Транзістары - IGBT - адзінкавыя

Дом
Транзістары - IGBT - адзінкавыя

Rohm Semiconductor

RGW60TS65DGC11

частка акцыі: 180

Тып IGBT: Trench Field Stop, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 650V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 60A, Ток - Імпульсны калектар (Icm): 120A, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 30A, Магутнасць - Макс: 178W,

Ліст з жаданняў

RGW00TK65DGVC11

Rohm Semiconductor

RGW00TK65DGVC11

частка акцыі: 112

Тып IGBT: Trench Field Stop, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 650V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 45A, Ток - Імпульсны калектар (Icm): 200A, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 50A, Магутнасць - Макс: 89W,

Ліст з жаданняў

Rohm Semiconductor

RGT16NS65DGTL

частка акцыі: 95483

Тып IGBT: Trench Field Stop, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 650V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 16A, Ток - Імпульсны калектар (Icm): 24A, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 8A, Магутнасць - Макс: 94W,

Ліст з жаданняў

RGTH40TS65DGC11

Rohm Semiconductor

RGTH40TS65DGC11

частка акцыі: 25319

Тып IGBT: Trench Field Stop, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 650V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 40A, Ток - Імпульсны калектар (Icm): 80A, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 20A, Магутнасць - Макс: 144W,

Ліст з жаданняў

RGTH00TS65DGC11

Rohm Semiconductor

RGTH00TS65DGC11

частка акцыі: 14392

Тып IGBT: Trench Field Stop, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 650V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 85A, Ток - Імпульсны калектар (Icm): 200A, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 50A, Магутнасць - Макс: 277W,

Ліст з жаданняў

Rohm Semiconductor

RGPR30NS40HRTL

частка акцыі: 77

Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 430V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 30A, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 2.0V @ 5V, 10A, Магутнасць - Макс: 125W,

Ліст з жаданняў

Rohm Semiconductor

RGW60TK65GVC11

частка акцыі: 110

Тып IGBT: Trench Field Stop, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 650V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 33A, Ток - Імпульсны калектар (Icm): 120A, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 30A, Магутнасць - Макс: 72W,

Ліст з жаданняў

RGTV60TK65GVC11

Rohm Semiconductor

RGTV60TK65GVC11

частка акцыі: 164

Тып IGBT: Trench Field Stop, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 650V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 33A, Ток - Імпульсны калектар (Icm): 120A, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 30A, Магутнасць - Макс: 76W,

Ліст з жаданняў

Rohm Semiconductor

RGT8NS65DGTL

частка акцыі: 130635

Тып IGBT: Trench Field Stop, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 650V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 8A, Ток - Імпульсны калектар (Icm): 12A, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 4A, Магутнасць - Макс: 65W,

Ліст з жаданняў

Rohm Semiconductor

RGW00TK65GVC11

частка акцыі: 159

Тып IGBT: Trench Field Stop, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 650V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 45A, Ток - Імпульсны калектар (Icm): 200A, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 50A, Магутнасць - Макс: 89W,

Ліст з жаданняў

RGTH80TS65DGC11

Rohm Semiconductor

RGTH80TS65DGC11

частка акцыі: 18067

Тып IGBT: Trench Field Stop, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 650V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 70A, Ток - Імпульсны калектар (Icm): 160A, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 40A, Магутнасць - Макс: 234W,

Ліст з жаданняў

Rohm Semiconductor

RGPR20NS43HRTL

частка акцыі: 99

Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 460V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 20A, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 2.0V @ 5V, 10A, Магутнасць - Макс: 107W,

Ліст з жаданняў

Rohm Semiconductor

RGT8BM65DTL

частка акцыі: 142805

Тып IGBT: Trench Field Stop, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 650V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 8A, Ток - Імпульсны калектар (Icm): 12A, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 4A, Магутнасць - Макс: 62W,

Ліст з жаданняў

Rohm Semiconductor

RGW80TK65GVC11

частка акцыі: 118

Тып IGBT: Trench Field Stop, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 650V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 39A, Ток - Імпульсны калектар (Icm): 160A, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 40A, Магутнасць - Макс: 81W,

Ліст з жаданняў

RGS00TS65DHRC11

Rohm Semiconductor

RGS00TS65DHRC11

частка акцыі: 112

Тып IGBT: Trench Field Stop, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 650V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 88A, Ток - Імпульсны калектар (Icm): 150A, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 50A, Магутнасць - Макс: 326W,

Ліст з жаданняў

Rohm Semiconductor

RGW00TS65GC11

частка акцыі: 2946

Тып IGBT: Trench Field Stop, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 650V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 96A, Ток - Імпульсны калектар (Icm): 200A, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 50A, Магутнасць - Макс: 254W,

Ліст з жаданняў

Rohm Semiconductor

RGTH80TS65GC11

частка акцыі: 1596

Тып IGBT: Trench Field Stop, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 650V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 70A, Ток - Імпульсны калектар (Icm): 160A, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 40A, Магутнасць - Макс: 234W,

Ліст з жаданняў

Rohm Semiconductor

RGTH00TS65GC11

частка акцыі: 17733

Тып IGBT: Trench Field Stop, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 650V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 85A, Ток - Імпульсны калектар (Icm): 200A, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 50A, Магутнасць - Макс: 277W,

Ліст з жаданняў

Rohm Semiconductor

RGTH50TS65GC11

частка акцыі: 23036

Тып IGBT: Trench Field Stop, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 650V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 50A, Ток - Імпульсны калектар (Icm): 100A, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 25A, Магутнасць - Макс: 174W,

Ліст з жаданняў

RGTV00TK65GVC11

Rohm Semiconductor

RGTV00TK65GVC11

частка акцыі: 2933

Тып IGBT: Trench Field Stop, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 650V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 45A, Ток - Імпульсны калектар (Icm): 200A, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 50A, Магутнасць - Макс: 94W,

Ліст з жаданняў

Rohm Semiconductor

RGT40TS65DGC11

частка акцыі: 25308

Тып IGBT: Trench Field Stop, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 650V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 40A, Ток - Імпульсны калектар (Icm): 60A, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 20A, Магутнасць - Макс: 144W,

Ліст з жаданняў

Rohm Semiconductor

RGTV00TS65GC11

частка акцыі: 2921

Тып IGBT: Trench Field Stop, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 650V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 95A, Ток - Імпульсны калектар (Icm): 200A, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 50A, Магутнасць - Макс: 276W,

Ліст з жаданняў

RGW60TK65DGVC11

Rohm Semiconductor

RGW60TK65DGVC11

частка акцыі: 2956

Тып IGBT: Trench Field Stop, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 650V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 33A, Ток - Імпульсны калектар (Icm): 120A, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 30A, Магутнасць - Макс: 72W,

Ліст з жаданняў

RGTV60TK65DGVC11

Rohm Semiconductor

RGTV60TK65DGVC11

частка акцыі: 2908

Тып IGBT: Trench Field Stop, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 650V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 33A, Ток - Імпульсны калектар (Icm): 120A, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 30A, Магутнасць - Макс: 76W,

Ліст з жаданняў

Rohm Semiconductor

RGTV60TS65GC11

частка акцыі: 2780

Тып IGBT: Trench Field Stop, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 650V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 60A, Ток - Імпульсны калектар (Icm): 120A, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 30A, Магутнасць - Макс: 194W,

Ліст з жаданняў

Rohm Semiconductor

RGTH40TS65GC11

частка акцыі: 30024

Тып IGBT: Trench Field Stop, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 650V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 40A, Ток - Імпульсны калектар (Icm): 80A, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 20A, Магутнасць - Макс: 144W,

Ліст з жаданняў

Rohm Semiconductor

RGW00TS65DGC11

частка акцыі: 2662

Тып IGBT: Trench Field Stop, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 650V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 96A, Ток - Імпульсны калектар (Icm): 200A, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 50A, Магутнасць - Макс: 254W,

Ліст з жаданняў

RGW80TK65DGVC11

Rohm Semiconductor

RGW80TK65DGVC11

частка акцыі: 2907

Тып IGBT: Trench Field Stop, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 650V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 39A, Ток - Імпульсны калектар (Icm): 160A, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 40A, Магутнасць - Макс: 81W,

Ліст з жаданняў

Rohm Semiconductor

RGT80TS65DGC11

частка акцыі: 17933

Тып IGBT: Trench Field Stop, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 650V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 70A, Ток - Імпульсны калектар (Icm): 120A, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 40A, Магутнасць - Макс: 234W,

Ліст з жаданняў

Rohm Semiconductor

RGTVX6TS65GC11

частка акцыі: 2967

Тып IGBT: Trench Field Stop, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 650V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 144A, Ток - Імпульсны калектар (Icm): 320A, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 80A, Магутнасць - Макс: 404W,

Ліст з жаданняў

RGTH50TS65DGC11

Rohm Semiconductor

RGTH50TS65DGC11

частка акцыі: 20954

Тып IGBT: Trench Field Stop, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 650V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 50A, Ток - Імпульсны калектар (Icm): 100A, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 25A, Магутнасць - Макс: 174W,

Ліст з жаданняў

Rohm Semiconductor

RGT00TS65DGC11

частка акцыі: 2750

Тып IGBT: Trench Field Stop, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 650V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 85A, Ток - Імпульсны калектар (Icm): 150A, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 50A, Магутнасць - Макс: 277W,

Ліст з жаданняў

Rohm Semiconductor

RGTH60TS65GC11

частка акцыі: 22572

Тып IGBT: Trench Field Stop, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 650V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 58A, Ток - Імпульсны калектар (Icm): 120A, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 30A, Магутнасць - Макс: 197W,

Ліст з жаданняў

RGTH60TS65DGC11

Rohm Semiconductor

RGTH60TS65DGC11

частка акцыі: 22133

Тып IGBT: Trench Field Stop, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 650V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 58A, Ток - Імпульсны калектар (Icm): 120A, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 30A, Магутнасць - Макс: 194W,

Ліст з жаданняў

Rohm Semiconductor

RGW80TS65DGC11

частка акцыі: 2917

Тып IGBT: Trench Field Stop, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 650V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 78A, Ток - Імпульсны калектар (Icm): 160A, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 40A, Магутнасць - Макс: 214W,

Ліст з жаданняў

Rohm Semiconductor

RGW60TS65GC11

частка акцыі: 2827

Тып IGBT: Trench Field Stop, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 650V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 60A, Ток - Імпульсны калектар (Icm): 120A, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 30A, Магутнасць - Макс: 178W,

Ліст з жаданняў

47

«
1
2
»