.) @ Ib, Ic: 400mV @ 5mA, 50mA, Ток - адсек калектара (макс.): 100nA (ICBO), Каэфіцыент узмацнення пастаяннага току (hFE) (мін.) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 6V,

Ліст з жаданняў

Rohm Semiconductor

UMT2NTR

частка акцыі: 166499

Тып транзістара: 2 PNP (Dual), Ток - калектар (Ic) (макс.): 150mA, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 50V, Насычанасць Vce (макс.) @ Ib, Ic: 500mV @ 5mA, 50mA, Ток - адсек калектара (макс.): 100nA (ICBO), Каэфіцыент узмацнення пастаяннага току (hFE) (мін.) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 6V,

Ліст з жаданняў

Rohm Semiconductor

EMX52T2R

частка акцыі: 177844

Тып транзістара: 2 NPN (Dual), Ток - калектар (Ic) (макс.): 100mA, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 50V, Насычанасць Vce (макс.) @ Ib, Ic: 300mV @ 5mA, 50mA, Ток - адсек калектара (макс.): 100nA (ICBO), Каэфіцыент узмацнення пастаяннага току (hFE) (мін.) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 6V,

Ліст з жаданняў

Rohm Semiconductor

VT6X1T2R

частка акцыі: 181553

Тып транзістара: 2 NPN (Dual), Ток - калектар (Ic) (макс.): 200mA, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 20V, Насычанасць Vce (макс.) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 100mA, Ток - адсек калектара (макс.): 100nA (ICBO), Каэфіцыент узмацнення пастаяннага току (hFE) (мін.) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 2V,

Ліст з жаданняў

Rohm Semiconductor

QST8TR

частка акцыі: 165043

Тып транзістара: 2 PNP (Dual), Ток - калектар (Ic) (макс.): 1.5A, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 12V, Насычанасць Vce (макс.) @ Ib, Ic: 200mV @ 25mA, 500mA, Ток - адсек калектара (макс.): 100nA (ICBO), Каэфіцыент узмацнення пастаяннага току (hFE) (мін.) @ Ic, Vce: 270 @ 200mA, 2V,

Ліст з жаданняў

Rohm Semiconductor

EMZ8T2R

частка акцыі: 146330

Тып транзістара: NPN, PNP, Ток - калектар (Ic) (макс.): 150mA, 500mA, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 50V, 12V, Насычанасць Vce (макс.) @ Ib, Ic: 400mV @ 5mA, 50mA / 250mV @ 10mA, 200mA, Ток - адсек калектара (макс.): 100nA (ICBO), Каэфіцыент узмацнення пастаяннага току (hFE) (мін.) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 6V / 270 @ 10mA, 2V,

Ліст з жаданняў

Rohm Semiconductor

EMX26T2R

частка акцыі: 150147

Тып транзістара: 2 NPN (Dual), Ток - калектар (Ic) (макс.): 150mA, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 50V, Насычанасць Vce (макс.) @ Ib, Ic: 300mV @ 5mA, 50mA, Ток - адсек калектара (макс.): 300nA (ICBO), Каэфіцыент узмацнення пастаяннага току (hFE) (мін.) @ Ic, Vce: 820 @ 50mA, 5V,

Ліст з жаданняў

Rohm Semiconductor

EMY1T2R

частка акцыі: 115385

Тып транзістара: NPN, PNP (Emitter Coupled), Ток - калектар (Ic) (макс.): 150mA, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 50V, Насычанасць Vce (макс.) @ Ib, Ic: 400mV @ 5mA, 50mA / 500mV @ 5mA, 50mA, Ток - адсек калектара (макс.): 100nA (ICBO), Каэфіцыент узмацнення пастаяннага току (hFE) (мін.) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 6V,

Ліст з жаданняў

Rohm Semiconductor

EMT1T2R

частка акцыі: 173955

Тып транзістара: 2 PNP (Dual), Ток - калектар (Ic) (макс.): 150mA, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 50V, Насычанасць Vce (макс.) @ Ib, Ic: 500mV @ 5mA, 50mA, Ток - адсек калектара (макс.): 100nA (ICBO), Каэфіцыент узмацнення пастаяннага току (hFE) (мін.) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 6V,

Ліст з жаданняў

Rohm Semiconductor

EMT18T2R

частка акцыі: 174521

Тып транзістара: 2 PNP (Dual), Ток - калектар (Ic) (макс.): 500mA, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 12V, Насычанасць Vce (макс.) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 200mA, Ток - адсек калектара (макс.): 100nA (ICBO), Каэфіцыент узмацнення пастаяннага току (hFE) (мін.) @ Ic, Vce: 270 @ 10mA, 2V,

Ліст з жаданняў

Rohm Semiconductor

EMX4T2R

частка акцыі: 175722

Тып транзістара: 2 NPN (Dual), Ток - калектар (Ic) (макс.): 50mA, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 20V, Насычанасць Vce (макс.) @ Ib, Ic: 500mV @ 4mA, 20mA, Ток - адсек калектара (макс.): 500nA (ICBO), Каэфіцыент узмацнення пастаяннага току (hFE) (мін.) @ Ic, Vce: 56 @ 10mA, 10V,

Ліст з жаданняў

Rohm Semiconductor

UMX1NTN

частка акцыі: 147331

Тып транзістара: 2 NPN (Dual), Ток - калектар (Ic) (макс.): 150mA, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 50V, Насычанасць Vce (макс.) @ Ib, Ic: 400mV @ 5mA, 50mA, Ток - адсек калектара (макс.): 100nA (ICBO), Каэфіцыент узмацнення пастаяннага току (hFE) (мін.) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 6V,

Ліст з жаданняў

Rohm Semiconductor

IMT2AT108

частка акцыі: 186534

Тып транзістара: 2 PNP (Dual), Ток - калектар (Ic) (макс.): 150mA, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 50V, Насычанасць Vce (макс.) @ Ib, Ic: 500mV @ 5mA, 50mA, Ток - адсек калектара (макс.): 100nA (ICBO), Каэфіцыент узмацнення пастаяннага току (hFE) (мін.) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 6V,

Ліст з жаданняў

Rohm Semiconductor

VT6X2T2R

частка акцыі: 143381

Тып транзістара: 2 NPN (Dual), Ток - калектар (Ic) (макс.): 100mA, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 50V, Насычанасць Vce (макс.) @ Ib, Ic: 300mV @ 5mA, 50mA, Ток - адсек калектара (макс.): 100nA (ICBO), Каэфіцыент узмацнення пастаяннага току (hFE) (мін.) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 6V,

Ліст з жаданняў